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 21件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2024-01-31
14:05
東京 金沢工業大学大学院 虎ノ門キャンパス
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]CBA(CMOS Directly Bonded to Array)技術を適用した、インターフェース速度3.2Gbps・プログラム速度205MB/sの高性能3次元フラッシュメモリ
小林茂樹田代健二峯村洋一中上恒平有田幸司大橋貴志キオクシア)・舟山幸太酒井久弥虫賀満輝岡部堅一菅野善宏清水 悟藤倉栄一中江彰宏山口謙介ウエスタンデジタル)・山脇秀之中嶋一明佐藤 充キオクシアSDM2023-77
 [more] SDM2023-77
pp.13-16
ITS, IE
(共催)
ITE-AIT, ITE-HI, ITE-ME, ITE-MMS, ITE-CE
(共催)
(連催) [詳細]
2016-02-22
11:15
北海道 北海道大学 位相回復像群による球殻構造の内部解析
山本大稀市橋克哉塩谷浩之室蘭工大)・広林茂樹富山大)・郷原一寿北大ITS2015-63 IE2015-105
回折イメージングは回折パターンから物体を復元することであり,計算機によるフーリエ位相回復によって実現される.ノイズ混入な... [more] ITS2015-63 IE2015-105
pp.41-46
RCS, IT, SIP
(共催)
2016-01-18
13:40
大阪 関西学院大学(大阪梅田) 偶既約多項式を用いた拡大体の表現
小林茂樹長野高専)・江波戸博之杉村立夫信州大IT2015-64 SIP2015-78 RCS2015-296
有限体の拡大体は既約多項式を用いて表現することができるcite{FF}.今回は偶既約多項式を用いた拡大体の表現とその演算... [more] IT2015-64 SIP2015-78 RCS2015-296
pp.97-100
ITE-ME, ITE-AIT
(共催)
IE
(連催) [詳細]
2015-11-12
13:00
熊本 崇城大学 池田キャンパス 高い周波数分解能解析を用いた局所的な画像修復法
犬塚祐也坂下和樹長谷川昌也廣林茂樹参沢匡将富山大)・塩谷浩之室蘭工大IE2015-73
本報告では,画像復元のための新しい技術を開発する.いくつかのアルゴリズムは,オブジェクト除去または画像復元のために画像の... [more] IE2015-73
pp.1-5
ITE-ME, ITE-AIT
(共催)
IE
(連催) [詳細]
2015-11-12
13:30
熊本 崇城大学 池田キャンパス 高精度周波数解析情報に基づく画像のノイズ除去
坂下和樹犬塚祐也長谷川昌也廣林茂樹参沢匤将富山大IE2015-74
 [more] IE2015-74
pp.7-11
ITE-ME, ITE-AIT
(共催)
IE
(連催) [詳細]
2015-11-13
09:30
熊本 崇城大学 池田キャンパス 位相回復像群による球殻構造の中心推定
市橋克哉山本大稀塩谷浩之室蘭工大)・広林茂樹富山大)・郷原一寿北大IE2015-80
 [more] IE2015-80
pp.35-40
ITE-ME, ITE-AIT
(共催)
IE
(連催) [詳細]
2015-11-13
10:00
熊本 崇城大学 池田キャンパス NHAを利用した低磁場MRIの画像高精細化に関する検証
長谷川昌也廣林茂樹参沢匡将富山大)・森 光一富山大附属病院)・野口 京富山大IE2015-81
近年,磁気共鳴現象を利用した断層撮影技術であるMRIが注目を集めている.MRIでは生体情報を複素信号として取得し,FFT... [more] IE2015-81
pp.41-45
BioX
(第二種研究会)
2013-05-24
17:40
富山 富山県立大学 [ポスター講演]NIRSを用いた前頭前野における価格予測可能性の検討
光田友里恵参沢匡将富山大)・下川哲矢東京理科大)・広林茂樹富山大
近年,ニューロマーケティングと呼ばれる脳情報を用いた消費者の購買心理を探る研究が盛んに行われており,新しいマーケティング... [more]
BioX
(第二種研究会)
2013-05-24
17:40
富山 富山県立大学 [ポスター講演]前頭前野の脳活動を用いたカーソルコントロールのためのBrain-computer interfaceの開発 ~ NIRSとEEGによる検証 ~
三野哲志参沢匡将広林茂樹富山大
近年,脳情報を入力としてユーザの意図を反映するBrain-computer interface(BCI)の研究が盛んに行... [more]
ISEC 2012-05-18
14:15
東京 機械振興会館 奇標数素体上の2^i次原始多項式を構成するための一手法
野上保之高井悠輔岡山大)・小林茂樹長野高専)・杉村立夫信州大)・上原 聡北九州市大ISEC2012-4
本稿では、奇標数$p$の素体$\mathbb{F}_{p}$上の$2^i$次原始多項式を構成するための一手法を示す。具体... [more] ISEC2012-4
pp.19-24
SDM [詳細] 2008-11-14
13:50
東京 機械振興会館 [招待講演][招待講演]ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計
新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹篠原尋史ルネサステクノロジSDM2008-178
微細化によるトランジスタ特性のばらつき増大によって、オンチップSRAMの読み出し・書き込み動作マージンが減少している。こ... [more] SDM2008-178
pp.55-60
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
