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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-29
16:30
愛知 名古屋工業大学 酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeSxOy薄膜の作製とZnO/FeSxOyヘテロ接合太陽電池の作製
季 ぶん市村正也名工大
FeS2 はバンドギャップの狭い p 型半導体であるため、ヘテロ接合太陽電池では良好な吸収体とみなされている。半透明 F... [more] ED2018-40 CPM2018-74 LQE2018-94
pp.35-39
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
10:50
愛知 名古屋工業大学 電気化学堆積法によるp-NiO/n-ZnO透明太陽電池の作製
古山実季市村正也名工大
p型NiOとn型ZnOは共に優れた光学的透明性を示す。また、両材料によるpn接合は整流性と光起電力が報告され、透明太陽電... [more] ED2018-45 CPM2018-79 LQE2018-99
pp.61-64
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
11:15
愛知 名古屋工業大学 光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価
梅村将成市村正也名工大
AlOxは広い禁制帯や高い絶縁破壊電界など、電子デバイスに適した物性を多く持ち、その絶縁性の高さから絶縁膜として普及して... [more] ED2018-46 CPM2018-80 LQE2018-100
pp.65-70
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
14:20
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 電気化学堆積法によるNiO薄膜の作製
古山実季市村正也名工大
 [more] ED2017-17 CPM2017-3 SDM2017-11
pp.11-16
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
14:45
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) ドロップ光化学堆積法によるn型AlOx薄膜の作製
梅村将成市村正也名工大
AlOxは大きなバンドギャップから可視光に対して透明であり、化学的、熱的に安定な物質である。本研究室より、基板に溶液を滴... [more] ED2017-18 CPM2017-4 SDM2017-12
pp.17-22
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-25
15:25
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 電気化学堆積法によるCu添加p型Fe-O薄膜半導体の作製
小林悟史市村正也名工大
 [more] ED2017-19 CPM2017-5 SDM2017-13
pp.23-28
SDM, ED, CPM
(共催)
2017-05-26
09:55
愛知 名古屋大学VBLベンチャーホール (3F) 水溶液浸漬による4H-SiC(0001)Si面における表面再結合の抑制
加藤正史市川義人市村正也名工大)・木本恒暢京大
表面再結合はバイポーラSiCデバイスおよびSiC光触媒の性能に影響する因子の一つであるが、その速度を制御する手法は十分に... [more] ED2017-24 CPM2017-10 SDM2017-18
pp.51-54
CPM, ED, SDM
(共催)
2016-05-20
09:55
静岡 静岡大学 工学部 (浜松キャンパス・総合研究棟) 光化学堆積法による透明なp型半導体薄膜CuxZnySの熱処理
トン バインガルディ市村正也名工大
Zn-richなCuxZnySはp型で透明な半導体である。本研究では光化学堆積法によりCuxZnyS薄膜を作製し、熱処理... [more] ED2016-22 CPM2016-10 SDM2016-27
pp.43-46
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
09:55
愛知 豊橋技科大VBL棟 4H-SiC表面再結合速度の温度依存性の定量的評価
小濱公洋森 祐人加藤正史市村正也名工大
SiCバイポーラデバイスにおいて重要なパラメータであるキャリアライフタイムの制限因子のひとつに表面再結合速度がある。本研... [more] ED2015-30 CPM2015-15 SDM2015-32
pp.71-76
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
10:30
愛知 豊橋技科大VBL棟 電気化学堆積CuxZnyS薄膜の熱処理
トン バインガルディ市村正也名工大
 [more] ED2015-31 CPM2015-16 SDM2015-33
pp.77-80
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
11:20
愛知 豊橋技科大VBL棟 電気化学堆積法によるCu2O/Fe-Oヘテロ接合太陽電池の作製
張 朝龍名工大)・Junie Jhon M. Vequizo豊田工大)・市村正也名工大
 [more] ED2015-33 CPM2015-18 SDM2015-35
pp.85-90
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-29
11:45
愛知 豊橋技科大VBL棟 電気化学堆積硫化鉄薄膜の硫黄アニール処理とZnOとのヘテロ接合への応用
梶間崇宏名工大)・川井正一デンソー)・市村正也名工大
電気化学堆積法は水溶液中のイオンを還元させることで薄膜を堆積させる方法である。FeS2(パイライト)は豊富かつ無毒な元素... [more] ED2015-34 CPM2015-19 SDM2015-36
pp.91-95
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
13:20
愛知 名古屋大学VBL3階 異なるAl濃度を有するp型4H-SiCエピ膜の価電子帯近傍の深い準位
中根浩貴加藤正史市村正也名工大
超高耐圧SiCバイポーラデバイスの実現にはキャリアライフタイムの制御が必要とされ、深い準位の理解が必要不可欠である。p型... [more] ED2014-38 CPM2014-21 SDM2014-36
pp.101-104
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
13:40
愛知 名古屋大学VBL3階 高水準注入状態のSiCからの反射マイクロ波信号 ~ キャリアライフタイムの正確な評価に向けて ~
加藤正史森 祐人市村正也名工大
 [more] ED2014-39 CPM2014-22 SDM2014-37
pp.105-108
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
14:55
愛知 名古屋大学VBL3階 光化学堆積酸化スズ薄膜(SnO2)の光応答性
朴木貴法市村正也名工大
 [more] ED2014-42 CPM2014-25 SDM2014-40
pp.119-123
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
15:35
愛知 名古屋大学VBL3階 光照射電気化学堆積法によるSnS薄膜の作製とCdS/SnSヘテロ接合太陽電池への応用
田中良和市村正也名工大
電気化学堆積法では不溶性である硫黄をチオ硫酸イオンより供給することで多くの硫化物半導体が作製可能である.また,SnSは化... [more] ED2014-44 CPM2014-27 SDM2014-42
pp.129-134
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-16
13:30
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 様々な加工処理を施した4H-SiC表面のキャリアライフタイム評価
森 祐人加藤正史市村正也名工大
SiCを用いた超高耐圧のバイポーラデバイスにおいて,キャリアライフタイムはデバイス性能を左右する重要なパラメータであり、... [more] ED2013-16 CPM2013-1 SDM2013-23
pp.1-6
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-16
13:55
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定の試み
中根浩貴加藤正史市村正也名工大)・大島 武原子力機構
SiCデバイスの性能向上には、キャリアライフタイムの制御方法の確立が必要である。そのためには深い準位の物理的起源の理解が... [more] ED2013-17 CPM2013-2 SDM2013-24
pp.7-12
SDM, ED, CPM
(共催)
2013-05-17
14:55
静岡 静大(浜松)創造科学技術大学院 高効率水素生成に向けたSiCキャリアライフタイム評価
三宅景子安田智成加藤正史市村正也名工大)・畑山智亮奈良先端大)・大島 武原子力機構
太陽光を利用した水分解による水素生成は次世代エネルギー技術として注目されており、SiCはそのための材料の候補である。この... [more] ED2013-33 CPM2013-18 SDM2013-40
pp.93-98
SDM, ED
(共催)
2013-02-27
14:35
北海道 北海道大学(百年記念会館) 電気化学堆積法と電気泳動法によるCu2O/TiO2ヘテロ接合太陽電池の作製
加藤義人市村正也名工大
 [more] ED2012-130 SDM2012-159
pp.13-17
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