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 41件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, OPE, OCS
(共催)
2023-11-24
16:55
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]マイクロトランスファープリンティング法による薄膜LNプラットフォーム上メンブレン光デバイス
前田圭穂西 英隆Nikolaos-Panteleimon Diamantopoulos藤井拓郎相原卓磨山岡 優開 達郎武田浩司瀬川 徹NTT)・太田泰友慶大)・岩本 敏荒川泰彦東大)・松尾慎治NTTOCS2023-56 OPE2023-106 LQE2023-53
マイクロトランスファープリンティング法を用いて、薄膜LN導波路・マッハツェンダ型変調器とメンブレンレーザ・SOAをヘテロ... [more] OCS2023-56 OPE2023-106 LQE2023-53
pp.34-36
OCS, LQE, OPE
(共催)
2023-10-19
13:50
高知 高知共済会館 COMMUNITY SQUARE
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
SiC基板上メンブレンレーザへのスポットサイズ変換器集積 ~ ファイバ結合光出力増大とファイバアンプフリー100 GBaud信号伝送 ~
山岡 優相原琢磨ニコラウスーパデレイモン ディアマドプロス西 英隆藤井拓郎前田圭穂杉山弘樹開 達郎武田浩司瀬川 徹松尾慎治NTTOCS2023-31 OPE2023-86 LQE2023-33
これまでにSiC基板上メンブレンレーザは最高速の直接変調を実現しているが,SiCの屈折率は2.6と比較的高いため,$Si... [more] OCS2023-31 OPE2023-86 LQE2023-33
pp.24-27
OPE, OCS, LQE
(共催)
2022-10-21
14:35
愛媛 松山市民会館 小ホール
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
5um活性層長オンシリコンDBRレーザの直接変調低エネルギー動作
菅野絵理奈武田浩司藤井拓郎硴塚孝明松尾慎治NTTOCS2022-36 OPE2022-82 LQE2022-45
チップ間通信のような短距離通信に光インターコネクトを導入するため、極低消費電力で動作する光源が求められている。そこで我々... [more] OCS2022-36 OPE2022-82 LQE2022-45
pp.100-103
EMD, R, LQE, OPE, CPM
(共催)
2022-08-26
15:40
千葉 千葉工業大学津田沼キャンパス + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]光電子融合に向けたシリコン基板上メンブレン光デバイスの進展
前田圭穂開 達郎相原卓磨藤井拓郎佐藤具就土澤 泰瀬川 徹松尾慎治NTTR2022-30 EMD2022-18 CPM2022-35 OPE2022-61 LQE2022-24
光電融合デバイスの実現に向けて、ウェハ接合によって Si光回路上に集積されたメンブレン InP系 光デバイスの研究が進展... [more] R2022-30 EMD2022-18 CPM2022-35 OPE2022-61 LQE2022-24
pp.70-73
OPE, LQE, OCS
(共催)
2022-05-13
16:05
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]光集積システムに向けた高効率光電変換素子
新家昭彦野崎謙悟北 翔太NTT)・石原 亨名大)・松尾慎治納富雅也NTTOCS2022-7 OPE2022-7 LQE2022-7
ムーアの終焉が議論される中、光のデータチャネルとしての広帯域性・超並列性、及び光素子の超高速性への期待から、光による情報... [more] OCS2022-7 OPE2022-7 LQE2022-7
pp.26-29
OCS, CS
(併催)
2022-01-14
15:15
山口 KDDI維新ホール 会議室(204A・B)
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]低消費電力シリコン基板上メンブレン光デバイス
松尾慎治NTTCS2021-75
(事前公開アブストラクト) 光インターコネクションの短距離化にむけて低消費電力な光デバイスの開発が重要になってきている。... [more] CS2021-75
pp.48-51
LQE, OCS, OPE
(共催)
2021-02-18
17:20
ONLINE オンライン開催 [特別招待講演]Siプラットフォーム上薄膜InGaAsP電界吸収型変調器
開 達郎相原卓磨前田圭穂藤井拓郎土澤 泰NTT)・髙畑清人硴塚孝明早大)・松尾慎治NTTOCS2020-41 OPE2020-73 LQE2020-79
 [more] OCS2020-41 OPE2020-73 LQE2020-79
pp.5-9
EMT, MWP, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2021-01-21
13:50
ONLINE オンライン開催 [招待講演]薄膜型半導体レーザおよびフォトニック結晶レーザの低消費電力動作
武田浩司松尾慎治NTTPN2020-35 EMT2020-53 MWP2020-36
短距離光インターコネクト用の光源して、Si基板で動作る低消費電力レーザが求められている。本招待論文では、我々の近年のSi... [more] PN2020-35 EMT2020-53 MWP2020-36
pp.32-36
OCS, OPE, LQE
(共催)
2018-11-12
17:15
東京 機械振興会館 [特別招待講演]Si基板上薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器
開 達郎相原卓磨武田浩司藤井拓郎硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTOCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85
(事前公開アブストラクト) Si基板上に薄膜InGaAsP位相シフタと水素フリーSiN導波路を集積し、マッハツェンダ変調... [more] OCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85
pp.31-34
LQE 2018-07-12
13:55
