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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2013-04-11
14:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]32ビット細粒度パワーゲーティングを使った不揮発性混載用1Mb 4T2MTJ STT-RAM ~ 1.0ns/200psのWake-up/Power-off時間を達成 ~
遠藤哲郎大澤 隆小池洋紀東北大)・三浦貞彦本庄弘明徳留圭一NEC)・池田正二羽生貴弘大野英男東北大ICD2013-6
不揮発性でありながら書き込み耐性の良いスピン注入型の磁気トンネル接合素子(STT-MTJ)を用いた4T2MTJのメモリセ... [more] ICD2013-6
pp.27-32
ICD 2013-04-11
16:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター スピン論理集積回路における基本ゲートの高信頼化技術
辻 幸秀根橋竜介崎村 昇森岡あゆ香本庄弘明徳留圭一三浦貞彦NEC)・鈴木哲広ルネサス エレクトロニクス)・深見俊輔木下啓藏羽生貴弘遠藤哲郎笠井直記大野英男東北大)・杉林直彦NECICD2013-9
磁壁移動型スピン素子を用いた不揮発性論理ゲートにおいてゲート内でスピン素子を冗長化させることで、1スピン素子に起こるエラ... [more] ICD2013-9
pp.41-46
OPE 2006-02-17
16:05
東京 機械振興会館 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD
鶴岡清貴小林隆二難波江宏一徳留圭一大澤洋一加藤友章NEC
狭幅選択MOVPE成長AlGaInAs-MQW活性層をルテニウム(Ru)ドープ高抵抗InPで埋め込んだ1.3 μm帯埋め... [more] OPE2005-153
pp.41-46
LQE 2004-12-03
11:45
東京 機械振興会館 1.34μm帯GaInNAs面発光レーザの低閾値発振
山田みつき阿南隆由畠山 大徳留圭一鈴木尚文中村隆宏西 研一NEC
GaInNAs活性層を用いた1.3μm帯面発光レーザ(VCSEL)は、中距離・大容量伝送用の低コスト・低消費電力光源とし... [more] LQE2004-122
pp.21-26
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