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 17件中 1~17件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2017-01-26
14:50
東京 機械振興会館地下2階1号室 [依頼講演]ミリ波GaN HEMTの現状
牧山剛三新井田佳孝尾崎史朗多木俊裕岡本直哉美濃浦優一佐藤 優鎌田陽一常信和清渡部慶二富士通)・宮本泰幸東工大
 [more] ED2016-98 MW2016-174
pp.13-16
ED 2016-07-23
14:00
東京 首都大学東京 南大沢キャンパス 国際交流会館 大会議室 水蒸気を用いた表面酸化制御InAlN/GaN MOS-HEMT
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉常信和清富士通研
 [more] ED2016-27
pp.1-4
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
13:15
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 MSQ Low-k絶縁膜を用いたミリ波帯GaN-HEMTの電流コラプス抑制
尾崎史朗牧山剛三多木俊裕鎌田陽一佐藤 優新井田佳孝岡本直哉増田 哲常信和清富士通
ミリ波帯GaN高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor:HEMT)の... [more] ED2014-90 CPM2014-147 LQE2014-118
pp.81-84
CPM, LQE, ED
(共催)
2010-11-11
16:50
大阪 阪大 中ノ島センター ミリ波高出力GaN-HEMT
牧山剛三多木俊裕岡本直哉金村雅仁増田 哲中舍安宏常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀尾崎史朗中村哲一富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研
 [more] ED2010-153 CPM2010-119 LQE2010-109
pp.51-54
MW 2009-09-25
15:15
東京 電通大 効率50%超C帯340W、X帯100W級GaN高出力増幅器
重松寿生井上雄介赤瀬川章彦増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研
本論文では0.25 um GaN-HEMTを用いた超100 W出力のX帯高出力増幅器および0.8 um GaN-HEMT... [more] MW2009-86
pp.73-78
SDM, ED
(共催)
2009-06-24
14:00
海外 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) [招待講演]準ミリ波・ミリ波帯CMOSパワー増幅器
鈴木俊秀川野陽一富士通/富士通研)・佐藤 優富士通研)・中舍安宏廣瀬達哉富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・常信和清富士通/富士通研
本論文は90 nm CMOS技術を用いた準ミリ波・ミリ波帯のパワーアンプに関する。準ミリ波アンプは20GHzで線形利得1... [more] ED2009-50 SDM2009-45
pp.1-4
ED 2009-06-12
11:25
東京 東京工業大学 GaN-HEMTエピ構造最適化によるオフ電流低減
山田敦史牧山剛三多木俊裕金村雅仁常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研
ミリ波帯応用向けの短ゲートGaN-HEMTのピンチオフ電流の低減には、GaNチャネル層の薄層化が有効である.しかしながら... [more] ED2009-48
pp.63-67
MW, ED
(共催)
2009-01-16
09:30
東京 機械振興会館 C帯超300W、50%GaN高出力・高効率増幅器
重松寿生井上雄介増田 哲山田全男金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英常信和清原 直紀富士通研
 [more] ED2008-218 MW2008-183
pp.113-118
MW, ED
(共催)
2009-01-16
10:55
東京 機械振興会館 ミリ波向け高耐圧・高出力GaN-HEMT
牧山剛三多木俊裕金村雅仁常信和清今西健治富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英富士通/富士通研
ミリ波(W帯)増幅器向けGaN高移動度トランジスタ(GaN-HEMT)の3端子耐圧向上技術について報告する。GaN-HE... [more] ED2008-221 MW2008-186
pp.129-133
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-28
13:55
愛知 名古屋工業大学 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器
多木俊裕吉川俊英金村雅仁今西健治牧山剛三岡本直哉常信和清原 直紀富士通/富士通研
 [more] ED2008-178 CPM2008-127 LQE2008-122
pp.131-136
MW, EMCJ
(共催)
2008-10-23
16:45
山形 山形大学(米沢) ミリ波帯CMOSパワーアンプ
鈴木俊秀川野陽一佐藤 優廣瀬達哉原 直紀常信和清富士通研
あらまし ミリ波帯で設計可能なトランジスタの独自モデルとパラメータの開発、さらに配線ロスを低減する整合回路設計技術を用... [more] EMCJ2008-67 MW2008-111
pp.47-51
SDM, R, ED
(共催)
2007-11-16
15:20
大阪 中央電気倶楽部 高信頼GaN-HEMT開発のための劣化モード解析
井上雄介増田 哲金村雅仁多木俊裕牧山剛三岡本直哉今西健治吉川俊英原 直紀重松寿生常信和清富士通研
 [more] R2007-51 ED2007-184 SDM2007-219
pp.27-31
MW, ED
(共催)
2007-01-19
15:15
東京 機械振興会館 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
金村雅仁多木俊裕今西健治牧山剛三岡本直哉富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・吉川俊英常信和清富士通/富士通研
 [more] ED2006-236 MW2006-189
pp.199-203
MW 2006-09-07
10:50
東京 東工大 [特別講演]2006年IEEE MTT-S 国際マイクロ波シンポジウム(IMS2006)出席報告
荒木純道東工大)・李 可人NICT)・西川健二NTT)・常信和清富士通)・吉増敏彦早大)・黒木太司呉高専)・大橋英征宮崎守泰三菱電機)・馬 哲旺埼玉大
 [more] MW2006-106
pp.175-183
ED, MW
(共催)
2006-01-19
15:10
東京 機械振興会館 基地局向け3インチ導電性SiC基板上高均一GaN-HEMT
吉川俊英今西健治金村雅仁常信和清富士通研
 [more] ED2005-207 MW2005-161
pp.45-49
ED, MW
(共催)
2006-01-19
15:35
東京 機械振興会館 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT
金村雅仁吉川俊英岩井大介今西健治久保徳郎常信和清富士通研
 [more] ED2005-208 MW2005-162
pp.51-55
MW, ED
(共催)
2005-01-18
13:50
東京 機械振興会館 導電性N-SiC基板上高出力AlGaN/GaN HEMT
金村雅仁吉川俊英常信和清富士通研
 [more] ED2004-220 MW2004-227
pp.47-51
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