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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
NS, ICM, CQ, NV
(併催)
2022-11-25
15:25
福岡 福岡大学文系センター棟 + オンライン開催
(ハイブリッド開催,主:現地開催,副:オンライン開催)
[招待講演]ポスト5Gネットワークを活用したAIおよびセンシング技術
谷村崇仁松本久功高浦則克島 明生奥野通貴日立NS2022-126 CQ2022-59 ICM2022-29
5Gのさらなる高度化であるポスト5G/6Gでは,超高速・大容量,超低遅延,超カバレッジといった通信機能の強化に加え,コン... [more] NS2022-126 CQ2022-59 ICM2022-29
p.136(NS), p.57(CQ), p.30(ICM)
SDM 2016-11-10
11:00
東京 機械振興会館 [招待講演]SiC トレンチ型DMOS(TED MOS)のチャネル特性に関する研究
手賀直樹久本 大島 明生嶋本泰洋日立SDM2016-80
新型SiC トレンチ型DMOSであるtrench-etched double-diffused MOS (TED MOS... [more] SDM2016-80
pp.9-14
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
15:55
北海道 札幌市男女共同参画センター 4F2のポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ
木下勝治笹子佳孝峯邑浩行安齋由美子田井光春藤崎芳久草場壽一森本忠雄高濱 高峰 利之島 明生與名本欣樹小林 孝日立SDM2012-74 ICD2012-42
ストレージ向け3次元縦チェインセル型相変化メモリ(Vertical Chain-Cell-Type Phase-Chan... [more] SDM2012-74 ICD2012-42
pp.59-63
SDM 2011-11-10
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治峯邑浩行安齋由美子田井光春黒土健三森田精一高橋俊和高濱 高森本忠雄峰 利之島 明生小林 孝日立SDM2011-117
ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造により、... [more] SDM2011-117
pp.11-15
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:50
富山 富山県民会館 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治峯邑浩行安齋由美子田井光春黒土健三森田精一高橋俊和高濱 高森本忠雄峰 利之島 明生小林 孝日立SDM2011-85 ICD2011-53
ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造によって... [more] SDM2011-85 ICD2011-53
pp.75-78
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-10-09
10:25
福岡 福岡交通センター [招待講演]低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術
笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久守谷浩志高浦則克鳥居和功日立MR2009-26
次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価... [more] MR2009-26
pp.31-35
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久久米 均守谷浩志高浦則克鳥居和功日立SDM2009-112 ICD2009-28
ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2... [more] SDM2009-112 ICD2009-28
pp.79-83
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