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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SDM 2016-01-28
15:20
東京 機械振興会館 [招待講演]次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ
池上一隆野口紘希高谷 聡鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一北川英二落合隆夫下村尚治才田大輔川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝SDM2015-126
MTJをキャッシュメモリに応用することで、プロセッサの消費電力を大幅に低減することが期待されている。しかし、10 ns以... [more] SDM2015-126
pp.27-30
ICD 2015-04-17
12:40
長野 信州大学 [招待講演]キャッシュメモリ向け垂直磁化型STT-MRAMの低電力化技術
野口紘希池上一隆櫛田桂一安部恵子板井翔吾高谷 聡田中千加鎌田親義天野 実北川英二下村尚治川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝ICD2015-10
 [more] ICD2015-10
pp.45-50
SDM 2015-01-27
14:50
東京 機械振興会館 [招待講演]次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM
池上一隆野口紘希鎌田親義天野 実安部恵子櫛田桂一落合隆夫下村尚治板井翔吾才田大輔田中千加川澄 篤原 浩幸伊藤順一藤田 忍東芝SDM2014-142
近年のプロセッサにおける性能向上はキャッシュメモリの増大に頼っている。しかしながら、従来のキャッシュメモリでは、SRAM... [more] SDM2014-142
pp.29-32
ICD 2014-04-18
11:20
東京 機械振興会館 [依頼講演]27%動作電力削減と85%リーク削減を実現する2電源SRAM用ビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路
櫛田桂一橘 文彦平林 修武山泰久川澄 篤鈴木 東仁木祐介静野観椰子佐々木慎一矢部友章畝川康夫東芝ICD2014-13
2電源SRAMの動作電力およびリーク電力を低減するビット線電力計算回路およびデジタル制御リテンション回路を提案した。ビッ... [more] ICD2014-13
pp.65-70
ICD 2014-04-18
14:50
東京 機械振興会館 [依頼講演]ISSCCにおけるメモリ論文動向 ~ 過去10年のトレンド解析と予想 ~
川澄 篤東芝ICD2014-16
ISSCCメモリ分野論文とCall for Paperを過去10年までさかのぼって解析しトレンドの抽出と将来の予想を行っ... [more] ICD2014-16
pp.83-84
ICD 2013-04-11
17:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [パネル討論]スマート社会におけるメモリソリューションの今後の展望 ~ 新不揮発メモリはSRAM/DRAM/フラッシュを置き換える? ~
新居浩二ルネサス エレクトロニクス)・遠藤哲郎東北大)・加藤佳一パナソニック)・半澤 悟日立)・梶谷一彦エルピーダメモリ)・川澄 篤東芝)・三輪 達サンディスクICD2013-11
近年、STT-MRAMやReRAMなど新しいメモリデバイスが続々と登場し技術革新が進んでいる。今後5年、10年後にこれら... [more] ICD2013-11
p.53
ICD 2013-04-12
13:30
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [招待講演]統計手法を利用した極低電圧SRAM向けセンスアンプタイミング生成回路
川澄 篤武山泰久平林 修櫛田桂一橘 文彦仁木祐介佐々木慎一矢部友章東芝ICD2013-18
SRAMの消費電力を低減させるためには,低電圧動作が有効である.低電圧化に伴ってトランジスタのランダムばらつきの影響が大... [more] ICD2013-18
pp.91-96
ICD 2013-04-12
14:20
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]ビット線電力計算回路とデジタルLDOを使用した2電源SRAMの消費電力削減スキーム
静野観椰子橘 文彦平林 修武山泰久川澄 篤櫛田桂一鈴木 東仁木祐介佐々木慎一矢部友章畝川康夫東芝ICD2013-19
