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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2012-12-07
10:30
京都 京都大学(桂) 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化
村田耕司森根達也松浦秀治阪電通大)・小野田 忍大島 武原子力機構
Si (Silicon) に比べ,放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は,次世... [more] SDM2012-117
pp.13-18
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