北海道 北海道大学 Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減
中尾 亮佐藤具就杉山弘樹松尾慎治NTTLQE2018-22
 [more] LQE2018-22
pp.9-12
LQE, LSJ
(共催)
2018-05-25
13:50
福井 芦原温泉清風荘 8ch直接変調メンブレンレーザアレイとSiN AWGフィルタのSi基板上モノリシック集積
西 英隆藤井拓郎ディアマドプロス ニコラオス パデレイモン武田浩司菅野絵理奈硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTLQE2018-17
 [more] LQE2018-17
pp.29-32
LQE, LSJ
(共催)
2017-05-26
10:50
石川 山代温泉葉渡莉 III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器
開 達郎相原卓磨長谷部浩一藤井拓郎武田浩司硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTLQE2017-13
 [more] LQE2017-13
pp.53-56
LQE, OPE, EMD, R, CPM
(共催)
2016-08-25
09:20
北海道 函館ロワジールホテル オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振
菅野絵理奈武田浩司藤井拓郎長谷部浩一西 英隆山本 剛硴塚孝明松尾慎治NTTR2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28
短距離光インターコネクト実現に向け、直接変調レーザの低消費エネルギー化が求められている。我々は、InP薄膜構造をSiO2... [more] R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28
pp.1-4
LQE 2015-12-18
11:30
東京 機械振興会館 [奨励講演]GaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
中尾 亮荒井昌和小林 亘硴塚孝明山本 剛松尾慎治NTTLQE2015-126
 [more] LQE2015-126
pp.15-20
LQE 2015-12-18
16:35
東京 機械振興会館 [招待講演]Low threshold lasers for datacom and computercom applications
Shinji MatsuoKoji TakedaTakuro FujiiHidetaka NishiKoichi HasebeTakaaki KakitsukaNTTLQE2015-133
 [more] LQE2015-133
pp.41-46
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
12:05
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) [奨励講演]微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタ
野崎謙悟松尾慎治藤井拓郎武田浩司倉持栄一納富雅也NTTOPE2014-145 LQE2014-132
InPフォトニック結晶スラブ導波路中に,長さ1.7ミクロン程度の微小なInGaAs埋め込みヘテロ(BH)構造を形成したp... [more] OPE2014-145 LQE2014-132
pp.31-35
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
16:40
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
中尾 亮荒井昌和小林 亘山本 剛松尾慎治NTTOPE2014-150 LQE2014-137
メタモルフィック成長技術は,半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し,通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積など... [more] OPE2014-150 LQE2014-137
pp.59-64
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-30
14:30
長崎 長崎歴史文化博物館 高Q値化した埋込ヘテロL3共振器によるフォトニック結晶全光メモリ ~ 2.3nWの超低バイアス動作と28bitモノリシック集積の実現 ~
倉持栄一野崎謙悟新家昭彦谷山秀昭武田浩司佐藤具就松尾慎治納富雅也NTTOCS2014-61 OPE2014-105 LQE2014-79
フォトニック結晶は全光メモリを超小型かつ超低動作パワーで実現できる技術として注目されている.今回我々は既に超低パワー動作... [more] OCS2014-61 OPE2014-105 LQE2014-79
pp.101-105
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-30
17:45
長崎 長崎歴史文化博物館 SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製
藤井拓郎佐藤具就武田浩司長谷部浩一硴塚孝明松尾慎治NTTOCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86
大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求め... [more] OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86
pp.135-140
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-21
11:15
北海道 小樽経済センター シリコン酸化膜上の横注入DFBレーザ
松尾慎治藤井拓郎長谷部浩一武田浩司佐藤具就硴塚孝明NTTR2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29
埋込みヘテロ構造と上下を低屈折率材料で挟まれた二次元薄膜構造(メンブレン構造)を持つ半導体レーザは、効率的なキャリアと光... [more] R2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29
pp.13-16
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