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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SCE 2019-01-23
13:30
東京 機械振興会館 単一磁束量子ゲートレベルパイプラインマイクロプロセッサに向けた30GHzデータパスの開発
長岡一起名大)・畑中湧貴三菱電機)・松井裕一名大)・石田浩貴九大)・田中雅光佐野京佑山下太郎名大)・小野貴継井上弘士九大)・藤巻 朗名大SCE2018-30
我々はCMOSマイクロプロセッサを凌駕する高スループットを実現することを目的として、単一磁束量子(SFQ)マイクロプロセ... [more] SCE2018-30
pp.29-34
SCE 2017-08-09
14:35
愛知 名古屋大学(東山キャンパス) 単一磁束量子ゲートレベルパイプラインマイクロプロセッサに向けた要素回路設計
畑中湧貴松井裕一田中雅光佐野京佑藤巻 朗名大)・石田浩貴小野貴継井上弘士九大SCE2017-17
我々は CMOS マイクロプロセッサの性能を凌駕することを最終目的とし、高スループットな単一磁束 量子(RSFQ)マイク... [more] SCE2017-17
pp.37-42
ICD 2007-04-12
11:10
大分 大分県・湯布院・七色の風 [招待講演]書換え電流100μA、書換え速度416kB/sで動作する混載向け512kB相変化メモリ
小田部 晃半澤 悟日立)・北井直樹日立超LSIシステムズ)・長田健一松井裕一松崎 望高浦則克日立)・茂庭昌弘ルネサステクノロジ)・河原尊之日立ICD2007-5
0.13μm,1.5V CMOS技術を用いて,混載向け512kB相変化メモリを試作した。既開発の低電力相変化メモリセルを... [more] ICD2007-5
pp.23-28
SDM 2007-03-15
13:05
東京 機械振興会館 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化
松井裕一黒土健三外村 修森川貴博木下勝治藤崎芳久松崎 望半澤 悟寺尾元康高浦則克守谷浩志岩崎富生日立)・茂庭昌弘古賀 剛ルネサステクノロジ
相変化メモリの低電力書換えを実現する革新的なメモリセルを開発した。GeSbTe(GST)とWプラグの間に極薄のTa2O5... [more] SDM2006-254
pp.1-6
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