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 33件中 1~20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OCS, OPE, LQE
(共催)
2018-11-12
17:15
東京 機械振興会館 [特別招待講演]Si基板上薄膜InGaAsPマッハツェンダ変調器
開 達郎相原卓磨武田浩司藤井拓郎硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTOCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85
(事前公開アブストラクト) Si基板上に薄膜InGaAsP位相シフタと水素フリーSiN導波路を集積し、マッハツェンダ変調... [more] OCS2018-67 OPE2018-96 LQE2018-85
pp.31-34
LQE 2018-07-12
13:55
北海道 北海道大学 Si(100)基板上にMOVPE成長したGaAs層の貫通転位とアンチフェーズドメインの低減
中尾 亮佐藤具就杉山弘樹松尾慎治NTTLQE2018-22
 [more] LQE2018-22
pp.9-12
LQE, LSJ
(共催)
2018-05-25
13:50
福井 芦原温泉清風荘 8ch直接変調メンブレンレーザアレイとSiN AWGフィルタのSi基板上モノリシック集積
西 英隆藤井拓郎ディアマドプロス ニコラオス パデレイモン武田浩司菅野絵理奈硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTLQE2018-17
 [more] LQE2018-17
pp.29-32
LQE, LSJ
(共催)
2017-05-26
10:50
石川 山代温泉葉渡莉 III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器
開 達郎相原卓磨長谷部浩一藤井拓郎武田浩司硴塚孝明土澤 泰福田 浩松尾慎治NTTLQE2017-13
 [more] LQE2017-13
pp.53-56
LQE, OPE, EMD, R, CPM
(共催)
2016-08-25
09:20
北海道 函館ロワジールホテル オンシリコン短共振器メンブレンレーザの室温連続発振
菅野絵理奈武田浩司藤井拓郎長谷部浩一西 英隆山本 剛硴塚孝明松尾慎治NTTR2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28
短距離光インターコネクト実現に向け、直接変調レーザの低消費エネルギー化が求められている。我々は、InP薄膜構造をSiO2... [more] R2016-19 EMD2016-23 CPM2016-32 OPE2016-53 LQE2016-28
pp.1-4
LQE 2015-12-18
11:30
東京 機械振興会館 [奨励講演]GaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
中尾 亮荒井昌和小林 亘硴塚孝明山本 剛松尾慎治NTTLQE2015-126
 [more] LQE2015-126
pp.15-20
LQE 2015-12-18
16:35
東京 機械振興会館 [招待講演]Low threshold lasers for datacom and computercom applications
Shinji MatsuoKoji TakedaTakuro FujiiHidetaka NishiKoichi HasebeTakaaki KakitsukaNTTLQE2015-133
 [more] LQE2015-133
pp.41-46
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
12:05
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) [奨励講演]微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタ
野崎謙悟松尾慎治藤井拓郎武田浩司倉持栄一納富雅也NTTOPE2014-145 LQE2014-132
InPフォトニック結晶スラブ導波路中に,長さ1.7ミクロン程度の微小なInGaAs埋め込みヘテロ(BH)構造を形成したp... [more] OPE2014-145 LQE2014-132
pp.31-35
OPE, LQE
(共催)
2014-12-19
16:40
東京 機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) その場ウェハ曲率測定による格子緩和率制御手法を用いて作製したGaAs/InGaAs系1.3 um帯メタモルフィックレーザの高速変調動作
中尾 亮荒井昌和小林 亘山本 剛松尾慎治NTTOPE2014-150 LQE2014-137
メタモルフィック成長技術は,半導体デバイス作製における格子整合の制約を解放し,通信波長帯レーザの高性能化や光電子集積など... [more] OPE2014-150 LQE2014-137
pp.59-64
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-30
14:30
長崎 長崎歴史文化博物館 高Q値化した埋込ヘテロL3共振器によるフォトニック結晶全光メモリ ~ 2.3nWの超低バイアス動作と28bitモノリシック集積の実現 ~
倉持栄一野崎謙悟新家昭彦谷山秀昭武田浩司佐藤具就松尾慎治納富雅也NTTOCS2014-61 OPE2014-105 LQE2014-79
フォトニック結晶は全光メモリを超小型かつ超低動作パワーで実現できる技術として注目されている.今回我々は既に超低パワー動作... [more] OCS2014-61 OPE2014-105 LQE2014-79
pp.101-105
OCS, OPE, LQE
(共催)
2014-10-30
17:45
長崎 長崎歴史文化博物館 SiO2/Si基板上InP系活性層薄膜への埋込み成長によるレーザ作製
藤井拓郎佐藤具就武田浩司長谷部浩一硴塚孝明松尾慎治NTTOCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86
