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すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| CPM | 2012-10-27 11:25 |
新潟 | まちなかキャンパス長岡 | 電界遮蔽効果と直列抵抗を同時に考慮した電界電子放出特性の検討 ○浅田裕司・山下将弘・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大）  CPM2012-109 |
ナノカーボン材料を用いた冷陰極の開発を目的に，絶縁膜中にカーボンナノチューブ(CNT)を分散させた構造を提案し，CNT濃... [more] | CPM2012-109 pp.87-90 |
| CPM | 2011-10-27 09:55 |
福井 | 福井大学 産学官連携本部研修室 | TEOSを原料とするCVD法によるSiO2/SiC MOS構造の作製 ○逸見充則・井口裕哉・酒井崇史・杉田暁彦・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2011-119 |
TEOSを使用した熱CVD法により、SiC表面に酸化膜を堆積させた。酸化膜堆積後、N$_2$雰囲気中でアニールを行い、さ... [more] | CPM2011-119 pp.51-54 |
| CPM | 2011-08-10 13:50 |
青森 | 弘前大学 文京町キャンパス | SiC表面の直接窒化と窒化層/SiC界面特性の評価 酒井崇史・逸見充則・村田裕亮・鈴木真一郎・山上朋彦・林部林平・○上村喜一（信州大） CPM2011-58 |
SiC基板表面に直接窒化法により窒化層を製膜し，これを堆積法による酸化膜との界面制御層として使用することにより良好な界面... [more] | CPM2011-58 pp.11-14 |
| CPM | 2010-10-28 15:15 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | 反応性スパッタ法によるCuMO2薄膜の作製と評価 ○小川 翼・横本拓也・林部林平・阿部克也（信州大） |
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| CPM | 2010-10-29 09:00 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | グラファイト触媒を用いたHW-CVD法によるSiC薄膜の低温形成 ○坂口優也・中村嘉孝・有馬 潤・森山和久・林部林平・阿部克也（信州大） CPM2010-99 |
グラファイト触媒を用いたHW-CVD法により、p-Si(001)及びガラス基板上へのSiC薄膜の低温形成を試みた。 原... [more] |
CPM2010-99 pp.43-46 |
| CPM | 2010-10-29 09:25 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | 直接窒化法で形成したSiC表面窒化層の厚さと界面特性の評価 ○鈴木真一郎・村田裕亮・逸見充則・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2010-100 |
純N$_{2}$またはNH$_{3}$雰囲気での直接窒化法を用いて，SiC表面上に窒化層を形成させた．形成させた窒化層表... [more] | CPM2010-100 pp.47-50 |
| CPM | 2010-10-29 09:50 |
長野 | 信州大学 工学部 地域共同研究センター３階研修室 | MIS型ショットキー接触の電流電圧特性を利用した窒化膜/SiC界面特性の評価 ○村田裕亮・鈴木真一郎・小林尚平・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2010-101 |
n型SiC上にNH_3による直接窒化法で窒化膜を形成してMIS構造を作製した。電流電圧特性から理想係数nを求めた。得られ... [more] | CPM2010-101 pp.51-54 |
| CPM | 2010-07-29 13:30 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 | RFスパッタリングによるCuInO2薄膜の作製と熱処理効果の検討 ○小川 翼・横本拓也・林部林平・山上朋彦・阿部克也（信州大） |
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| CPM | 2010-07-30 10:55 |
北海道 | 道の駅しゃり 会議室 | 水平配向したカーボンナノチューブからの電界電子放出 斉藤裕史・山上朋彦・林部林平・大池 匠・山下将弘・○上村喜一（信州大） CPM2010-39 |
