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 21件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICSS 2020-11-26
13:00
ONLINE オンライン開催 [招待講演]ニーソックス2020冬のオススメトレンド
柏崎礼生田中秀樹安藤類央劉 佳Shahata Nader林 正治木村優介高倉弘喜NIIICSS2020-19
 [more] ICSS2020-19
pp.1-6
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2019-11-15
14:15
愛媛 愛媛県男女共同参画センター SOIウェハの直接接合を用いた3層構造リングオシレータとイメージセンサの試作
後藤正英NHK)・本田悠葵NHKエンジニアリングシステム)・渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治東大)・日暮栄治産総研)・年吉 洋平本俊郎東大ICD2019-38 IE2019-44
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造イメージセンサの... [more] ICD2019-38 IE2019-44
pp.45-49
SDM 2019-11-07
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討
小林正治莫 非多川友作更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-69
 [more] SDM2019-69
pp.5-8
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-08
10:00
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 極値理論を利用した最大SRAMデータ保持電圧の統計解析
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2019-41 ICD2019-6
最大SRAMデータ保持電圧 (DRV) の推定に極値理論を応用した.65nm技術で作製したバルク6T-SRAM デバイス... [more] SDM2019-41 ICD2019-6
pp.27-30
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2019-08-09
09:30
北海道 北海道大学 情報科学院 3F A31 [招待講演]極薄IGZOチャネルを有する強誘電体トランジスタメモリの検討
小林正治莫 非多川友作金 成吉安 珉柱更屋拓哉平本俊郎東大SDM2019-45 ICD2019-10
強誘電体HfO2の発見によりCMOSプロセスとの整合性の高さが注目され強誘電体メモリが低消費電力メモリとして再び注目を集... [more] SDM2019-45 ICD2019-10
pp.59-62
VLD, DC, IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB
(連催)
CPSY, IPSJ-ARC
(連催)
CPM, ICD, IE
(共催)
RECONF
(併催) [詳細]
2018-12-07
15:15
広島 サテライトキャンパスひろしま 画素単位の3次元集積化技術を用いたリニア広ダイナミックレンジ出力QVGAイメージセンサ
後藤正英本田悠葵渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治日暮栄治年吉 洋平本俊郎東大CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76
超高精細と高フレームレートとを両立する次世代のイメージセンサを目指して,画素並列信号処理を行う3次元構造CMOSイメージ... [more] CPM2018-97 ICD2018-58 IE2018-76
pp.43-48
QIT
(第二種研究会)
2018-11-26
13:30
東京 東京大学 [ポスター講演]多量子ビット化実現に向けたスケーラブルな積層構造型シリコン量子ビットの提案
伊藤優希小林正治平本俊郎東大
シリコン量子ビットの多量子ビット化に向けて積層構造型シリコン量子ビットを提案する。提案するシリコン量子ビットは量子ビット... [more]
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
09:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs
Shuang GaoTomoko MizutaniKiyoshi TakeuchiMasaharu KobayashiToshiro HiramotoUniv. TokyoSDM2018-37 ICD2018-24
We present a new finding that subthreshold slope (SS) variab... [more] SDM2018-37 ICD2018-24
pp.65-70
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2018-49 ICD2018-36
ランダムしきい値電圧 (VTH) ばらつきにより劣化したSRAMセルの安定性を向上させる「安定性自己修復技術」において,... [more] SDM2018-49 ICD2018-36
pp.121-126
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
14:10
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 強誘電体HfO2 FTJの高TER化と多値化のためのデバイスおよびプロセス設計
小林正治多川友作バク ヒ平本俊郎東大SDM2018-50 ICD2018-37
 [more] SDM2018-50 ICD2018-37
pp.127-130
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
09:00
北海道 北海道大学情報教育館 [招待講演]ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM
小林正治上山 望平本俊郎東大SDM2017-37 ICD2017-25
 [more] SDM2017-37 ICD2017-25
pp.45-48
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-08-01
09:45
北海道 北海道大学情報教育館 不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM
水谷朋子竹内 潔更屋拓哉東大)・篠原尋史早大)・小林正治平本俊郎東大SDM2017-38 ICD2017-26
通常のSRAMアレイを利用した一括書き込み・読み出し可能な不揮発性メモリを提案する.記憶させたい情報を反転してからセルに... [more] SDM2017-38 ICD2017-26
pp.49-54
SDM 2017-01-30
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2
小林正治上山 望蒋 京珉平本俊郎東大SDM2016-132
 [more] SDM2016-132
pp.9-12
ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2017-01-31
10:55
広島 みやじま杜の宿(広島) [招待講演]強誘電性HfO2を用いた負性容量トランジスタの動作速度に関する実験検討
小林正治上山 望蒋 京珉平本俊郎東大EMD2016-79 MR2016-51 SCE2016-57 EID2016-58 ED2016-122 CPM2016-123 SDM2016-122 ICD2016-110 OME2016-91
 [more] EMD2016-79 MR2016-51 SCE2016-57 EID2016-58 ED2016-122 CPM2016-123 SDM2016-122 ICD2016-110 OME2016-91
pp.51-54
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
10:30
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス [招待講演]SOI基板の直接接合を用いた画素並列信号処理3次元構造CMOSイメージセンサの開発
後藤正英本田悠葵渡部俊久萩原 啓難波正和井口義則NHK)・更屋拓哉小林正治日暮栄治年吉 洋平本俊郎東大CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74
 [more] CPM2016-79 ICD2016-40 IE2016-74
pp.17-21
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
15:05
大阪 中央電気倶楽部 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきおよびデバイス内ばらつき
水谷朋子竹内 潔鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2016-67 ICD2016-35
超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるDIBLばらつきを測定し,統計解析を行った.線幅が2nmまで減少すると,DI... [more] SDM2016-67 ICD2016-35
pp.123-126
ICD, SDM
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2016-08-03
15:30
大阪 中央電気倶楽部 負性容量によるトンネルFETの性能向上に関する検討
小林正治チャン キュンミン上山 望平本俊郎東大SDM2016-68 ICD2016-36
センサーネットワークを構成するIoTデバイスには,エナジーハーベスティング技術を利用して超低電圧・超低消費電力で動作する... [more] SDM2016-68 ICD2016-36
pp.127-130
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
11:45
熊本 熊本市 [招待講演]負性容量による急峻スロープトランジスタ(NCFET)の設計指針
小林正治平本俊郎東大SDM2015-60 ICD2015-29
 [more] SDM2015-60 ICD2015-29
pp.15-18
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
10:55
熊本 熊本市 [招待講演]high-k添加シングルp+Polyゲートを用いた超低リーク用途向け薄膜BOX-SOI CMOS
山本芳樹槇山秀樹山下朋弘尾田秀一蒲原史朗山口泰男ルネサス エレクトロニクス)・杉井信之日立)・水谷朋子小林正治平本俊郎東大SDM2015-67 ICD2015-36
薄膜BOX-SOI (SOTB: Silicon on Thin Buried oxide)を用いた超低リークアプリケー... [more] SDM2015-67 ICD2015-36
pp.53-57
SDM, ICD
(共催)
2015-08-25
11:45
熊本 熊本市 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧および電流ばらつき
水谷朋子棚橋裕麻鈴木龍太更屋拓哉小林正治平本俊郎東大SDM2015-68 ICD2015-37
 [more] SDM2015-68 ICD2015-37
pp.59-62
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