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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
LQE, ED, CPM
(共催)		 2005-10-13
13:30		 滋賀 立命館大学 C帯170W出力GaN-HEMTの開発
○高田賢治・桜井博幸・松下景一・増田和俊・高塚眞治・蔵口雅彦・鈴木拓馬・鈴木　隆・広瀬真由美・川崎久夫・高木一考・津田邦男（東芝） 		AlGaN/GaN HEMTは次世代の高周波パワーデバイスとして期待され、最近ではL帯アプリケーション向けとして非常に優... [more] ED2005-126 CPM2005-113 LQE2005-53
pp.39-42
MW, ED
(共催)		 2005-01-18
13:25		 東京 機械振興会館 5W出力1.9GHｚ動作のAlGaN/GaN-HEMT SPDTスイッチ
○広瀬真由美・高田賢治・蔵口雅彦・佐々木忠寛・鈴木　隆・津田邦男（東芝） 		アンドープAlGaN/GaNのHEMTを用いて、1.9GHz動作、5W出力のSPDTスイッチを試作した。HEMT構造は、... [more] ED2004-219 MW2004-226
pp.41-45
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