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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2017-11-09
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]SISPAD 2017 レビュー(1)
廣木 彰京都工繊大SDM2017-62
 [more] SDM2017-62
pp.5-10
SDM 2017-11-10
14:30
東京 機械振興会館 [招待講演]行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標
熊代成孝亀井達也廣木 彰小林和淑京都工繊大SDM2017-70
パワーデバイスの過渡シミュレーションの正確な時間刻み制御指標を提案する。本指標は行列指数法によって求められた、デバイス構... [more] SDM2017-70
pp.47-52
SDM 2012-11-16
10:00
東京 機械振興会館 20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価
山本真大廣木 彰尹 鍾鐵京都工繊大SDM2012-104
ITRSでMOSデバイスの電気特性の計算に用いられるプログラムMASTARの電子実効移動度モデルの精度を評価した。評価方... [more] SDM2012-104
pp.25-30
SDM 2011-11-11
15:20
東京 機械振興会館 極微細MOSFETにおけるチャネル長変調係数のゲート電圧依存性
廣木 彰尹 鍾鐵京都工繊大SDM2011-128
極微細MOSFETのドレイン電流解析モデルにおいて,飽和ドレイン電流の特性を決定するチャネル長変調係数は,ディジタル回路... [more] SDM2011-128
pp.75-80
SDM 2011-11-11
15:45
東京 機械振興会館 極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果
尹 鍾鐵廣木 彰京都工繊大SDM2011-129
極微細MOSFETにおけるソース・ドレイン寄生抵抗の高次の効果を調べた。寄生抵抗の高次の効果を含む飽和ドレイン電流を導出... [more] SDM2011-129
pp.81-85
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