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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| EE, WPT (併催) |
2016-10-06 16:25 |
京都 | 龍谷大学 セミナーハウス ともいき荘 (京都市) | マイクロ波絶縁ゲートドライバーを用いたパワーデバイス駆動技術 ○崔 成伯・永井秀一・根来 昇・河井康史・田畑 修・山田康博・上野弘明・上田哲三（パナソニックAIS）  EE2016-23 WPT2016-29 |
新しい電力形態である双方向に電力を送電する分散型電源システムは、小型化や低損失化が今後の設備普及において課題となっている... [more] | EE2016-23 WPT2016-29 pp.25-30(EE), pp.55-60(WPT) |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 15:00 |
愛知 | 名古屋工業大学 | P型伝導InN実現とその物性評価 ～ 現状と問題点について ～ ○吉川明彦・王 新強・崔 成伯・石谷善博（千葉大） ED2008-162 CPM2008-111 LQE2008-106 |
[more] | ED2008-162 CPM2008-111 LQE2008-106 pp.45-50 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2008-11-27 15:25 |
愛知 | 名古屋工業大学 | 超薄膜InN/(In)GaN量子井戸活性層を用いた新規青緑域発光デバイス ○崔 成伯・結城明彦・渡邊宏志・石谷善博・吉川明彦（千葉大） ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 |
高効率青緑域発光デバイスへの応用を目指した1分子層InN/InGaN/GaN量子井戸構造の結晶成長およびその発光ダイオー... [more] | ED2008-163 CPM2008-112 LQE2008-107 pp.51-56 |
| CPM, ED, LQE (共催) |
2007-10-12 14:40 |
福井 | 福井大学 | 新規ナノ構造発光デバイス開発に向けた、1分子層InN井戸/GaNマトリクス多重量子井戸構造の作製 ○橋本直樹・結城明彦・斉藤英幸（千葉大）・王 新強（JST）・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大/JST） ED2007-175 CPM2007-101 LQE2007-76 |
RF-MBE法によるGa極性GaN上のInN超薄膜成長メカニズムを明らかにするするため、InN供給量に対するInN層厚の... [more] | ED2007-175 CPM2007-101 LQE2007-76 pp.93-96 |
| CPM | 2006-11-09 15:20 |
石川 | 金沢大学 | RF-MBE法により成長したAlInN薄膜のCL測定による評価 ○味村 裕・寺嶋 亘（千葉大）・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大/JST） |
[more] | CPM2006-117 pp.25-30 |
| LQE, ED, CPM (共催) |
2005-10-13 11:40 |
滋賀 | 立命館大学 | AlInN3元混晶の成長とInN/AlInN MQWs構造の作製評価 ○寺嶋 亘・崔 成伯・石谷善博・吉川明彦（千葉大） |
[more] | ED2005-124 CPM2005-111 LQE2005-51 pp.29-34 |
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