陰極表面に対して水平に配置されたカーボンナノチューブ（CNT）からの電界電子放出特性を検討するために無限長直線電荷と同時... [more] | CPM2010-39 pp.45-48 |
| CPM | 2009-10-29 15:50 |
富山 | 富山県立大学 | 反応性RFスパッタリングによるCuInO2薄膜の作製と評価 ○小川 翼・倉石央騎・小林由貴・山上朋彦・林部林平・阿部克也（信州大） |
銅ターゲットとインジウムターゲットを組み合わせた複合ターゲットを用い、酸素を反応性ガスとした反応性RFマグネトロンスパッ... [more] | |
| CPM | 2009-10-29 16:15 |
富山 | 富山県立大学 | 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブを用いた冷陰極の試作と評価 ○斉藤裕史・萩野達也・松本純樹・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2009-93 |
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、電界増幅係数を高く保ったまま安定な冷陰極を構成できることを提案した... [more] | CPM2009-93 pp.17-20 |
| CPM | 2009-08-10 15:30 |
青森 | 弘前大学 | 直接窒化膜を界面制御層に用いたSiCMIS構造の作製 鈴木真一郎・仙石 昌・辻 拓真・逸見充則・村田裕亮・山上朋彦・林部林平・○上村喜一（信州大） CPM2009-35 |
MIS型ショットキーダイオードの電流電圧特性から、窒化膜／SiC構造の界面準位密度を概算した。界面準位密度はおよそ$10... [more] | CPM2009-35 pp.9-12 |
| CPM | 2008-10-31 11:20 |
新潟 | 新潟大学 | 絶縁体中に分散させたカーボンナノチューブにより作製した電子放出源 ○斉藤裕史・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2008-87 |
絶縁体中にカーボンナノチューブを分散させることにより、高効率な電子放出源を作製することを提案した。導体表面に垂直配向させ... [more] | CPM2008-87 pp.71-74 |
| CPM | 2008-08-04 14:25 |
北海道 | 室蘭工業大学 | スパッタ法により作製した炭素薄膜の電界電子放出特性 ○宮崎 慶・田口義之・斉藤裕史・宮永琢也・山上朋彦・林部林平・上村喜一（信州大） CPM2008-42 |
スパッタ堆積した炭素薄膜の電界電子放出特性について検討した．比較的高い圧力下で堆積することにより，閾値電界の低い電界電子... [more] | CPM2008-42 pp.5-8 |
| CPM | 2007-11-17 10:15 |
新潟 | 長岡技術科学大学 | バイアス印加RFプラズマ窒化法によるSiC-MIS構造の作製 ○石田芳樹・陳 晨・萩原正宜・塩沢宏章・仙石 昌・林部林平・山上朋彦・上村喜一（信州大） CPM2007-118 |
我々はこれまでにRFプラズマ窒化法によりSiC表面に窒化絶縁膜を形成してSiC-MIS構造を作製する方法を提案し，窒化膜... [more] | CPM2007-118 pp.69-72 |
| CPM | 2006-11-09 15:45 |
石川 | 金沢大学 | 反応性スパッタ法によるAlN薄膜の作製とLD用サブマウントへの応用 ○塩野晃宏・中久木政秀・小林勲生・山上朋彦・林部林平（信州大）・小畑元樹（シチズンファインテック）・阿部克也・上村喜一（信州大） |
[more] | CPM2006-118 pp.31-35 |
| ED, CPM, LQE (共催) |
2006-10-06 16:00 |
京都 | 京都大学 | SiC表面の直接窒化とXPSによる窒化層の評価 山口哲生・石田芳樹・陳 晨・萩原正宜・林部林平・山上朋彦・阿部克也・○上村喜一（信州大） |
[more] | ED2006-173 CPM2006-110 LQE2006-77 pp.113-116 |
| CPM | 2005-11-11 15:10 |
福井 | 福井大学 | プラズマ窒化法による6H-SiC窒化絶縁膜の作製と評価 ○山口哲生・劉 穎慎・石田芳樹・山上朋彦・林部林平・阿部克也・上村喜一（信州大） |
SiCのMOSデバイス応用において大きな問題となっている熱酸化膜中の炭素起因欠陥を抑制し，良質なMIS構造を形成すること... [more] | CPM2005-156 pp.25-28 |
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