研究会 |
発表日時 |
開催地 |
タイトル・著者 |
抄録 |
資料番号 |
LQE, OPE, CPM, EMD, R (共催) |
2023-08-25 11:40 |
宮城 |
東北大学 電気通信研究所本館 オープンセミナールーム(M153) (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
金属回折格子における非伝搬モードを用いた表面プラズモンセンサーの作製と評価 ○元垣内敦司・原田旺尭・平松和政(三重大) R2023-32 EMD2023-27 CPM2023-37 OPE2023-76 LQE2023-23 |
金属回折格子からなる表面プラズモンセンサーに光を垂直入射した際に有する,定在した伝搬型表面プラズモン(以下,非伝搬モード... [more] |
R2023-32 EMD2023-27 CPM2023-37 OPE2023-76 LQE2023-23 pp.77-82 |
EMD, R, LQE, OPE, CPM (共催) |
2022-08-26 11:00 |
千葉 |
千葉工業大学津田沼キャンパス + オンライン開催 (ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催) |
表面プラズモン共鳴による近紫外・可視光波長選択光吸収体の作製 ○元垣内敦司・清水清義・赤塚かれん・田中凌雅・平松和政(三重大) R2022-24 EMD2022-12 CPM2022-29 OPE2022-55 LQE2022-18 |
本研究では、二層ワイヤーグリッド構造を使用して、短波長可視および近紫外領域の偏光に依存する狭帯域の波長選択プラズモニック... [more] |
R2022-24 EMD2022-12 CPM2022-29 OPE2022-55 LQE2022-18 pp.44-49 |
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN (共催) PEM, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2018-01-25 14:15 |
兵庫 |
姫路西はりま地場産業センター |
二層型ワイヤーグリッド構造における伝搬型表面プラズモンの伝搬特性に関する研究 ○渡邊直也・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) PN2017-46 EMT2017-83 OPE2017-124 LQE2017-106 EST2017-82 MWP2017-59 |
ワイヤーグリッド(WG)構造は様々な応用が期待されている構造である. 偏光子や波長板, 光吸収体などの応用が考えられてい... [more] |
PN2017-46 EMT2017-83 OPE2017-124 LQE2017-106 EST2017-82 MWP2017-59 pp.41-45 |
EMT, EST, LQE, MWP, OPE, PN (共催) PEM, IEE-EMT (連催) ※学会内は併催 [詳細] |
2018-01-25 14:40 |
兵庫 |
姫路西はりま地場産業センター |
一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーのプラズモン励起特性及び感度特性 ○伊藤優佑・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) PN2017-47 EMT2017-84 OPE2017-125 LQE2017-107 EST2017-83 MWP2017-60 |
[more] |
PN2017-47 EMT2017-84 OPE2017-125 LQE2017-107 EST2017-83 MWP2017-60 pp.47-52 |
LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 14:45 |
愛知 |
名古屋工業大学 |
スパッタ法AlN基板へのMOVPE法によるホモ成長 ○吉澤 涼・林 侑介・三宅秀人・平松和政(三重大) ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 |
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] |
ED2017-66 CPM2017-109 LQE2017-79 pp.83-86 |
LQE, CPM, ED (共催) |
2017-12-01 15:10 |
愛知 |
名古屋工業大学 |
Face to Face法アニールによる AlN極性反転構造の作製と疑似位相整合 SHGへの応用 ○林 侑介・三宅秀人・平松和政・秋山 亨・伊藤智徳(三重大)・片山竜二(阪大) ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80 |
[more] |
ED2017-67 CPM2017-110 LQE2017-80 pp.87-90 |
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-18 11:25 |
三重 |
伊勢市観光文化会館 |
一次元金属回折格子を用いた表面プラズモンセンサーの周期及び入射角度依存性と感度特性 ○伊藤優佑・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) PN2016-44 EMT2016-73 OPE2016-119 LQE2016-108 EST2016-83 MWP2016-57 |
表面プラズモンセンサーは, 表面プラズモンポラリトン(SPP)の励起を利用して, 対象媒質の屈折率の変化に対応して検出を... [more] |
PN2016-44 EMT2016-73 OPE2016-119 LQE2016-108 EST2016-83 MWP2016-57 pp.13-18 |
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-18 11:50 |
三重 |
伊勢市観光文化会館 |
表面プラズモンを用いたワイヤーグリッド偏光子の作製と偏光特性評価に関する研究 ○中嶋智康・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) PN2016-45 EMT2016-74 OPE2016-120 LQE2016-109 EST2016-84 MWP2016-58 |
我々はこれまでに2層型ワイヤーグリッド偏光子(WGP)の周期によって異常透過の起きる入射角度が変化し, 表面プラズモン(... [more] |
PN2016-45 EMT2016-74 OPE2016-120 LQE2016-109 EST2016-84 MWP2016-58 pp.19-22 |
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-19 15:25 |
三重 |
伊勢市観光文化会館 |
Au 2次元回折格子構造による光学素子の作製と光学特性評価 ○山田泰士・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) PN2016-82 EMT2016-111 OPE2016-157 LQE2016-146 EST2016-121 MWP2016-95 |
Au 2次元回折格子構造を使った光学ミラーの実現のために、電子線リソグラフィ技術とリフトオフ工程を利用して作製し、光学特... [more] |
PN2016-82 EMT2016-111 OPE2016-157 LQE2016-146 EST2016-121 MWP2016-95 pp.269-272 |
OPE, EST, LQE, EMT, PN, MWP (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2017-01-19 15:50 |
三重 |
伊勢市観光文化会館 |
