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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2013-01-18
13:00
東京 機械振興会館 Siショットキーバリアダイオードを集積化したGaNトランジスタによるDC-DCコンバータの高効率動作
宇治田信二森田竜夫梅田英和木下雄介田村聡之按田義治上田哲三田中 毅パナソニックED2012-122 MW2012-152
低電圧DC-DCコンバータ用途として、Siショットキーバリアダイオード(SBD)を集積化したノーマリオフGaNトランジス... [more] ED2012-122 MW2012-152
pp.53-56
ED, MW
(共催)
2012-01-12
14:30
東京 機械振興会館 P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
柴田大輔海原一裕村田智洋山田康博森田竜夫按田義治石田昌宏石田秀俊上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2011-137 MW2011-160
 [more] ED2011-137 MW2011-160
pp.101-105
ED, MW
(共催)
2012-01-12
15:35
東京 機械振興会館 Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力・高利得化に向けたフィールドプレート設計
中澤敏志鶴見直大西嶋将明按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅パナソニックED2011-139 MW2011-162
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力化および高利得化に向けてフィールドプレート構造を適用し、小信号RF特性から... [more] ED2011-139 MW2011-162
pp.111-115
MW, ED
(共催)
2011-01-14
10:35
東京 機械振興会館 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
梅田英和鈴木朝実良按田義治石田昌宏上田哲三田中 毅上田大助パナソニックED2010-184 MW2010-144
Si基板に空乏層を形成することで,同基板上GaNパワートランジスタの高耐圧化を実現する,いわゆる耐圧ブースト技術を開発し... [more] ED2010-184 MW2010-144
pp.51-54
ED 2010-12-17
10:35
宮城 東北大学 電気通信研究所 [招待講演]準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス
酒井啓之黒田正行根来 昇村田智洋永井秀一西嶋将明按田義治上田哲三田中 毅パナソニックED2010-167
準ミリ波帯での長距離通信向けの低コスト基板上GaN送受信デバイスを開発した。受信用には高周波特性に優れたサファイア基板を... [more] ED2010-167
pp.53-58
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