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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SIS 2018-03-08
15:25
愛知 名城大学天白キャンパス DNN-MPC:モデル予測制御のためのハードウェア指向Deep Neural Networks
本田健太郎岩谷直樹九工大)・広津鉄平中村敏明堀口辰也日立)・田向 権九工大SIS2017-60
システムの制御手法の一つに,制御対象の予測モデルを用いたモデル予測制御がある.しかし,現実に は,定式化困難な制御... [more] SIS2017-60
pp.17-22
OPE, LQE, OCS
(共催)
2015-10-30
11:40
大分 別府国際コンベンションセンター 電子回路シミュレータを用いた光電子集積回路の設計技術
武田浩太郎本田健太郎福田 浩碓氷光男野坂秀之山本 剛NTT)・山田浩治産総研)・才田隆志NTTOCS2015-74 OPE2015-124 LQE2015-93
(事前公開アブストラクト) 光電子集積回路技術のひとつであり、プラットフォームにシリコンを用いることを特徴するシリコンフ... [more] OCS2015-74 OPE2015-124 LQE2015-93
pp.163-168
EMD, LQE, OPE, CPM, R
(共催)
2014-08-22
14:25
北海道 小樽経済センター Auスタッドバンプ接合を用いたSiフォトニクスプラットフォーム用光電ハイブリッド集積チップ実装技術
碓氷光男武田浩太郎平田泰興福田 浩土澤 泰西 英隆高 磊開 達郎本田健太郎野河正史山田浩治山本 剛NTTR2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49
Siフォトニクスプラットフォームへの適用を目指し,はんだを使用せず,200℃以下の低温で電子デバイスを搭載可能な新しいフ... [more] R2014-45 EMD2014-50 CPM2014-65 OPE2014-75 LQE2014-49
pp.109-114
MW 2013-03-07
14:20
広島 広島大学 [招待講演]センサネット向けサブ50uW, 0.5V動作315MHz帯トランシーバ回路
高宮 真東大)・齋藤 晶半導体理工学研究センター)・井口俊太本田健太郎鄭 雲飛東大)・渡辺和紀半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大MW2012-177
 [more] MW2012-177
pp.97-102
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
11:35
北海道 札幌市男女共同参画センター [招待講演]圧電フィルムによるエネルギーハーベスティングと2V有機トランジスタ回路を搭載した靴の中敷き型万歩計
石田光一黄 ツン靖本田健太郎篠塚康大更田裕司横田知之東大)・ツィーシャング ウテクラーク ハーゲンマックス・プランク研)・グレゴリー トルティシエ関谷 毅・○高宮 真年吉 洋染谷隆夫桜井貴康東大SDM2012-81 ICD2012-49
 [more] SDM2012-81 ICD2012-49
pp.99-104
ICD, SDM
(共催)
2012-08-03
15:55
北海道 札幌市男女共同参画センター 38uW間欠サンプリング受信回路と52uW F級送信回路を備えたオール0.5V動作1Mbps,315MHz帯無線トランシーバ
井口俊太東大)・斎藤 晶半導体理工学研究センター)・本田健太郎鄭 雲飛東大)・渡辺和紀半導体理工学研究センター)・桜井貴康高宮 真東大SDM2012-87 ICD2012-55
 [more] SDM2012-87 ICD2012-55
pp.133-138
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
16:05
富山 富山県民会館 自動選択電荷注入を用いたCMOSロジック回路の最低可動電圧(VDDmin)の低減
本田健太郎池内克之東大)・野村昌弘半導体理工学研究センター)・高宮 真桜井貴康東大SDM2011-94 ICD2011-62
 [more] SDM2011-94 ICD2011-62
pp.121-126
ICD, ITE-IST
(連催)
2011-07-22
09:00
広島 広島工業大学 有機CMOS回路を用いた100V AC積算電力計
石田光一黄 ツン靖本田健太郎関谷 毅東大)・中島宏佳前田博己大日本印刷)・高宮 真染谷隆夫桜井貴康東大ICD2011-25
電力網のエネルギーのロスを極限まで抑制するためには、電源コンセントや電池毎にその消費電力を監視する細粒度の電源モニタシス... [more] ICD2011-25
pp.57-62
ICD 2011-04-19
11:45
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制
宮地幸祐本田健太郎田中丸周平東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大ICD2011-13
SRAMのVTHのばらつきによる読み出し・書き込みマージン減少の解決のため,6T-SRAMのパスゲートトランジスタへ局所... [more] ICD2011-13
pp.71-76
ICD 2010-12-16
09:30
東京 東京大学 先端科学技術研究センター 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去
本田健太郎宮地幸祐田中丸周平東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大ICD2010-95
8T-SRAMのアクセストランジスタをに局所的に電子を局所的に注入することによってしきい値電圧を非対称にし、ハーフセレク... [more] ICD2010-95
pp.1-6
ICD, SDM
(共催)
2010-08-27
13:45
北海道 札幌エルプラザ内男女共同参画センター プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
宮地幸祐田中丸周平本田健太郎東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大SDM2010-145 ICD2010-60
本論文ではプロセス後にSRAMセルのパスゲートトランジスタの記憶保持ノード側の接合端付近の絶縁膜中に電子を局所的に注入す... [more] SDM2010-145 ICD2010-60
pp.115-120
SDM 2010-06-22
15:15
東京 東京大学(生産研An棟) 作製後における電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
宮地幸祐田中丸周平本田健太郎東大)・宮野信治半導体理工学研究センター)・竹内 健東大SDM2010-44
本論文ではSRAMセルの安定性を自己修復するように一方のパスゲートトランジスタのゲート絶縁膜中に局所的に電子を注入するこ... [more] SDM2010-44
pp.61-65
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