動作条件に応じてSRAMの消費電力低減を実現するビット線電力計算器とデジタル制御リテンション回路を提案した。ビット線電力... [more] ICD2013-19
pp.97-102
ICD 2013-04-12
14:45
茨城 産業技術総合研究所 つくばセンター [依頼講演]非選択カラムのビット線電荷を有効利用するためのチャージコレクタ回路を搭載した13.8pJ/Access/Mbit SRAM
森脇真一山本安衛鈴 木 利 一半導体理工学研究センター)・川澄 篤東芝)・宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大ICD2013-20
本論文は、非選択カラムの電荷を有効利用のためのチャージコレクタ回路を有する1Mb SRAMを40nmテクノロジで製作した... [more] ICD2013-20
pp.103-108
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
09:35
北海道 札幌市男女共同参画センター 読出しビット線リミット機構を備えた40-nm 256-Kbサブ10pJ/access動作8T SRAM
吉本秀輔寺田正治梅木洋平奥村俊介神戸大)・川澄 篤鈴木利一森脇真一宮野信治半導体理工学研究センター)・川口 博吉本雅彦神戸大SDM2012-64 ICD2012-32
 [more] SDM2012-64 ICD2012-32
pp.7-12
ICD 2012-04-24
13:50
岩手 つなぎ温泉清温荘(岩手県) [依頼講演]ビット線振幅量を抑えるチャージシェア階層ビット線方式を用いた0.4V動作SRAM
森脇真一川澄 篤半導体理工学研究センター)・鈴木利一パナソニック)・山本安衛宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センター)・桜井貴康東大ICD2012-13
 [more] ICD2012-13
pp.67-71
ICD 2011-04-19
09:55
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]デジタル化したレプリカビット線遅延を用いたランダムばらつきに強いSRAMセンスアンプタイミング生成回路
仁木祐介川澄 篤鈴木 東武山泰久平林 修櫛田桂一橘 文彦藤村勇樹矢部友章東芝ICD2011-9
SRAMの消費電力を低減させるためには,低電圧で動作させることが有効である.しかしながら,低電圧化に伴ってトランジスタの... [more] ICD2011-9
pp.49-54
ICD 2011-04-19
11:20
兵庫 神戸大学 瀧川記念館 [依頼講演]サスペンディッド・ビットライン読出し方式を用いた0.5V 5.5nsecアクセスタイムバルクCMOS 8T SRAM
鈴木利一森脇真一川澄 篤宮野信治篠原尋史半導体理工学研究センターICD2011-12
低電圧(0.5V)で高速(アクセスタイム5.5nsec)のバルクCMOS 8T SRAMについて報告する。相補読出し型の... [more] ICD2011-12
pp.65-70
ICD 2010-04-22
09:00
神奈川 湘南工大 [招待講演]SRAMの技術動向と定負電位書込み回路を用いた32nm 0.149μm2セル低電圧コンフィギュラブルSRAM
藤村勇樹平林 修佐々木貴彦鈴木 東川澄 篤武山泰久櫛田桂一深野 剛片山 明仁木祐介矢部友章東芝ICD2010-1
本稿では、32nm High-k Metal Gate CMOSプロセスにて0.149μm2セルを用い開発した低電圧コン... [more] ICD2010-1
pp.1-6
ICD 2009-04-14
10:15
宮城 大観荘(宮城県松島町) [依頼講演]レベル可変ワード線ドライバを用いてプロセスばらつき耐性を向上した40nmCMOSプロセス0.179μm2セル2電源SRAM
藤村勇樹平林 修川澄 篤鈴木 東武山泰久櫛田桂一佐々木貴彦片山 明深野 剛中里高明志津木 康串山夏樹矢部友章東芝ICD2009-5
デバイススケーリングによる素子特性ばらつき増大への対策として,ロジック電源より200mV高いメモリセル専用電源を導入し,... [more] ICD2009-5
pp.21-26
ICD 2008-04-17
09:25
東京 機械振興会館 [招待講演]非対称ユニットβレシオセルを用いた0.7V,1GHz動作45nm SRAMマクロ
佐々木貴彦川澄 篤矢部友章武山泰久平林 修櫛田桂一東芝)・東畑晃史東芝マイクロエレクトロニクス)・片山 明深野 剛藤村勇樹大塚伸朗東芝ICD2008-1
$0.7V$単一電源により$1GHz$動作する$64kB$SRAMマクロを開発した [1] 。$45nm$テクノロジーを... [more] ICD2008-1
pp.1-6
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