焦点制御型回折レンズの作製と焦点距離と焦点深度の制御 ○井口陽介・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) PN2016-83 EMT2016-112 OPE2016-158 LQE2016-147 EST2016-122 MWP2016-96 |
レーザー光を様々な分野へ応用するために,周期構造によって焦点距離と焦点深度を制御できる焦点制御型回折レンズの設計を行い,... [more] |
PN2016-83 EMT2016-112 OPE2016-158 LQE2016-147 EST2016-122 MWP2016-96 pp.273-278 |
ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 10:55 |
大阪 |
大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
微傾斜角度の異なるc面サファイア基板上へのAlN成長とN2-COアニール ○鈴木周平・林 家弘・三宅秀人・平松和政(三重大)・福山博之(東北大) ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101 |
AlNはワイドギャップ半導体で,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.高効率な... [more] |
ED2015-69 CPM2015-104 LQE2015-101 pp.5-9 |
ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 11:20 |
大阪 |
大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長 ○安井大貴・三宅秀人・平松和政(三重大)・岩谷素顕・赤崎 勇(名城大)・天野 浩(名大) ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102 |
AlN(窒化アルミニウム)はワイドバンドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外域の発光・受光... [more] |
ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102 pp.11-14 |
ED, LQE, CPM (共催) |
2015-11-26 15:05 |
大阪 |
大阪市立大学・学術情報センター会議室 |
[招待講演]AlNテンプレート上Si添加高AlNモル分率AlxGa1-xN多重量子井戸の時間空間分解陰極線蛍光分光評価 ○秩父重英(東北大)・三宅秀人・平松和政(三重大) ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108 |
[more] |
ED2015-76 CPM2015-111 LQE2015-108 pp.43-48 |
OPE, LQE (共催) |
2014-12-18 11:05 |
東京 |
機械振興会館(12/18)、NTT厚木センタ(12/19) |
光学フィルタへの応用に向けた金属2次元回折格子構造の作製と光学特性評価 ○鬼頭壮宜・元垣内敦司・三宅秀人・平松和政(三重大) OPE2014-141 LQE2014-128 |
従来技術に変わる熱線遮蔽対策として,可視光は透過,赤外光は反射を同時に達成するコールドフィルタを実現するために,金属2次... [more] |
OPE2014-141 LQE2014-128 pp.11-14 |
LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-27 11:50 |
大阪 |
大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
減圧MOVPE法によるAlGaN多重量子井戸構造の緩衝層の効果 ○中濵和大(三重大)・福世文嗣(浜松ホトニクス)・三宅秀人・平松和政(三重大)・吉田治正・小林祐二(浜松ホトニクス) ED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104 |
[more] |
ED2014-76 CPM2014-133 LQE2014-104 pp.15-18 |
LQE, ED, CPM (共催) |
2014-11-28 16:00 |
大阪 |
大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 |
GaN自立基板の表面におけるサーマルクリーニングの効果 ○岡田俊祐・三宅秀人・平松和政(三重大)・宮川鈴衣奈・江龍 修(名工大)・橋詰 保(北大) ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 |
極性面である(0001)面及び非極性面である(10-10)面や(20-21)面,(20-2-1)面を主面とするGaN自立... [more] |
ED2014-96 CPM2014-153 LQE2014-124 pp.111-115 |
CPM, ED, SDM (共催) |
2014-05-29 11:15 |
愛知 |
名古屋大学VBL3階 |
AlN基板の表面処理とホモエピタキシャル成長 ○渡邉祥順・三宅秀人・平松和政(三重大)・岩崎洋介(JFEミネラル) ED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35 |
窒化アルミニウムは深紫外域の発光・受光デバイスや高出力・高周波パワーデバイスなどの基板として注目されている。近年のHVP... [more] |
ED2014-37 CPM2014-20 SDM2014-35 pp.97-100 |
CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:00 |
大阪 |
大阪大学 吹田キャンパス |
薄膜3C-SiC緩衝層を用いたSi基板上GaN成長 ○片桐正義・泉 健太・三宅秀人・平松和政(三重大)・奥 秀彦・浅村英俊・川村啓介(エア・ウォーターR&D) ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114 |
Si 基板上のGaN 成長においては,熱膨張係数差に起因する基板の反りやクラックの発生,SiとGa との反応によるメルト... [more] |
ED2013-79 CPM2013-138 LQE2013-114 pp.71-74 |
CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:25 |
大阪 |
大阪大学 吹田キャンパス |
サファイア上AlN緩衝層のN2-COアニールとMOVPE法による高温成長 ○西尾 剛・鈴木周平・三宅秀人・平松和政(三重大)・福山博之(東北大) ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 |
AlNはワイドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外光デバイス材料として注目されている.本研... [more] |
ED2013-80 CPM2013-139 LQE2013-115 pp.75-78 |
CPM, LQE, ED (共催) |
2013-11-29 11:50 |
大阪 |
大阪大学 吹田キャンパス |
減圧HVPE成長を用いた6H-SiC基板上へのAlN成長における核形成制御 ○北川 慎・三宅秀人・平松和政(三重大) ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116 |
窒化アルミニウムは禁制帯幅が約6.2eVのため深紫外域の光デバイス用の基板として期待されているが、高品質AlN自立基板の... [more] |
ED2013-81 CPM2013-140 LQE2013-116 pp.79-82 |