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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
OPE, EMT, LQE, PN
(共催)
IEE-EMT
(連催) [詳細]
2011-01-27
15:45
大阪 大阪大学 Fast Optical Power Stabilization using a Germanium Photodiode and a Silicon Variable Optical Attenuator Integrated on a Silicon Photonic Platform
Koji YamadaTai TsuchizawaToshifumi WatanabeHiroyuki ShinojimaHidetaka NishiRai KouSungbong ParkNTT)・Yasuhiko IshikawaKazumi WadaUniv. of Tokyo)・Seiichi ItabashiNTTPN2010-36 OPE2010-149 LQE2010-134
シリコンプラットフォーム上にモノリシックに集積したゲルマニウムフォトダイオードとシリコン可変減衰器を用いた、光強度の高速... [more] PN2010-36 OPE2010-149 LQE2010-134
pp.53-56
OPE 2010-12-17
17:55
東京 機械振興会館地下3階2号室 キャリア注入型シリコンVOAと石英系AWGのモノリシック集積
西 英隆土澤 泰渡辺俊文篠島弘幸高 磊朴 成鳳山田浩治板橋聖一NTTOPE2010-142
Si細線光導波路にPINダイオード構造を付与したVOAと,石英系光導波路によるAWGを,スポットサイズ変換器を介して接続... [more] OPE2010-142
pp.61-64
OPE 2009-12-18
16:40
東京 機械振興会館 モノリシクに集積したシリコン可変光減衰器とゲルマニウムフォトダイオードの同期動作
朴 成鳳土澤 泰渡辺俊文篠島弘幸西 英隆山田浩治NTT)・石川靖彦和田一美東大)・板橋聖一NTTOPE2009-169
モノリシクに集積したGe p-i-nフォトダイオード(PD)とSi可変光減衰器(VOA)に関する研究を行った。Ge PD... [more] OPE2009-169
pp.47-52
PN, OPE, EMT, LQE
(共催)
2009-01-29
09:20
京都 京都工芸繊維大学(松ヶ崎キャンパス) Reverse current reduction of Ge pin photodiodes on Si without post-growth annealing
Sungbong ParkShinya TakitaYasuhiko IshikawaJiro OsakaKazumi WadaUniv. of TokyoPN2008-44 OPE2008-147 LQE2008-144
 [more] PN2008-44 OPE2008-147 LQE2008-144
pp.11-15
OPE 2007-12-14
16:55
東京 機械振興会館 選択成長を用いたSOI基板上Ge pin フォトダイオ-ドのレスポンシビティスペクトラム
朴 成鳳石川靖彦和田一実東大)・土澤 泰渡辺俊文山田浩治板橋聖一NTT
 [more] OPE2007-144
pp.47-51
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