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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
10:45
京都 京都大学 高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構 ~ 抵抗率のドープ量及び温度依存性 ~
小澤愼二竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-12 SDM2017-73
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化が必要不可欠である.高濃度Alドープ4H... [more] EID2017-12 SDM2017-73
pp.5-8
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:00
京都 京都大学 高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性 ~ ホール係数の反転と伝導機構との関係 ~
西畑凜哉竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二日高淳輝松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-13 SDM2017-74
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,基板であるp+型SiCの低抵抗率化が必要不可欠である.Al濃度が1... [more] EID2017-13 SDM2017-74
pp.9-12
SDM, EID
(共催)
2017-12-22
11:15
京都 京都大学 Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性 ~ Alドープとコドープの抵抗率の温度依存性の比較 ~
日高淳輝竹下明伸今村辰哉高野晃大奥田和也小澤愼二松浦秀治阪電通大)・紀 世陽江藤数馬児島一聡加藤智久吉田貞史奥村 元産総研EID2017-14 SDM2017-75
オン抵抗の低いSiC nチャネルIGBTの実用化には,p型SiC基板の低抵抗率化と高品質化が必要不可欠である.高濃度A... [more] EID2017-14 SDM2017-75
pp.13-16
SDM 2012-12-07
10:30
京都 京都大学(桂) 電子線照射によるSiCの正孔の各種散乱機構の変化
村田耕司森根達也松浦秀治阪電通大)・小野田 忍大島 武原子力機構SDM2012-117
Si (Silicon) に比べ,放射線耐性及び絶縁破壊電界が大きいSiC (Silicon Carbide) は,次世... [more] SDM2012-117
pp.13-18
SDM 2012-12-07
13:45
京都 京都大学(桂) 低価格に適したX線検出素子(Silicon Drift Detector)の提案
岡田亮太松谷一輝松浦秀治阪電通大SDM2012-126
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられ,有害物質検査の短時間化を計るために,可搬できる蛍光X線検出器が望... [more] SDM2012-126
pp.65-70
SDM 2011-12-16
11:20
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 放電電流過渡分光法を用いた犠牲酸化処理された高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価
西川誠二岡田亮太松浦秀治阪電通大SDM2011-136
当研究室で提案している放電電流過渡分光法 (DCTS: Discharge Current Transient Spec... [more] SDM2011-136
pp.23-28
SDM 2011-12-16
15:40
奈良 奈良先端科学技術大学院大学 SiO2/Si界面の固定電荷による影響を低減したX線検出素子の最適な構造の提案
岡田亮太西川誠二松浦秀治阪電通大SDM2011-144
環境問題への関心の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている.現地で極微量の有害物質を検査するために,低価格で可... [more] SDM2011-144
pp.65-70
SDM 2010-12-17
10:20
京都 京都大学(桂) X線検出素子(Silicon Drift Detector)用Si基板の高抵抗率化 ~ シミュレーションによる評価 ~
北野谷征吾西川誠二松浦秀治阪電通大SDM2010-186
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている.有害物質検査の短時間化を計るために,可搬できる蛍光X線検出... [more] SDM2010-186
pp.7-12
SDM 2010-12-17
14:10
京都 京都大学(桂) 放電電流過渡分光法を用いた高純度半絶縁性4H-SiCの欠陥評価における犠牲酸化処理の効果
西川誠二北野谷征吾松浦秀治阪電通大SDM2010-194
低抵抗率半導体の欠陥評価として過渡容量法が有用であるが,半絶縁性半導体には適用できないため,過渡電流法の1つである放電電... [more] SDM2010-194
pp.51-56
SDM 2010-12-17
14:30
京都 京都大学(桂) 200keV電子線照射による4H-SiCエピ膜中の多数キャリア密度の変化
野尻琢慎西野公三柳澤英樹松浦秀治阪電通大)・小野田 忍大島 武原子力機構SDM2010-195
添加量の異なるAl-doped 4H-SiC及びN-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射した場合... [more] SDM2010-195
pp.57-62
SDM 2009-12-04
10:00
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化
野尻琢慎柳澤英樹明神善子松浦秀治阪電通大)・大島 武原子力機構SDM2009-153
電子線を照射したAl-doped 6H-SiCエピ膜に対して、van der pauw法を用いたホール効果測定により得ら... [more] SDM2009-153
pp.11-16
SDM 2009-12-04
10:20
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 ~ ドープ量依存性 ~
柳澤英樹西野公三野尻琢慎松浦秀治阪電通大)・大島 武原子力機構SDM2009-154
SiC中のC原子のみを変位させる200keVの電子線照射が,Al-doped 4H-SiCとN-doped 4H-SiC... [more] SDM2009-154
pp.17-22
SDM 2009-12-04
10:40
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について
西野公三柳澤英樹野尻琢慎松浦秀治阪電通大)・大島 武原子力機構SDM2009-155
(事前公開アブストラクト) Al-doped 4H-SiCエピ膜に200 keVの電子線を照射する事でAl-doped ... [more] SDM2009-155
pp.23-28
SDM 2009-12-04
13:30
奈良 奈良先端大 物質創成科学研究科 X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化 ~ シミュレーションによる評価 ~
北野谷征吾三宅貴之谷口征大松浦秀治阪電通大SDM2009-160
環境問題の高まりから有害物質に対する規制が多く設けられている.有害物質検査の短時間化を計るために,その場検査のできる可搬... [more] SDM2009-160
pp.49-54
SDM 2008-12-05
10:50
京都 京都大学桂キャンパスA1-001 X線検出素子(Silicon Drift Detector)の簡素化と高エネルギーX線の感度向上を目指した研究
松浦秀治高橋美雪小原一徳山本和代前田健寿加川義隆阪電通大SDM2008-185
ペルチェ冷却で動作するX線検出素子であるSilicon Drift Detector(SDD)は,X線で発生した電子を効... [more] SDM2008-185
pp.5-10
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