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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
CPSY, DC
(共催)
IPSJ-SLDM, IPSJ-EMB, IPSJ-ARC
(共催)
(連催) [詳細]
2017-03-10
17:00
沖縄 具志川農村環境改善センター ビッグデータ解析に向けたスケーラブルなデータセントリックコンバージドシステム
佐々木勇輝高橋健治坂主圭史木下敦寛東芝CPSY2016-162 DC2016-108
成長を続けるIoT市場におけるデータ解析の要求に対応する為に、スケールアウト可能な分散アーキテクチャが求められている。し... [more] CPSY2016-162 DC2016-108
pp.399-404
ICD, SDM
(共催)
2009-07-16
15:50
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 微細High-k/メタルゲートデバイスにおけるキャリア移動度とTinvスケーリングの関係および22nmノードに向けたデバイス設計ガイドライン
後藤正和・○川中 繁犬宮誠治楠 直樹齋藤真澄辰村光介木下敦寛稲葉 聡豊島義明東芝SDM2009-107 ICD2009-23
Tinvスケーリングとチャネル内キャリア移動度劣化のトレードオフに関し、極微細MOSFETを用いた実験データに基づき解析... [more] SDM2009-107 ICD2009-23
pp.53-56
SDM 2009-06-19
15:40
東京 東京大学(生産研An棟) LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係
辰村光介石原貴光犬宮誠治中嶋一明金子明生後藤正和川中 繁木下敦寛東芝SDM2009-39
high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔV... [more] SDM2009-39
pp.71-76
SDM 2006-06-22
15:30
広島 広島大学, 学士会館 Ni-FUSI/SiO(N)界面不純物効果とFUGE(Fully Germanided)電極の仕事関数決定要因の考察
土屋義規吉木昌彦木下敦寛小山正人古賀淳二西山 彰東芝
ゲート電極のメタル化技術(メタルゲート技術)における技術的課題である仕事関数(Φeff)制御について、我々の最近の検討結... [more] SDM2006-64
pp.125-130
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