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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EST 2019-05-17
14:40
愛知 名古屋工業大学 シリコン基板へのH/Heイオン照射による損失低減と比誘電率の変化
平野拓一東京都市大)・水野麻弥NICT)・李 寧上智大)・井上 剛曽我部正嗣住重アテックス)・岡田健一東工大
高周波電磁界のCMOSシリコン(Si)基板での損失を低減するために水素(H)またはヘリウム(He)のイオンを照射する技術... [more] EST2019-5
pp.19-23
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