大規模光集積デバイスの実現に向けて、Si基板上の任意の箇所に小型・高効率なIII-V族半導体レーザーを作製する技術が求め... [more] OCS2014-68 OPE2014-112 LQE2014-86
pp.135-140
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-21
11:15
北海道 小樽経済センター シリコン酸化膜上の横注入DFBレーザ
松尾慎治藤井拓郎長谷部浩一武田浩司佐藤具就硴塚孝明NTTR2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29
埋込みヘテロ構造と上下を低屈折率材料で挟まれた二次元薄膜構造(メンブレン構造)を持つ半導体レーザは、効率的なキャリアと光... [more] R2014-25 EMD2014-30 CPM2014-45 OPE2014-55 LQE2014-29
pp.13-16
MWP, EMT, PN, LQE, OPE, EST
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2014-01-24
17:25
京都 同志社大学(烏丸キャンパス) 微小な埋込みヘテロ構造をもつフォトニック結晶導波路型InGaAs光ディテクタの検討
野崎謙悟松尾慎治武田浩司佐藤具就藤井拓郎倉持栄一納富雅也NTTPN2013-83 OPE2013-197 LQE2013-183 EST2013-132 MWP2013-103
InPフォトニック結晶スラブ導波路中に,長さ1.7 micron程度の微小なInGaAs埋め込みヘテロ(BH)構造を形成... [more] PN2013-83 OPE2013-197 LQE2013-183 EST2013-132 MWP2013-103
pp.307-310
OPE, LQE, CPM, EMD, R
(共催)
2013-08-29
17:20
北海道 サンリフレ函館 電流狭窄溝を有するフォトニック結晶レーザ
武田浩司佐藤具就硴塚孝明新家昭彦野崎謙悟谷山秀昭納富雅也長谷部浩一松尾慎治NTTR2013-44 EMD2013-50 CPM2013-69 OPE2013-73 LQE2013-43
 [more] R2013-44 EMD2013-50 CPM2013-69 OPE2013-73 LQE2013-43
pp.81-84
OPE, LQE, OCS
(共催)
2012-10-25
14:45
宮崎 ホテルメリージュ(宮崎) [招待講演]ECOC2012報告 ~ アクティブデバイス関連 ~
松尾慎治NTTOCS2012-52 OPE2012-103 LQE2012-69
 [more] OCS2012-52 OPE2012-103 LQE2012-69
pp.59-62
LQE, CPM, EMD, OPE, R
(共催)
2012-08-23
15:40
宮城 東北大学電気通信研究所 電流注入フォトニック結晶レーザ
松尾慎治佐藤具就武田浩司NTTR2012-30 EMD2012-36 CPM2012-61 OPE2012-68 LQE2012-34
超低消費エネルギーで動作する半導体レーザ実現のためにフォトニック結晶共振器の適用が検討されている.しかしながら,二次元フ... [more] R2012-30 EMD2012-36 CPM2012-61 OPE2012-68 LQE2012-34
pp.47-50
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-28
09:25
大阪 大阪大学 EA変調器集積DFBレーザのデュアル変調動作による10Gbit/s,180km伝送
長谷部浩一松尾慎治三条広明大木 明硴塚孝明柴田泰夫NTTPN2010-41 OPE2010-154 LQE2010-139
 [more] PN2010-41 OPE2010-154 LQE2010-139
pp.89-92
LQE 2010-12-17
10:10
東京 機械振興会館 All-Optical Memory Based on Buried Heterostructure Photonic Crystal Lasers
Chin-Hui ChenShinji MatsuoKengo NozakiAkihiko ShinyaTomonari SatoYoshihiro KawaguchiHisashi SumikuraMasaya NotomiNTTLQE2010-116
We have demonstrated an all-optical memory by using InGaAsP/... [more] LQE2010-116
pp.9-12
EMD, OPE, LQE, CPM
(共催)
2010-08-27
09:50
北海道 千歳アルカディアプラザ 二重リング共振器型波長可変レーザを集積した波長ルーティング型光スイッチ
瀬川 徹松尾慎治硴塚孝明柴田泰夫佐藤具就川口悦弘近藤康洋高橋 亮NTTEMD2010-45 CPM2010-61 OPE2010-70 LQE2010-43
将来のフォトニックネットワークでは,光パケットを光のまま高速に転送する大容量光スイッチング技術が重要になる.波長変換技術... [more] EMD2010-45 CPM2010-61 OPE2010-70 LQE2010-43
pp.89-92
OPE, EMT, LQE, PN, IEE-EMT
(共催)
2010-01-29
10:45
京都 京大桂キャンパス、Bクラスター事務管理棟 、大会議室_A会場、桂ラウンジ_B会場 レンズを用いたファイバアレイ結合による光RAM用メモリ素子の高密度集積化に関する予備的検討
田原裕一朗ハニー アヤド バスタワロス姜 海松九大)・松尾慎治NTT)・浜本貴一九大PN2009-54 OPE2009-192 LQE2009-174
ファイバアレイとの光結合は、光RAM用の集積メモリ素子の実用化において重要である。特に我々は、ファイバアレイピッチ間隔の... [more] PN2009-54 OPE2009-192 LQE2009-174
pp.101-106
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