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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
10:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 40 nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM
横山佳巧石井雄一郎小嶋英充宮西篤史辻橋良樹朝山 忍柴 和利田中浩二福田達哉新居浩二柳沢一正ルネサス エレクトロニクスSDM2014-74 ICD2014-43
車載マイコン向けの40nmフラッシュ混載プロセスを用いて-40~170℃という広い温度範囲で安定動作可能なSRAMマクロ... [more] SDM2014-74 ICD2014-43
pp.65-70
SDM, ICD
(共催)
2013-08-02
10:25
石川 金沢大学 角間キャンパス 0.72ns高速読出しと50%電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス制御方式の28nmマスクROM
梅本由紀子新居浩二石川次郎薮内 誠塚本康正田中信二田中浩司森 和孝柳沢一正ルネサス エレクトロニクスSDM2013-77 ICD2013-59
高速読出しと消費電力削減を実現する2Tペアビットセル・カラムソース線バイアス(CSB)制御方式を提案する。28nm hi... [more] SDM2013-77 ICD2013-59
pp.59-64
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
13:10
北海道 札幌市男女共同参画センター 薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータ
小野内雅文大津賀一雄五十嵐康人池谷豊人森田貞幸ルネサス エレクトロニクス)・石橋孝一郎電通大)・柳沢一正ルネサス エレクトロニクスSDM2012-82 ICD2012-50
薄膜MOSトランジスタを用いた40nm CMOS高速応答デジタルLDOレギュレータを試作した。試作LDOでは印加電圧緩和... [more] SDM2012-82 ICD2012-50
pp.105-110
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
15:05
東京 機械振興会館 ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現
亀代典史渡部隆夫石井智之峰 利之日立)・佐野聡明ルネサス北日本セミコンダクタ)・伊部英史秋山 悟日立)・柳沢一正一法師隆志岩松俊明高橋保彦ルネサステクノロジSDM2008-136 ICD2008-46
SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実... [more] SDM2008-136 ICD2008-46
pp.47-52
ICD 2006-05-25
13:30
兵庫 神戸大学 90nm世代モバイルSoCの低電力化を実現する階層型多分割電源遮断回路技術
菅野雄介水野弘之日立)・安 義彦廣瀬健志島崎靖久星 聡宮入裕二朗ルネサステクノロジ)・石井敏文日立超LSIシステムズ)・山田哲也日立)・入田隆宏服部俊洋柳沢一正ルネサステクノロジ)・入江直彦日立
 [more] ICD2006-26
pp.25-30
ICD 2005-04-14
09:30
福岡 福岡システムLSI 総合開発センター 書き込みマージンを増加させた低電力SoC向け混載SRAM
山岡雅直日立)・前田徳章ルネサステクノロジ)・篠崎義弘日立超LSIシステムズ)・島崎靖久新居浩二島田 茂柳沢一正ルネサステクノロジ)・河原尊之日立
低電力SoCの消費電力はモバイル機器の電池寿命に大きく影響する。現在のSoCは多くのSRAMモジュールを混載しており、S... [more] ICD2005-2
pp.7-12
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