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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-06-21
11:20
愛知 名古屋大学 VBL3F 高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト
全 智禧鈴木陽洋柴山茂久財満鎭明中塚 理名大
Ge1−xSnx is a promising channel material for CMOS transistor... [more] SDM2019-26
pp.5-9
SDM 2019-06-21
12:00
愛知 名古屋大学 VBL3F イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について
祖父江秀隆福田雅大柴山茂久名大)・財満鎭明名城大)・中塚 理名大
 [more] SDM2019-28
pp.17-20
SDM 2018-01-30
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties
Xuan TianLun XuShigehisa ShibayamaTomonori NishimuraTakeaki YajimaUniv. of Tokyo)・Shinji MigitaAIST)・Akira ToriumiUniv. of Tokyo
5-nm-thick ferroelectric Y-doped HfO2 was intensively studie... [more] SDM2017-96
pp.21-24
SDM 2017-01-30
15:30
東京 機械振興会館 [招待講演]General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation
Xu LunShibayama ShigehisaIzukashi KazutakaNishimura TomonoriYajima TakeakiUniv. of Tokyo)・Migita ShinjiAIST)・Toriumi AkiraUniv. of Tokyo
 [more] SDM2016-137
pp.29-32
SDM 2015-06-19
14:35
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御
鈴木陽洋柴山茂久坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
GeチャネルCMOSの実現に向けて、金属/Geコンタクト抵抗の低減は必要不可欠である。しかしながら、金属/n-Ge界面の... [more] SDM2015-49
pp.57-61
SDM 2015-06-19
14:55
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果
浅野孝典柴山茂久竹内和歌奈坂下満男中塚 理財満鎭明名大
Ge1-xSnx半導体のキャリア密度の制御のためには、禁制帯中にacceptor-likeな準位を形成する欠陥の理解と制... [more] SDM2015-50
pp.63-68
SDM 2013-06-18
09:20
東京 機械振興会館 テトラエトキシゲルマニウムによる極薄GeO2膜の形成
吉田鉄兵加藤公彦柴山茂久坂下満男田岡紀之竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
高い駆動力を持つ立体GeチャネルMOSFETの実現には,良好な界面特性を持つhigh-kゲート絶縁膜/Ge構造の形成,お... [more] SDM2013-45
pp.7-11
SDM 2013-06-18
09:40
東京 機械振興会館 Al2O3/Ge構造における酸化機構の解明と界面反応がその特性に及ぼす影響
柴山茂久加藤公彦坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
現在,Al2O3/Ge構造に対するプラズマ酸化で,極薄GeOx界面層の形成により,低界面準位密度(Dit)が実現可能と報... [more] SDM2013-46
pp.13-18
SDM 2012-06-21
10:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈田岡紀之中塚 理財満鎭明名大
高駆動力 Ge MOSFETの実現には,低界面準位密度(Dit)かつ低SiO2換算膜厚を有するhigh-k絶縁膜/Ge構... [more] SDM2012-48
pp.27-32
SDM 2011-07-04
11:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Evaluation of Light Induced Damages in Plasma Process on Electrical Properties of Al2O3/Ge Gate Stack Structure
Kusuman DariWakana TakeuchiKimihiko KatoShigehisa ShibayamaMitsuo SakashitaOsamu NakatsukaShigeaki ZaimaNagoya Univ.
We have investigated the effect of light induced damages on ... [more] SDM2011-57
pp.41-46
SDM 2011-07-04
13:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Al2O3/Ge構造に対する酸素熱処理の界面特性に及ぼす効果
柴山茂久名大)・加藤公彦名大/学振)・坂下満男竹内和歌奈中塚 理財満鎭明名大
次世代CMOSの実現に向けて,低い界面準位密度(<1011 cm-2-eV-1)と低SiO2等価膜厚(1 nm)とを同時... [more] SDM2011-59
pp.51-56
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