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 55件中 1〜20件目  /  [次ページ]  
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-08
13:15
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 [依頼講演]パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル
石井雄一郎田中美紀藪内 誠澤田陽平田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・Tien Yu LuChun Hsien HuangShou Sian ChenYu Tse KuoChing Cheng LungOsbert Chengユナイテッド・マイクロエレクトロニクス
従来の8TデュアルポートSRAMセルに対して, パスゲートトランジスタの対称性を向上し, リード・ライトディスターブ状態... [more] SDM2018-40 ICD2018-27
pp.83-88
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
12:45
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 10nm FinFETプロセスにおける回復効果を含むBTIのスタンダードセルのレイアウト形状依存性に関する研究
五十嵐満彦内田優希高沢義生塚本康正澁谷宏治新居浩二ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2018-47 ICD2018-34
pp.109-113
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2018-08-09
13:10
北海道 北海道大学大学院情報科学研究科 M棟M151 12nm FinFETプロセスを用いた3G search/s高速デュアルポートTCAMの開発
藪内 誠森本薫夫新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2018-48 ICD2018-35
pp.115-120
ICD 2018-04-20
10:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]IoT向け65nmSOTBプロセスを用いた2RWデュアルポートSRAMの設計事例
澤田陽平山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹藪内 誠ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘伊東恭二NSW)・田中信二新居浩二蒲原史郎ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2018-8
pp.29-32
ICD 2018-04-20
10:45
東京 機械振興会館 [依頼講演]同/異RowでのWLパルスタイミング調整を用いた同期型2RW 8T Dual-port SRAMのダイナミック電力削減
横山佳巧石井雄一郎奥田治之新居浩二REL
同期2-read/write (2RW) 8T dual-port (DP) SRAMにおいて動作電力を削減する効果的な... [more] ICD2018-9
pp.33-38
SDM, ICD
(共催)
ITE-IST
(連催) [詳細]
2017-07-31
10:40
北海道 北海道大学情報教育館 SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発
藪内 誠新居浩二田中信二ルネサス エレクトロニクス)・篠崎義弘日本システムウエア)・山本芳樹長谷川拓実新川田裕樹蒲原史朗ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2017-33 ICD2017-21
pp.13-16
ICD 2017-04-21
10:25
東京 機械振興会館 [依頼講演]16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM
澤田陽平藪内 誠森本薫夫ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明石井雄一郎ルネサス システムデザイン)・田中信二ルネサス エレクトロニクス)・田中美紀ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2017-12
pp.63-65
ICD, CPM, ED, EID, EMD, MRIS, OME, SCE, SDM
(共催)
QIT
(併催) [詳細]
2017-01-31
15:25
広島 みやじま杜の宿(広島) ビット密度5.92Mb/mm2を実現したダブルポンピング回路を用いた28nm擬似2RW DP-SRAM
石井雄一郎薮内 誠澤田陽平森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・良田雄太柴田 健佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中信二新居浩二ルネサス エレクトロニクス
6TシングルポートSRAMセルとダブルポンピング回路を用いて、2-read/write (2RW)機能を実現した擬似2R... [more] EMD2016-86 MR2016-58 SCE2016-64 EID2016-65 ED2016-129 CPM2016-130 SDM2016-129 ICD2016-117 OME2016-98
pp.87-92
ICD 2016-04-14
10:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]低消費電力MCU向け40-nm 4-Mb組込みSRAMを用いた効率的なスクリーニング手法
良田雄太ルネサス システムデザイン)・横山佳巧石井雄一郎ルネサス エレクトロニクス)・稲田敏浩田中浩司田中美紀辻橋良樹ルネサス システムデザイン)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス
