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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催)
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
(連催) [詳細]
2020-01-24
11:10
鳥取 鳥取大鳥取キャンパス [ポスター講演]低温形成した陽極酸化アルミナ絶縁膜の膜物性評価とそのデバイス応用
河野守哉森 海是友大地古田 守高知工科大EID2019-16
フレキシブル薄膜トランジスタ(TFT)のゲート絶縁膜応用を目的とし、陽極酸化により低温形成した酸化アルミナ(Al2O3)... [more] EID2019-16
pp.129-131
OME, SDM
(共催)
2019-04-26
15:20
鹿児島 屋久島環境文化村センター 非晶質酸化物半導体In-Ga-Zn-Oヘテロ接合チャネル薄膜トランジスタ
古田 守是友大地東 龍之介濱田秀平高知工科大SDM2019-6 OME2019-6
 [more] SDM2019-6 OME2019-6
pp.23-26
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
11:45
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 ミストCVD法によるGTO薄膜を用いたデバイス
滝下雄太龍谷大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大
 [more]
EID, SDM
(共催)
ITE-IDY
(連催) [詳細]
2018-12-25
14:30
京都 龍谷大学 響都ホール 校友会館 Ga-Sn-O薄膜の熱電特性及び構造のアニール依存性
池口 翼荒牧達也龍谷大)・梅田鉄馬上沼睦典奈良先端大)・是友大地曲 勇作古田 守高知工科大)・木村 睦龍谷大
 [more]
SDM, OME
(共催)
2018-04-07
13:10
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]酸化物半導体InGaZnOx薄膜トランジスタの特性制御
古田 守アマン S G メハディ是友大地曲 勇作高知工科大SDM2018-6 OME2018-6
酸化物半導体をチャネル材料とした薄膜トランジスタ(TFT)は、従来の非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移... [more] SDM2018-6 OME2018-6
pp.25-28
SDM, OME
(共催)
2018-04-07
13:50
沖縄 沖縄県青年会館 InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタ
東 龍之介是友大地田中宏怜高知工科大)・髙橋誠一郎八島 勇三井金属鉱業)・○古田 守高知工科大SDM2018-7 OME2018-7
In–Ga–Zn–O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)は非晶質シリコンTFTに比較して10倍以上の電界効果移動度を有す... [more] SDM2018-7 OME2018-7
pp.29-31
SDM, OME
(共催)
2016-04-09
10:50
沖縄 沖縄県立博物館・美術館 博物館講座室 デバイスシミュレーションによるIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタのキャリア輸送メカニズムの解析 ~ バックチャネルキャリア濃度の影響 ~
是友大地戸田達也高知工科大)・松田時宜木村 睦龍谷大)・古田 守高知工科大SDM2016-14 OME2016-14
デバイスシミュレータ(ATLAS)を用い、In-Ga-Zn-O薄膜トランジスタ(IGZO TFT)におけるバックチャネル... [more] SDM2016-14 OME2016-14
pp.57-60
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