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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
15:25
ONLINE オンライン開催 c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価
李 リヤン嶋 紘平東北大)・山中瑞樹名工大)・小島一信東北大)・江川孝志名工大)・上殿明良筑波大)・石橋章司産総研)・竹内哲也名城大)・三好実人名工大)・秩父重英東北大ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36
Al1-xInxNは、禁制帯幅 (Eg) 波長を深紫外線から赤外線まで変化させられる直接遷移型半導体混晶であり光・電子デ... [more] ED2021-24 CPM2021-58 LQE2021-36
pp.45-50
SDM 2015-03-02
15:25
東京 機械振興会館 [招待講演]CVD/ALDを用いたCu(Mn)/Co(W)配線システムの構築と3次元アトムプローブによるサブナノ構造・バリヤ性評価
嶋 紘平東大)・ツ ユアン韓 斌高見澤 悠東北大)・清水秀治東大)・清水康雄東北大)・百瀬 健東大)・井上耕治永井康介東北大)・霜垣幸浩東大SDM2014-169
ULSI-Cu配線の微細化に伴う配線抵抗の増大及びエレクトロマイグレーションの問題を克服すべく、我々はこれまでに新規バリ... [more] SDM2014-169
pp.39-44
SDM 2012-03-05
13:30
東京 機械振興会館 ALD/CVDによる次世代Cu配線用単層バリヤ/ライナーCo(W)膜
清水秀治大陽日酸/東大)・嶋 紘平百瀬 健東大)・小林芳彦大陽日酸)・霜垣幸浩東大SDM2011-180
ULSIの微細化に伴う配線抵抗の増大を抑えるため、新たな材料が必要とされている。特に、Cu配線の側壁に形成されるバリヤ/... [more] SDM2011-180
pp.25-29
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