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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
10:00
京都 京都大学 長方形断面Geナノワイヤの正孔移動度の断面形状およびサイズ依存性
田中 一森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大EID2014-13 SDM2014-108
原子論的な手法である強束縛(Tight Binding)近似法と原子価力場(Valence Force Field)モデ... [more] EID2014-13 SDM2014-108
pp.1-6
SDM, EID
(共催)
2014-12-12
10:15
京都 京都大学 pチャネルSiナノワイヤMOSFETの移動度の結晶方位および断面形状依存性
藤原寛朗森岡直也田中 一須田 淳木本恒暢京大EID2014-14 SDM2014-109
幅の異なる長方形断面を持つ $langle$100$rangle$,$langle$110$rangle$,$langl... [more] EID2014-14 SDM2014-109
pp.7-11
SDM 2013-12-13
16:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性
田中 一森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2013-131
強束縛(Tight Binding)近似法と原子価力場(Valence Force Field)モデルを用いて,長方形断... [more] SDM2013-131
pp.91-96
SDM 2011-12-16
16:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性
森 誠悟森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2011-146
強束縛近似法を用いて,長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し,断面形状の違いによ... [more] SDM2011-146
pp.77-82
SDM 2010-12-17
10:00
京都 京都大学(桂) MOSFETのしきい値電圧および理論計算から求めた<100>Siナノワイヤのバンドギャップ
吉岡裕典森岡直也須田 淳木本恒暢京大SDM2010-185
18 nmから4 nmの断面サイズ(断面積の平方根)の<100>SiナノワイヤMOSFETを作製し、電気的特性を評価した... [more] SDM2010-185
pp.1-6
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