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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED 2017-08-09
16:15
東京 機械振興会館 LSI一体集積のためのPbS QD/Si赤外フォトダイオードのためのZnO層の検討
肥後昭男王 海濱久保貴哉宇佐美尚人岡本有貴山田健太郎瀬川浩司杉山正和三田吉郎東大
セキュアライフエレクトロニクスにおいて,シリコンフォトダイオードでは赤外での感度がほとんどないため,LSIと融合して赤外... [more] ED2017-30
pp.23-24
LQE, OPE, OCS
(共催)
2016-10-27
17:00
宮崎 宮崎市民プラザ(宮崎) フラットバンド構造内に挿入された超格子におけるミニバンド形成過程とキャリア輸送評価
中村 翼松落高輝武田秀明宮崎大)・Kasidit Toprasertpong杉山正和中野義昭東大)・鈴木秀俊碇 哲雄福山敦彦宮崎大
超格子のミニバンドを利用した量子井戸太陽電池や量子カスケードレーザーでは、ミニバンド内で再結合させずにキャリア輸送する必... [more] OCS2016-45 OPE2016-86 LQE2016-61
pp.61-64
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
09:00
北海道 北海道大学百年記念会館 MOVPE法によるGaN/AlN共鳴トンネルダイオード構造の作製 ~ 窒化物量子井戸構造の解析 ~
伊藤成顕ソダーバンル ハッサネット杉山正和中野義昭東大
GaN/AlNのコンダクションバンドオフセット(Conduction Band Offset : CBO)は2.1eVと... [more] ED2013-142 SDM2013-157
pp.55-59
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
13:35
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
美濃卓哉理研/パナソニック電工)・平山秀樹理研)・高野隆好椿 健治理研/パナソニック電工)・杉山正和東大
我々は,横方向成長法(ELO)により形成したAlNテンプレートを用いて,Si基板上に256-278nm帯で発光する深紫外... [more] ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118
pp.113-116
EMD, OPE, LQE, CPM
(共催)
2010-08-26
15:00
北海道 千歳アルカディアプラザ 高性能光電子集積回路実現に向けたIII-V CMOSプラットフォーム技術
竹中 充横山正史杉山正和中野義昭高木信一東大
 [more] EMD2010-35 CPM2010-51 OPE2010-60 LQE2010-33
pp.45-48
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
10:20
愛知 名古屋工業大学 選択領域有機金属気相成長の気相拡散効果を用いたInGaN系多波長発光素子の検討
塩田倫也富田祐貴杉山正和霜垣幸浩中野義昭東大
有機金属気相成長(MOVPE: Metal-Organic Vapor Phase Epitaxy)の選択成長(Sele... [more] ED2008-154 CPM2008-103 LQE2008-98
pp.13-16
OCS, LQE, OPE
(共催)
2008-10-24
10:10
福岡 九州大学 SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収
飯塚紀夫東芝)・清水俊匡東大)・吉田春彦真名垣暢人東芝)・ソダーバンル ハッサネット杉山正和中野義昭東大
GaN/AlNサブバンド間遷移スイッチへの応用を目的として、AlNを下部クラッド層、GaNをコア層とし中央に量子井戸層を... [more] OCS2008-69 OPE2008-112 LQE2008-81
pp.113-116
LQE 2006-12-08
15:00
東京 機械振興会館 選択領域有機金属気相成長を用いたCWDM用多チャネルDFBレーザーアレイの試作
ダルジャ ジェッシーMelvin J. Chan杉山正和中野義昭東大
 [more] LQE2006-113
pp.55-59
PN, OPE, OFT, LQE
(共催)
2005-01-28
10:25
大阪 大阪大学 InP系アレイ導波路合分波器の試作とMOVPE選択成長による能動素子集積化の検討
櫻井謙司Al Amin Abdullah櫻井貴志杉山正和中野義昭東大
 [more] PN2004-99 OFT2004-105 OPE2004-206 LQE2004-153
pp.7-10
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