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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2013-04-12 14:45 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM ○森脇真一・山本安衛・鈴 木 利 一（半導体理工学研究センター）・川澄 篤（東芝）・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大）  ICD2013-20 |
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] | ICD2013-20 pp.103-108 |
| ICD, SDM (共催) |
2012-08-02 09:35 |
北海道 | 札幌市男女共同参画センター | 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM ○吉本秀輔・寺田正治・梅木洋平・奥村俊介（神戸大）・川澄 篤・鈴木利一・森脇真一・宮野信治（半導体理工学研究センター）・川口 博・吉本雅彦（神戸大） SDM2012-64 ICD2012-32 |
[more] | SDM2012-64 ICD2012-32 pp.7-12 |
| ICD | 2012-04-24 13:50 |
岩手 | つなぎ温泉清温荘（岩手県） | [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM ○森脇真一・川澄 篤（半導体理工学研究センター）・鈴木利一（パナソニック）・山本安衛・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター）・桜井貴康（東大） ICD2012-13 |
[more] | ICD2012-13 pp.67-71 |
| ICD | 2011-04-19 11:20 |
兵庫 | 神戸大学 瀧川記念館 | [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM ○鈴木利一・森脇真一・川澄 篤・宮野信治・篠原尋史（半導体理工学研究センター） ICD2011-12 |
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] | ICD2011-12 pp.65-70 |
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