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 19件中 1~19件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
R, LQE, OPE, CPM, EMD
(共催)
2020-08-28
14:25
ONLINE オンライン開催 [招待講演]100 Gbit/s PAM4伝送距離の長延化に向けた垂直入射型APDの高速高感度化技術
辰己詔子名田允洋吉松俊英神田 淳中西泰彦中島史人松崎秀昭佐野公一NTTR2020-14 EMD2020-13 CPM2020-6 OPE2020-26 LQE2020-6
 [more] R2020-14 EMD2020-13 CPM2020-6 OPE2020-26 LQE2020-6
pp.25-28
ED, MW
(共催)
2020-01-31
14:10
東京 機械振興会館 地下3階6号室 [特別講演]THzイメージングに向けた高精度かつ高速な誘電率測定システム
徐 照男濱田裕史松崎秀昭野坂秀之NTTED2019-100 MW2019-134
テラヘルツ波の位相情報を用いた誘電率イメージングは非金属物を検出する有効な手段の一つであり、食品異物検査等の非破壊検査へ... [more] ED2019-100 MW2019-134
pp.35-40
ED, THz
(共催) [詳細]
2019-12-23
16:20
宮城 東北大学・電気通信研究所 テラヘルツ動作IC実現に向けたInPウェハレベル裏面配線プロセス
堤 卓也濱田裕史杉山弘樹野坂秀之松崎秀昭NTTED2019-82
近年InP-HEMT やInP-HBT によるサブミリ波帯集積回路(SMMIC: Submillimeter-wave ... [more] ED2019-82
pp.23-28
OPE, LQE, OCS
(共催)
2019-11-11
16:20
東京 機械振興会館 [特別招待講演]SOA集積電界吸収型光変調光源(AXEL)による106Gbit/s PAM4 60 km伝送
進藤隆彦藤原直樹金澤 慈名田允洋吉松俊英神田 淳陳 明晨大礒義孝佐野公一松崎秀昭NTTOCS2019-58 OPE2019-96 LQE2019-74
(事前公開アブストラクト) 高出力パワーを特徴とするAXELチップと、高感度を特徴とするAPDチップを用いファイバアンプ... [more] OCS2019-58 OPE2019-96 LQE2019-74
pp.33-36
MW, ED
(共催)
2019-01-18
13:00
東京 日立中研 [依頼講演]光通信・無線通信向け超高速IC技術
野坂秀之長谷宗彦濱田裕史徐 照男脇田 斉堤 卓也杉山弘樹武藤美和井田 実松崎秀昭NTTED2018-84 MW2018-151
 [more] ED2018-84 MW2018-151
pp.79-84
LQE, OPE, SIPH
(共催)
2018-12-06
15:50
東京 慶應義塾大学 [招待講演]2-um-band tunable laser for CO2 gas sensing
Yuta UedaTakahiko ShindoTakuya KanaiMakoto ShimokozonoNaoki FujiwaraNTT)・Hiroyuki Ishiiformer NTT)・Hideaki MatsuzakiNTTOPE2018-104 LQE2018-114 SIPH2018-20
 [more] OPE2018-104 LQE2018-114 SIPH2018-20
pp.35-38
AP, MW
(併催)
2018-09-20
14:55
東京 東京工業大学 InP-HEMTによる300 GHz帯 100 Gb/sトランシーバ
濱田裕史NTT)・藤村拓弥アブド イブラヒム岡田健一東工大)・堤 卓也ソン ホジン杉山弘樹松崎秀昭野坂秀之NTTMW2018-60
5Gの次世代技術として,データレート100 Gb/sを実現するような無線システムの研究が進められている.ミリ波・THz帯... [more] MW2018-60
pp.7-12
ED, MW
(共催)
2018-01-25
16:35
東京 機械振興会館地下3階研修2号室 SiC放熱基板によるInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタの高周波特性の改善
白鳥悠太星 拓也井田 実松崎秀昭NTTED2017-96 MW2017-165
基板接合技術を用いてSiC放熱基板上にAuサブコレクタ層を介してInP系ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ(DHBT... [more] ED2017-96 MW2017-165
pp.15-18
ED, THz
(共催)
2017-12-19
15:35
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 高速THz波帯誘電率測定システム
徐 照男濱田裕史松崎秀昭野坂秀之NTTED2017-92
 [more] ED2017-92
pp.77-80
LQE, LSJ
(共催)
2017-05-26
14:10
石川 山代温泉葉渡莉 28-Gbit/s 80-km伝送の実現に向けた1.3 μm帯SOA集積型EADFBレーザ(AXEL)
