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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2019-06-21
11:00
愛知 名古屋大学 VBL3F NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価
細井卓治Kidist Moges阪大)・染谷 満産総研)・志村考功阪大)・原田信介産総研)・渡部平司阪大
 [more] SDM2019-25
pp.1-4
SDM 2018-06-25
11:40
愛知 名古屋大学 VBL3F 高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御
細井卓治山田高寛野崎幹人阪大)・高橋言諸山田 永清水三聡産総研)・吉越章隆原子力機構)・志村考功渡部平司阪大
GaN MOSFETは高耐圧・低損失スイッチング素子として期待されているが、その実現には良質な絶縁膜および絶縁膜/GaN... [more] SDM2018-18
pp.11-14
SDM 2015-06-19
14:15
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明
岡 博史箕浦佑也淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大
Ge n-MOSFETではn型不純物の低い活性化率および高い拡散係数に加え、金属電極/Ge界面におけるフェルミレベルピニ... [more] SDM2015-48
pp.51-55
SDM 2014-06-19
09:30
愛知 名古屋大学 ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー 極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計
淺原亮平細井卓治志村考功渡部平司阪大
高性能Ge-MOSFET実現には、1 nm以下のSiO2換算膜厚(Equivalent Oxide Thickness:... [more] SDM2014-43
pp.1-5
SDM 2013-06-18
10:00
東京 機械振興会館 Metal/High-k/Geゲートスタックにおけるジャーマナイド形成とその電気特性への影響
細井卓治秀島伊織箕浦佑也田中亮平阪大)・吉越章隆寺岡有殿原子力機構)・志村考功渡部平司阪大
 [more] SDM2013-47
pp.19-23
SDM 2013-06-18
15:30
東京 機械振興会館 [依頼講演]SiCパワーMOSFET向け高誘電率ゲート絶縁膜技術
細井卓治阪大)・東雲秀司柏木勇作保坂重敏東京エレクトロン)・中村亮太中野佑紀浅原浩和中村 孝ローム)・木本恒暢京大)・志村考功渡部平司阪大
 [more] SDM2013-59
pp.77-80
SDM 2013-06-18
16:10
東京 機械振興会館 [依頼講演]熱酸化SiC-MOSデバイス中の可動イオンの異常生成と特性改善技術
渡部平司チャンタパン アタウット阪大)・中野佑紀中村 孝ローム)・細井卓治志村考功阪大
熱酸化によって4H-SiC(0001)基板上に形成したMOSデバイス中の可動イオンの異常生成を詳細に調べると共に,その改... [more] SDM2013-61
pp.87-90
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-27
11:30
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]Gate Stack Technologies for Silicon Carbide Power MOS Devices
Takuji HosoiTakashi KirinoYusuke UenishiDaisuke IkeguchiAtthawut ChanthaphanOsaka Univ.)・Akitaka YoshigoeYuden TeraokaJAEA)・Shuhei MitaniYuki NakanoTakashi NakamuraROHM)・Takayoshi ShimuraHeiji WatanabeOsaka Univ.
 [more]
SDM 2012-06-21
10:20
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価
箕浦佑也糟谷篤志細井卓治志村考功渡部平司阪大
Geは高いキャリア移動度を有することから、次世代CMOSデバイスのチャネル材料として有望視されている。Ge-MOSのゲー... [more] SDM2012-47
pp.23-26
SDM 2012-06-21
11:55
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化
細井卓治大嶽祐輝有村拓晃力石薫介北野尚武志村考功渡部平司阪大
ゲートファーストmeta/high-kスタックの課題として,実効仕事関数の制御とEOTスケーリングが挙げられる.TiN/... [more] SDM2012-51
pp.43-46
SDM 2011-07-04
15:40
愛知 名古屋大学(ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー) 高温熱処理によるTiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタック中Hf及びLa原子のTiN電極中への拡散とMIPS構造による抑制
大嶽祐輝有村拓晃佐伯雅之力石薫介北野尚武細井卓治志村考功渡部平司阪大
ゲートファーストプロセスによるMetal/High-kスタックの実現に向け、TiN/HfLaSiO/SiO2ゲートスタッ... [more] SDM2011-65
pp.87-92
SDM 2010-11-11
14:40
東京 機械振興会館 [招待講演]金属電極/高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解
細井卓治佐伯雅之喜多祐起奥 雄大有村拓晃北野尚武阪大)・白石賢二山田啓作筑波大)・志村考功渡部平司阪大
p型電極/高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは,電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず,ソース/ドレイン活性化アニー... [more] SDM2010-175
pp.23-28
SDM 2009-06-19
10:50
東京 東京大学(生産研An棟) GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術
渡部平司齊藤真里奈齊藤正一朗岡本 学朽木克博細井卓治小野倫也志村考功阪大
 [more] SDM2009-29
pp.15-20
SDM 2008-12-05
13:15
京都 京都大学桂キャンパスA1-001 [招待講演]金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構
渡部平司喜多祐起細井卓治志村考功阪大)・白石賢二筑波大)・奈良安雄半導体先端テクノロジーズ)・山田啓作早大
 [more] SDM2008-188
pp.21-25
SDM, OME
(共催)
2008-04-12
10:35
沖縄 沖縄県青年会館 Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成
吉本千秋大参宏昌志村考功垣内弘章渡部平司安武 潔阪大
現在、薄膜トランジスタに代表される大面積電子デバイスの高性能化には、大粒径多結晶Si薄膜の形成が必要とされている。我々は... [more] SDM2008-18 OME2008-18
pp.89-94
SDM 2007-06-08
14:40
広島 広島大学(学士会館) ゲルマニウム窒化膜の形成と評価
朽木克博岡本 学細井卓治志村考功安武 潔渡部平司阪大
高密度プラズマによるGe基板の窒化を行い、アモルファス純窒化膜(Ge$_3$N$_4$)の形成に成功した。350 $^o... [more] SDM2007-49
pp.97-100
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