低消費マイコン(MCU)向けに、効率的なテストスクリーニング回路を搭載した組込みシングルポートSRAMを開発した。室温で... [more] ICD2016-1
pp.1-6
ICD 2016-04-14
11:00
東京 機械振興会館 [依頼講演]298-fJ/writecycle 650-fJ/readcycleを実現する画像処理プロセッサ向け28-nm FD-SOI 8T 3ポートSRAM
森 陽紀中川知己北原佑起河本優太高木健太吉本秀輔和泉慎太郎神戸大)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・川口 博吉本雅彦神戸大
28-nm FD-SOIプロセス技術を用いた, 低消費電力かつ低電圧な画像処理向け64-kb 8T3ポートSRAMを提案... [more] ICD2016-3
pp.13-16
SDM 2016-01-28
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例
新居浩二薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・横山佳巧ルネサス システムデザイン)・石井雄一郎岡垣 健森本薫夫塚本康正ルネサス エレクトロニクス)・田中浩司田中美紀ルネサス システムデザイン)・田中信二ルネサス エレクトロニクス
 [more] SDM2015-125
pp.21-25
SDM, ICD
(共催)
2015-08-24
15:50
熊本 熊本市 16nm FinFETの容量解析と性能・面積検討
岡垣 健渋谷宏治森本薫夫塚本康正新居浩二小野沢和徳REL
 [more] SDM2015-64 ICD2015-33
pp.37-40
ICD 2015-04-16
13:00
長野 信州大学 [依頼講演]20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム
藪内 誠塚本康正森本薫夫田中美紀新居浩二ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2015-1
pp.1-4
ICD 2015-04-16
13:25
長野 信州大学 [依頼講演]自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM
田中信二石井雄一郎薮内 誠ルネサス エレクトロニクス)・佐野聡明ルネサス システムデザイン)・田中浩司塚本康正・○新居浩二佐藤広利ルネサス エレクトロニクス
 [more] ICD2015-2
pp.5-8
ICD 2015-04-16
13:50
長野 信州大学 [依頼講演]車載MCUにおける-40~170℃動作可能なWrite Disturb問題スクリーニング回路を有する40 nm Dual-port、Two-port SRAM
横山佳巧石井雄一郎福田達哉辻橋良樹宮西篤史ルネサス エレクトロニクス)・朝山 忍前川径一柴 和利ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング)・新居浩二ルネサス エレクトロニクス
40nm Flash混載CMOSプロセスを使用して、自動車アプリケーションMCU用に-40~170℃で動作するDual-... [more] ICD2015-3
pp.9-14
ICD 2015-04-16
16:40
長野 信州大学 [パネル討論]クラウド時代の半導体メモリー技術
新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・宮地幸祐信州大)・高野了成産総研)・高木健誠三輪 達サンディスク
近年の不揮発性メモリの発展、とりわけNAND型フラッシュメモリの高集積化に伴い、HDDからフラッシュメモリを用いたSSD... [more] ICD2015-7
p.31
SDM 2015-01-27
15:55
東京 機械振興会館 [招待講演]16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM
藪内 誠森本薫夫塚本康正田中信二田中浩司田中美紀新居浩二ルネサス エレクトロニクス
16nm High-KメタルゲートのフィンFETプロセスにおけるSRAMにワード線オーバードライブ方式のアシスト回路技術... [more] SDM2014-144
pp.37-40
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
10:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 2GHz CPUと低電力1GHz CPUを有する28nm High-k/MGプロセスを用いたヘテロジーニアス型マルチコアモバイルアプリケーションプロセッサ
五十嵐満彦植村俊文森 涼岸部浩司谷口正明若原康平齋藤俊治藤ヶ谷誠希福岡一樹新居浩二片岡 健服部俊洋ルネサス エレクトロニクス
本誌は我々のヘテロジーニアスクアッド/オクタ-コア構成のモバイルアプリケーションプロセッサ(AP)に搭載したパワーマネー... [more] SDM2014-64 ICD2014-33
pp.11-16
ICD, SDM
(共催)
2014-08-04
11:15
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 積層前TSVテスト回路及び1GHzフルデジタルノイズモニタを用いた12.8GB/s Wide IO DRAMコントローラのテスト容易化
野村隆夫森 涼高柳浩二落合俊彦福岡一樹木田 剛新居浩二森田貞行ルネサス エレクトロニクス
我々は、シリコン貫通ビア(TSV)技術を用いたWide IO DRAMコントローラチップを開発した。ファインピッチに配列... [more] SDM2014-65 ICD2014-34
pp.17-21
ICD, SDM
(共催)
2014-08-05
10:50
北海道 北海道大学 情報教育館(札幌市) 40 nm Flash混載プロセスを使用した170℃動作可能な超低電力SRAM
横山佳巧石井雄一郎小嶋英充宮西篤史辻橋良樹朝山 忍柴 和利田中浩二福田達哉新居浩二柳沢一正ルネサス エレクトロニクス
車載マイコン向けの40nmフラッシュ混載プロセスを用いて-40~170℃という広い温度範囲で安定動作可能なSRAMマクロ... [more] SDM2014-74 ICD2014-43
pp.65-70
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