| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 研究会 開催スケジュール |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
すべての研究会開催スケジュール (検索条件: すべての年度)
| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| ICD | 2013-04-11 14:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | ［依頼講演］32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ～ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ～ ○遠藤哲郎・大澤 隆・小池洋紀（東北大）・三浦貞彦・本庄弘明・徳留圭一（NEC）・池田正二・羽生貴弘・大野英男（東北大）  ICD2013-6 |
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] | ICD2013-6 pp.27-32 |
| ICD | 2013-04-11 16:20 |
茨城 | 産業技術総合研究所 つくばセンター | スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術 ○辻 幸秀・根橋竜介・崎村 昇・森岡あゆ香・本庄弘明・徳留圭一・三浦貞彦（NEC）・鈴木哲広（ルネサス エレクトロニクス）・深見俊輔・木下啓藏・羽生貴弘・遠藤哲郎・笠井直記・大野英男（東北大）・杉林直彦（NEC） ICD2013-9 |
磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラ... [more] | ICD2013-9 pp.41-46 |
| OPE | 2006-02-17 16:05 |
東京 | 機械振興会館 | Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD ○鶴岡清貴・小林隆二・難波江宏一・徳留圭一・大澤洋一・加藤友章（NEC） |
狭幅選択MOVPE成長AlGaInAs-MQW活性層をルテニウム(Ru)ドープ高抵抗InPで埋め込んだ1.3 μm帯埋め... [more] | OPE2005-153 pp.41-46 |
| LQE | 2004-12-03 11:45 |
東京 | 機械振興会館 | 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振 ○山田みつき・阿南隆由・畠山 大・徳留圭一・鈴木尚文・中村隆宏・西 研一（NEC） |
GaInNAs活性層を用いた1.3μm帯面発光レーザ（VCSEL）は、中距離・大容量伝送用の低コスト・低消費電力光源とし... [more] | LQE2004-122 pp.21-26 |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]