進藤隆彦小林 亘長谷部浩一藤原直樹吉松俊英金澤 慈大野哲一郎三条広明大礒義孝石井啓之曽根由明松崎秀昭NTTLQE2017-17
 [more] LQE2017-17
pp.69-72
ED 2016-12-19
14:00
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 [招待講演]Evaluation of transistor performance in single and double δ-doping in InP-based high-electron-mobility transistors with MOVPE-grown InAs/In0.8Ga0.2As quantum-well
Amine El MoutaouakilHiroki SugiyamaHideaki MatsuzakiNTTED2016-80
 [more] ED2016-80
pp.1-5
LQE, OPE, OCS
(共催)
2016-10-28
11:30
宮崎 宮崎市民プラザ(宮崎) 高速APDによる56Gbit/s 40km伝送
名田允洋星 拓也松崎秀昭NTTOCS2016-50 OPE2016-91 LQE2016-66
(事前公開アブストラクト) 高速APDによる、56Gbit/s NRZ信号の光アンプレス40km伝送に成功したので報告す... [more] OCS2016-50 OPE2016-91 LQE2016-66
pp.87-90
EMT, MW, OPE, MWP, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2015-07-16
16:35
北海道 釧路市生涯学習センター [招待講演]有無線通信を支える高速受光デバイスの最新技術動向
名田允洋吉松俊英松崎秀昭NTTEMT2015-19 MW2015-57 OPE2015-31 EST2015-23 MWP2015-22
 [more] EMT2015-19 MW2015-57 OPE2015-31 EST2015-23 MWP2015-22
pp.61-64
LQE, OPE
(共催)
2015-06-19
16:15
東京 機械振興会館 APDの高線形化と28Gbaud PAM4動作への応用
名田允洋星 拓也山崎裕史横山春喜橋本俊和松崎秀昭NTTOPE2015-19 LQE2015-29
光通信用高速アバランシェフォトダイオード(APD)の高線形化について議論する。今回提案するAPDは、光吸収層における正孔... [more] OPE2015-19 LQE2015-29
pp.43-46
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-22
11:30
北海道 小樽経済センター 垂直入射型アバランシェフォトダイオードの高速化・高信頼化技術
名田允洋横山春喜村本好史松崎秀昭NTTR2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45
 [more] R2014-41 EMD2014-46 CPM2014-61 OPE2014-71 LQE2014-45
pp.91-94
ED, MW
(共催)
2014-01-17
13:30
東京 機械振興会館 F帯全帯域動作MMICミキサの設計法
濱田裕史小杉敏彦松崎秀昭杉山弘樹野坂秀之NTTED2013-129 MW2013-194
F帯フルカバースペクトル分析器応用に向けた,MMICミキサの設計・試作結果について報告する.今回,InP-HEMTを用い... [more] ED2013-129 MW2013-194
pp.109-113
LQE, OCS, OPE
(共催)
2013-10-25
11:15
福岡 門司港・海峡ロマンホール 25Gbit/s級InAlAsアバランシェフォトダイオードの高性能化
名田允洋村本好史横山春喜石橋忠夫松崎秀昭NTTOCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85
 [more] OCS2013-69 OPE2013-115 LQE2013-85
pp.99-102
ED 2011-12-14
15:50
宮城 東北大学 電気通信研究所 片平キャンパス内 ナノ・スピン総合研究棟 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ ~ 小型パッシブイメージングシステムへ向けて ~
小杉敏彦杉山弘樹松崎秀昭村田浩一NTTED2011-105
 [more] ED2011-105
pp.31-34
ED 2007-06-15
16:15
富山 富山大学 MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード
杉山弘樹松崎秀昭小田康裕横山春喜榎木孝知小林 隆NTTED2007-38
MOVPE法を用いてIn0.8Ga0.2As井戸層とAlAs障壁層を有するInP系共鳴トンネルダイオード(RTD)を作製... [more] ED2007-38
pp.39-43
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