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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 14:25 |
大阪 | 大阪市立大学・学術情報センター会議室 | 1.6kV大電流GaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオードの開発 ○梶谷 亮・半田浩之・宇治田信二・柴田大輔・小川雅弘・田中健一郎・石田秀俊・田村聡之・石田昌宏・上田哲三（パナソニック）  ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 |
低立ち上がり電圧・大電流を有するGaNトレンチ型ハイブリッドジャンクションダイオード（THD: Trench Hybri... [more] | ED2015-75 CPM2015-110 LQE2015-107 pp.39-42 |
| ED, MW (共催) |
2012-01-12 14:30 |
東京 | 機械振興会館 | P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード ○柴田大輔・海原一裕・村田智洋・山田康博・森田竜夫・按田義治・石田昌宏・石田秀俊・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2011-137 MW2011-160 |
[more] | ED2011-137 MW2011-160 pp.101-105 |
| MW, ED (共催) |
2009-01-14 15:25 |
東京 | 機械振興会館 | GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード ○石田秀俊・柴田大輔・松尾尚慶・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（パナソニック） ED2008-202 MW2008-167 |
GaNをはじめとする分極を有する窒化物系半導体材料により、高耐圧特性と低オン抵抗特性を両立できる新しい半導体接合を実現で... [more] | ED2008-202 MW2008-167 pp.23-27 |
| SDM, ED (共催) |
2008-07-11 10:50 |
北海道 | かでる２・７（札幌） | AlNパッシベーションを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・松尾尚慶（松下電器）・永井秀一・Ming Li（Panasonic Boston Lab）・鶴見直大・石田秀俊・柳原 学・上本康裕・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2008-73 SDM2008-92 |
[more] | ED2008-73 SDM2008-92 pp.177-181 |
| ED, MW (共催) |
2008-01-16 16:15 |
東京 | 機械振興会館 | 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET ○柴田大輔・上本康裕・柳原 学・石田秀俊（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・松尾尚慶（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）・上田哲三・田中 毅・上田大助（松下電器） ED2007-213 MW2007-144 |
我々は、サファイア基板に形成したビアホールと厚膜多結晶AlNパッシベーションにより、従来の限界を超えた高耐圧でかつ低抵抗... [more] | ED2007-213 MW2007-144 pp.39-43 |
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