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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
16:50
大阪 大阪市立大学 モノリシック光源に向けたゲルマニウム発光素子の研究
谷 和樹斎藤慎一小田克矢光電子融合基盤技研)・奥村忠嗣峰 利之日立)・井戸立身光電子融合基盤技研
Si基板上にモノリシックに集積可能な光源の開発を目指して, Ge単結晶成長技術の開発と,Ge発光素子の試作検討を行った.... [more] ED2012-91 CPM2012-148 LQE2012-119
pp.121-124
ICD, SDM
(共催)
2012-08-02
15:55
北海道 札幌市男女共同参画センター 4F2のポリシリダイオードで駆動する微細化に優れた3Dチェインセル型相変化メモリ
木下勝治笹子佳孝峯邑浩行安齋由美子田井光春藤崎芳久草場壽一森本忠雄高濱 高峰 利之島 明生與名本欣樹小林 孝日立
ストレージ向け3次元縦チェインセル型相変化メモリ(Vertical Chain-Cell-Type Phase-Chan... [more] SDM2012-74 ICD2012-42
pp.59-63
SDM 2011-11-10
13:00
東京 機械振興会館 [招待講演]3次元積層を可能にするPoly-Siトランジスタ駆動の相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治峯邑浩行安齋由美子田井光春黒土健三森田精一高橋俊和高濱 高森本忠雄峰 利之島 明生小林 孝日立
ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造により、... [more] SDM2011-117
pp.11-15
SDM, ICD
(共催)
2011-08-26
09:50
富山 富山県民会館 低コストと高速データ転送を実現するポリSi MOSトランジスタ駆動の相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治峯邑浩行安齋由美子田井光春黒土健三森田精一高橋俊和高濱 高森本忠雄峰 利之島 明生小林 孝日立
ポリシリコントランジスタ駆動の相変化メモリを作製した。チャネルシリコン上に相変化材料を直接成膜したメモリセル構造によって... [more] SDM2011-85 ICD2011-53
pp.75-78
ITE-MMS, MRIS
(共催)
2009-10-09
10:25
福岡 福岡交通センター [招待講演]低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術
笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久守谷浩志高浦則克鳥居和功日立
次世代の不揮発性メモリとして最も有望な相変化メモリを安価なポリシリコンダイオードと組合せたメモリセルの試作・電気特性評価... [more] MR2009-26
pp.31-35
ICD, SDM
(共催)
2009-07-17
12:00
東京 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F2クロスポイント型相変化メモリ
笹子佳孝木下勝治森川貴博黒土健三半澤 悟峰 利之島 明生藤崎芳久久米 均守谷浩志高浦則克鳥居和功日立
ポリSiダイオード駆動のクロスポイント型相変化メモリの試作・電気特性評価を行った。低接触抵抗で駆動電流が8 MA/cm2... [more] SDM2009-112 ICD2009-28
pp.79-83
ICD, SDM
(共催)
2008-07-17
15:05
東京 機械振興会館 ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現
亀代典史渡部隆夫石井智之峰 利之日立)・佐野聡明ルネサス北日本セミコンダクタ)・伊部英史秋山 悟日立)・柳沢一正一法師隆志岩松俊明高橋保彦ルネサステクノロジ
SESO (Single Electron Shut-off)トランジスタのプロセスを見直し、ロジックプロセス互換性を実... [more] SDM2008-136 ICD2008-46
pp.47-52
SDM 2007-06-07
13:55
広島 広島大学(学士会館) Si3N4/Si-rich Nitride(SRN)/Si3N4積層膜の電子捕獲特性
峰 利之石田 猛濱村浩孝鳥居和功日立
MONOS型不揮発性メモリの書換え動作に伴う電荷の局在抑制を目的に,Siを過剰に含むSiリッチ窒化膜(SRN)の電子捕獲... [more] SDM2007-32
pp.7-11
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