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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2023-04-10 09:30 |
神奈川 | 川崎市産業振興会館10階第４会議室 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
［依頼講演］CAAC-IGZO FET と 0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いた1T1C FeRAM ○遠藤正己・沼田至優・大嶋和晃・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川 努・國武寛司（半導体エネルギー研）・小林正治（東大）・山崎舜平（半導体エネルギー研） |
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| SDM | 2023-01-30 13:40 |
東京 | 機械振興会館（B3-1） | ［招待講演］高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM ○大嶋和晃・遠藤正己・沼田至優・恵木勇司・井坂史人・大野敏和・手塚祐朗・濱田俊樹・古谷一馬・津田一樹・松嵜隆徳・大貫達也・村川 努・國武寛司（半導体エネルギー研）・小林正治（東大）・山﨑舜平（半導体エネルギー研）  SDM2022-80 |
酸化物半導体電界効果トランジスタとHfO2 系キャパシタを用いて強誘電体メモリを試作した。 HfO2系キャパシタの下部... [more] |
SDM2022-80 pp.5-8 |
| ICD | 2015-04-17 10:50 |
長野 | 信州大学 | ［招待講演］Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ ○松嵜隆徳・大貫達也・長塚修平・井上広樹・石津貴彦・家田義紀・坂倉真之・熱海知昭・塩野入 豊・加藤 清・奥田 高・山元良高（半導体エネルギー研）・藤田昌宏（東大）・小山 潤・山崎舜平（半導体エネルギー研） ICD2015-9 |
c軸配向した結晶性In-Ga-Zn oxide (CAAC-IGZO) FETを用いたnonvolatile oxide... [more] | ICD2015-9 pp.39-44 |
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