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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OME 2017-12-01
14:50
佐賀 サンメッセ鳥栖 [招待講演]単結晶シリコン薄膜転写技術によるプラスチック上CMOS回路動作
東 清一郎広島大
 [more] OME2017-46
pp.53-57
OME, SDM
(共催)
2017-04-21
10:25
鹿児島 龍郷町生涯学習センター 回転ステージを用いたフレキシブルガラス基板上アモルファスシリコンの大気圧熱プラズマジェット結晶化
中野 航稗田竜己花房宏明東 清一郎広島大
 [more]
SDM, OME
(共催)
2016-04-08
16:25
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製
中谷太一原田大夢・○東 清一郎広島大
大気圧マイクロ熱プラズマジェット(μ-TPJ)を石英基板上のアモルファスゲルマニウム(a-Ge)膜へ照射し形成した結晶(... [more] SDM2016-9 OME2016-9
pp.35-38
OME, SDM
(共催)
2015-04-30
13:00
沖縄 大濱信泉記念館多目的ホール 大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射アモルファスシリコン細線による結晶成長制御およびCMOS回路の高速駆動
森崎誠司林 将平山本将悟中谷太一東 清一郎広島大
1µmのアモルファスシリコン細線構造を用いることにより大気圧マイクロ熱プラズマジェット(µ-TPJ)... [more] SDM2015-13 OME2015-13
pp.49-52
SDM 2014-06-19
11:25
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成
浜田慎也村上秀樹小野貴寛橋本邦明広島大)・大田晃生名大)・花房宏明東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
Ge中でのAsの活性化率を向上させるために、Ge(100)に対して基板温度を-100~400°Cに制御してAs+イオン注... [more] SDM2014-48
pp.27-30
SDM, OME
(共催)
2014-04-10
14:10
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]メニスカス力を用いた単結晶シリコン薄膜転写技術とそのデバイス応用
東 清一郎酒池耕平赤澤宗樹中村将吾広島大
 [more] SDM2014-3 OME2014-3
pp.11-16
SDM 2013-06-18
14:15
東京 機械振興会館 SiOx/TiO2積層したMIMダイオードにおける抵抗変化特性評価
大田晃生広島大)・福嶋太紀牧原克典名大)・村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
 [more] SDM2013-56
pp.61-66
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
18:00
沖縄 沖縄県青年会館 Improvement of Low-Temperature-Deposited SiO2 and Si/SiO2 interface Properties by Thermal-Plasma-Jet Annealing and Heat Treatment in High-Pressure H2O Vapor
Shunki KoyanagiShohei HayashiTsubasa MizunoKouhei SakaikeHiroaki HanafusaSeiichiro HigashiHiroshima Univ.
 [more]
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
08:45
沖縄 沖縄県青年会館 Evaluation of Chemical Composition and Bonding Features of Pt/SiOx/Pt MIM Diodes and Its Impact on Resistance Switching Behavior
Akio OhtaHiroshima Univ.)・Katsunori MakiharaNagoya Univ.)・Mitsuhisa IkedaHideki MurakamiSeiichiro HigashiHiroshima Univ.)・Seiichi MiyazakiNagoya Univ.
 [more]
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-28
09:45
沖縄 沖縄県青年会館 Control of Interfacial Reaction of HfO2/Ge Structure by Insertion of Ta Oxide Layer
Kuniaki HashimotoAkio OhtaHideki MurakamiSeiichiro HigashiHiroshima Univ.)・Seiichi MiyazakiNagoya Univ.
 [more]
SDM 2012-06-21
11:15
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) TaOx層挿入によるHfO2/Ge界面反応制御
村上秀樹三嶋健斗大田晃生橋本邦明東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
 [more] SDM2012-49
pp.33-36
SDM 2012-06-21
13:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御
大田晃生松井真史村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
 [more] SDM2012-53
pp.53-58
SDM 2012-06-21
14:45
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) As+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析
小野貴寛大田晃生村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
 [more] SDM2012-55
pp.63-67
SDM, OME
(共催)
2012-04-28
10:20
沖縄 沖縄県青年会館 マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長
林 将平松原良平藤田悠二池田弥央東 清一郎広島大
ポーラスシリコン(PS)層上に堆積したアモルファスシリコン(a-Si)膜を大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射により結晶... [more] SDM2012-14 OME2012-14
pp.63-66
SDM, OME
(共催)
2012-04-28
10:50
沖縄 沖縄県青年会館 マイクロ熱プラズマジェット結晶化におけるアモルファスシリコン細線及びスリットマスクを用いた結晶成長制御
藤田悠二林 将平東 清一郎広島大
アモルファスシリコン(a-Si)膜上にシリコンウェハにより作製したスリットマスクを配置し、マイクロ熱プラズマジェット(μ... [more] SDM2012-15 OME2012-15
pp.67-70
SDM 2011-07-04
12:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) Ge(100)表面の極薄TiOxキャッピングによるHfO2原子層堆積/熱処理時の界面反応制御
村上秀樹藤岡知宏大田晃生三嶋健斗東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
High-k/Ge界面制御手法として、極薄TiO2層の挿入に着目し、塩酸処理したGe(100)表面上へのTiO2の原子層... [more] SDM2011-58
pp.47-50
SDM 2011-07-04
14:00
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 金属/GeO2界面における化学結合状態の光電子分光分析
松井真史藤岡知宏大田晃生村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
熱酸化により形成したGeO2/Ge(100)界面および金属(Al, AuおよびPt)薄膜形成後のGeO2との界面化学結合... [more] SDM2011-61
pp.63-68
SDM 2011-07-04
16:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) RFスパッタ形成したSi酸化膜を用いたMIMキャパシタの抵抗変化特性
大田晃生後藤優太西垣慎吾Guobin Wei村上秀樹東 清一郎広島大)・宮崎誠一名大
RFスパッタにより形成したSiOx (厚さ:8~40nm)をPt電極で挟んだMIMキャパシタにおいて、電圧掃引による電流... [more] SDM2011-67
pp.97-102
ED, SDM
(共催)
2010-06-30
14:55
東京 東工大 大岡山キャンパス The Impact of H2 Anneal on Resistive Switching in Pt/TiO2/Pt Structure
Guobin WeiYuta GotoAkio OhtaKatsunori MakiharaHideki MurakamiSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.
 [more] ED2010-57 SDM2010-58
pp.31-36
ED, SDM
(共催)
2010-07-02
12:30
東京 東工大 大岡山キャンパス Characterization of Mg Diffusion into HfO2/SiO2/Si(100) Stacked Structures and Its Impact on Detect State Densities
Akio OhtaDaisuke KanmeHideki MurakamiSeiichiro HigashiSeiichi MiyazakiHiroshima Univ.
 [more] ED2010-94 SDM2010-95
pp.189-194
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