09:25
東京 機械振興会館 High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ~ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ~
小林茂樹齋藤真澄内田 建東芝SDM2008-129 ICD2008-39
Random Telegraph Noise (RTN)は、現行、又はより微細化された将来のLSIにおいて、MOSFET... [more] SDM2008-129 ICD2008-39
pp.7-10
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
10:30
東京 機械振興会館 プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM
薮内 誠新居浩二塚本康正大林茂樹今岡 進ルネサステクノロジ)・山上由展石倉 聡寺野登志夫里見勝治赤松寛範松下電器)・篠原尋文ルネサステクノロジSDM2008-131 ICD2008-41
微細化によるランダムばらつき増大によって、SRAMの動作マージンが減少している。これを改善するために、抵抗型リードアシス... [more] SDM2008-131 ICD2008-41
pp.17-22
SDM 2008-06-09
16:50
東京 東京大学(生産研 An棟) シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性
齋藤真澄小林茂樹内田 建東芝SDM2008-46
本論文ではシリコン(110)面pMOSFETの基本輸送特性について系統的に調べる。(110)面pFETでは基板面に垂直な... [more] SDM2008-46
pp.23-27
ICD, SDM
(共催)
2007-08-24
16:05
北海道 北見工業大学 同時R/W課題への耐性を有する階層型レプリカビット線技術を用いた45nm2ポート8T-SRAM
石倉 聡車田総希寺野登志夫山上由展粉谷直樹里見勝治松下電器)・新居浩二薮内 誠塚本康正大林茂樹大芦敏行牧野博之篠原尋史ルネサステクノロジ)・赤松寛範松下電器SDM2007-168 ICD2007-96
45nm世代のシステムLSIをターゲットとしたシングルビット線の8T型メモリセルを用いた新規2ポートSRAMを提案する。... [more] SDM2007-168 ICD2007-96
pp.145-148
ICD 2007-04-13
09:40
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]A 65 nm Embedded SRAM with Wafer Level Burn-In Mode, Leak-Bit Redundancy and E-trim Fuse for Known Good Die
Shigeki OhbayashiMakoto YabuuchiKazushi KonoRenesas Technology)・Yuji OdaShikino High-Tech)・Susumu ImaokaRenesas Design)・Keiichi UsuiDaioh Electric)・Toshiaki YonezuTakeshi IwamotoKoji NiiYasumasa TsukamotoMasashi ArakawaTakahiro UchidaHiroshi MakinoKoichiro IshibashiHirofumi ShinoharaRenesas TechnologyICD2007-11
 [more] ICD2007-11
pp.59-64
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
12:05
北海道 北海道大学 超高集積を実現した65nmテクノロジのSoC向けデュアルポートSRAMの開発
今岡 進ルネサスデザイン)・新居浩二ルネサステクノロジ)・増田康浩ルネサスデザイン)・薮内 誠塚本康正大林茂樹五十嵐元繁冨田和朗坪井信生牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
65nmテクノロジを適用した高密度の8T-dual-port(DP)-SRAMを開発した。プライオリティー行デコーダとビ... [more] SDM2006-148 ICD2006-102
pp.133-136
ICD, SDM
(共催)
2006-08-18
14:35
北海道 北海道大学 65nm混載SRAMでの動作マージン改善回路
薮内 誠大林茂樹新居浩二塚本康正ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・五十嵐元繁竹内雅彦川島 光牧野博之山口泰男塚本和宏犬石昌秀石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] SDM2006-151 ICD2006-105
pp.149-153
ED 2006-08-03
14:40
大阪 大阪大学 コンベンションセンター BNを成膜したCNTエミッタの電界放射特性
森久祐司小林 巧林 茂樹島津製作所)・秋田成司中山喜萬阪府大)・由川 真木村千春青木秀充杉野 隆阪大
 [more] ED2006-121
pp.21-26
ICD 2006-04-14
13:50
大分 大分大学 局所的な閾値電圧ばらつきに対するSRAM安定動作解析手法について
塚本康正新居浩二ルネサステクノロジ)・今岡 進ルネサスデザイン)・小田祐士シキノハイテック)・大林茂樹薮内 誠牧野博之石橋孝一郎篠原尋史ルネサステクノロジ
 [more] ICD2006-18
pp.97-102
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