お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
研究会 開催スケジュール
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
    [Japanese] / [English] 
研究会名/開催地/テーマ  )→
 
講演検索  検索語:  /  範囲:題目 著者 所属 抄録 キーワード )→

すべての研究会開催スケジュール  (検索条件: すべての年度)

講演検索結果
 登録講演(開催プログラムが公開されているもの)  (日付・降順)
 6件中 1~6件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2011-01-14
11:25
東京 機械振興会館 Ka帯20W出力AlGaN/GaN HEMTの開発
松下景一桜井博幸柏原 康増田和俊小野寺 賢川崎久夫高木一考高田賢治津田邦男東芝ED2010-186 MW2010-146
Ka帯GaNデバイスによるSSPA(固体素子増幅器)はSATCOM(衛星通信)を中心としたミリ波TWTAの置換市場をター... [more] ED2010-186 MW2010-146
pp.61-64
ED 2009-06-12
11:50
東京 東京工業大学 SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの基板オフ角依存
松下景一桜井博幸沈 正七高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝ED2009-49
 [more] ED2009-49
pp.69-72
SDM, R, ED
(共催)
2007-11-16
14:55
大阪 中央電気倶楽部 AlGaN/GaN HEMTのDCストレスによる信頼性評価
松下景一寺本信一郎桜井博幸沈 正七川崎久夫高木一考高田賢治津田邦男東芝R2007-50 ED2007-183 SDM2007-218
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待されている。AlGaN/GaN HEMTは高温、高電... [more] R2007-50 ED2007-183 SDM2007-218
pp.23-26
MW, ED
(共催)
2007-01-19
16:15
東京 機械振興会館 X帯80W出力AlGaN/GaN HEMT開発
松下景一柏原 康増田和俊桜井博幸高塚眞治高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝
X帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN HEMT... [more] ED2006-238 MW2006-191
pp.209-212
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-05
13:00
京都 京都大学 X帯40W出力 AlGaN/GaN HEMTの開発
柏原 康増田和俊松下景一桜井博幸高塚眞治高木一考川崎久夫高田賢治津田邦男東芝
我々はX帯アプリケション向けにAlGaN/GaN HEMTを開発している。ゲート幅11.52mmのAlGaN/GaN H... [more] ED2006-152 CPM2006-89 LQE2006-56
pp.1-5
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
13:30
滋賀 立命館大学 C帯170W出力GaN-HEMTの開発
高田賢治桜井博幸松下景一増田和俊高塚眞治蔵口雅彦鈴木拓馬鈴木 隆広瀬真由美川崎久夫高木一考津田邦男東芝
AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待され、最近ではL帯アプリケーション向けとして非常に優... [more] ED2005-126 CPM2005-113 LQE2005-53
pp.39-42
 6件中 1~6件目  /   
ダウンロード書式の初期値を指定してください NEW!!
テキスト形式 pLaTeX形式 CSV形式 BibTeX形式
著作権について : 以上の論文すべての著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会