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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2009-06-19
15:10
東京 東京大学(生産研An棟) 低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討
諸岡 哲松木武雄三瀬信行神山 聡生田目俊秀栄森貴尚奈良安雄由上二郎池田和人大路 譲半導体先端テクノロジーズ
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係... [more] SDM2009-38
pp.67-70
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