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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE 2008-12-12
09:35
東京 機械振興会館 地下3階2号室 高出力1.3μm帯25Gbps EA変調器集積半導体レーザ
高橋博之OKI)・島村知周杉山 直久保田宗親OKIセミコンダクタ)・中村幸治OKILQE2008-128
100Gイーサネット向け高出力1.3μm帯25G-EMLを開発し、伝送特性の評価を行った。25.8Gbps変調時の平均光... [more] LQE2008-128
pp.1-4
ICD 2008-04-18
13:05
東京 機械振興会館 [招待講演]二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝ICD2008-11
ナノメートルスケールのSi微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] ICD2008-11
pp.57-62
SDM 2008-03-14
13:05
東京 機械振興会館 二重トンネル接合層を用いた15nmプラナーバルクSONOS型メモリー素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝SDM2007-273
ナノメートルスケールのSi微小結晶を、薄いトンネル酸化膜で挟んだ二重接合構造を、浮遊ゲート型メモリ素子のトンネル膜に応用... [more] SDM2007-273
pp.1-6
ICD 2007-04-13
14:20
大分 大分県・湯布院・七色の風 二重接合を用いた25nmSONOS型メモリ素子
大場竜二三谷祐一郎杉山直治藤田 忍東芝ICD2007-16
ナノメートルスケールの導電性微小粒子を、薄いトンネル抵抗で挟んだ構造を、単電子トンネルを扱う分野では「二重接合」と言いま... [more] ICD2007-16
pp.89-93
ICD 2006-04-14
14:20
大分 大分大学 Floating Gate Type Planar MOSFET Memory with 35 nm Gate Length using Double Junction Tunneling
Ryuji OhbaYuichiro MitaniNaoharu SugiyamaShinobu FujitaToshiba
 [more] ICD2006-19
pp.103-107
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