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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2017-01-30
10:00
東京 機械振興会館 [招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上
森 貴洋浅井栄大服部淳一福田浩一大塚慎太郎森田行則大内真一更田裕司右田真司水林 亘太田裕之松川 貴産総研
我々は等電子トラップ(IET)技術を用いて,シリコントンネルトランジスタ(TFET)による相補的回路の性能を改善した.I... [more] SDM2016-130
pp.1-4
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
09:00
大阪 中央電気倶楽部 [招待講演]多結晶シリコンFinFETを用いたSRAM PUFとその性能評価
大内真一柳 永勛堀 洋平入沢寿史更田裕司森田行則右田真司森 貴洋中川 格塚田順一小池汎平昌原明植松川 貴産総研
 [more] SDM2016-60 ICD2016-28
pp.83-87
SDM 2016-01-28
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解
水林 亘森 貴洋福田浩一石川由紀森田行則右田真司太田裕之柳 永勛大内真一塚田順一山内洋美松川 貴昌原明植遠藤和彦産総研
Siチャネルp型トンネルFETs(pTFETs)のNBTIを系統的に調べた。pTFETsのNBTI劣化機構はpFETsと... [more] SDM2015-122
pp.9-12
SDM 2015-01-27
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]n型トンネルトランジスタにおけるPBTI寿命の正確な予測
水林 亘森 貴洋福田浩一柳 永勛松川 貴石川由紀遠藤和彦大内真一塚田順一山内洋美森田行則右田真司太田裕之昌原明植産総研
high-kゲート絶縁膜を有するn型トンネルFinFETs(TFETs)のPBTI特性を系統的に調べた。n型TFETsの... [more] SDM2014-143
pp.33-36
SDM 2015-01-27
16:20
東京 機械振興会館 [招待講演]非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善
松川 貴福田浩一柳 永勛塚田順一山内洋美石川由紀遠藤和彦大内真一右田真司水林 亘森田行則太田裕之昌原明植産総研
 [more] SDM2014-145
pp.41-44
SDM 2015-01-27
16:45
東京 機械振興会館 [招待講演]Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証
森田行則森 貴洋福田浩一水林 亘右田真司松川 貴遠藤和彦大内真一柳 永勛昌原明植太田裕之産総研
FinFET型チャネルを持つトンネル電界効果トランジスタ(トンネルFinFET)をSi CMOSプラットフォームにおいて... [more] SDM2014-146
pp.45-48
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
13:05
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) [招待講演]急峻スイッチング素子の研究動向とTFETにおけるオン電流向上策
森 貴洋森田行則右田真司水林 亘福田浩一宮田典幸安田哲二昌原明植太田裕之産総研
低電圧動作可能な急峻スイッチング素子が注目を集めている。本論文では急峻スイッチング素子の研究動向を概観する。その中でも最... [more] SDM2014-67 ICD2014-36
pp.29-34
ICD 2014-04-18
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演]10nm技術世代マルチゲートFinFETデバイス・回路技術
昌原明植遠藤和彦大内真一松川 貴柳 永勛右田真司水林 亘森田行則太田裕之産総研
20nm技術世代以降の集積回路における最大の課題は,トランジスタ微細化に伴う待機時消費電力の増大と,顕在化する特性ばらつ... [more] ICD2014-15
pp.77-82
SDM 2014-01-29
10:50
東京 機械振興会館 [招待講演]高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術
水林 亘産総研)・おの田 博中島良樹日新イオン機器)・石川由紀松川 貴遠藤和彦Yongxun Liu大内真一塚田順一山内洋美右田真司森田行則太田裕之昌原明植産総研
高温イオン注入がメタルゲート/high-k CMOS SOI FinFETsの性能及び信頼性に及ぼす影響について調べた。... [more] SDM2013-138
pp.13-16
SDM, ICD
(共催)
2013-08-01
09:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 合成電界効果によるトンネルトランジスタの性能向上
森田行則森 貴洋右田真司水林 亘田邊顕人福田浩一遠藤和彦松川 貴大内真一柳 永シュン昌原明植太田裕之産総研
トンネル電界効果トランジスタ (TFET) の特性を改善する新規なチャネル構造および電極構造を備えた合成電界TFETを提... [more] SDM2013-66 ICD2013-48
pp.7-12
SDM 2012-11-16
14:15
東京 機械振興会館 Tunnel FETの非局所モデリング ~ デバイスモデルと回路モデル ~
福田浩一森 貴洋水林 亘森田行則田邊顕人昌原明植安田哲二右田真司太田裕之産総研
非局所バンド間トンネルモデルに基づき、トンネルFETのデバイス及び回路モデルの基礎を開発した。デバイスでモデルでは非局所... [more] SDM2012-111
pp.63-68
SDM 2012-06-21
15:30
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) エピタキシャルNiSi2ソース/ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減
水林 亘右田真司森田行則太田裕之産総研
 [more] SDM2012-57
pp.75-80
SDM 2010-06-22
09:55
東京 東京大学(生産研An棟) 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発
右田真司森田行則太田裕之産総研
平面型トランジスタの微細化限界を打破するデバイス構造として,シリコンナノワイヤ トランジスタが注目を集めている.このトラ... [more] SDM2010-34
pp.5-10
SDM 2009-06-19
11:20
東京 東京大学(生産研An棟) GeMIS界面欠陥の電気的性質
田岡紀之水林 亘森田行則右田真司太田裕之半導体MIRAIプロジェクト)・高木信一半導体MIRAIプロジェクト/東大
Ge MIS界面の電気的特性の理解は、少数キャリアの複雑な応答のため非常に困難である。そこで、本報告では、少数キャリアと... [more] SDM2009-30
pp.21-26
SDM 2008-06-10
10:55
東京 東京大学(生産研 An棟) High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO2界面の役割
岩本邦彦上牟田雄一半導体MIRAI-ASET)・布重 裕芝浦工大/半導体MIRAI-産総研ASRC)・平野晃人小川有人渡邉幸宗半導体MIRAI-ASET)・右田慎二水林 亘森田行則半導体MIRAI-産総研ASRC)・高橋正志半導体MIRAI-ASET)・太田裕之半導体MIRAI-産総研ASRC)・生田目俊秀半導体MIRAI-ASET)・鳥海 明半導体MIRAI-産総研ASRC/東大
 [more] SDM2008-51
pp.53-58
SDM 2007-06-08
15:05
広島 広島大学(学士会館) Ge窒化膜を界面層とするHfO2/Ge MIS構造の特性
前田辰郎森田行則西澤正泰産総研)・高木信一産総研/東大
 [more] SDM2007-50
pp.101-106
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