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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
10:55
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール
鈴木周平林 家弘三宅秀人平松和政三重大)・福山博之東北大ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101
pp.5-9
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-19
13:00
愛知 名古屋大学 VBL アンモニアベース有機金属分子線エピタキシーによるGaNの横方向成長
内山翔太林 家弘阿部亮太丸山隆浩成塚重弥名城大ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21
アンモニアベース有機金属分子線エピタキシー(MOMBE)を用いGaNの選択成長をおこなった。成長温度は860℃と一定に保... [more] ED2011-8 CPM2011-15 SDM2011-21
pp.39-43
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