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 18件中 1~18件目  /   
研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
SID-JC, IEIJ-SSL
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2016-01-29
10:20
富山 富山大学 AlGaNナノリングによるバイオセンシング動作
武島歩志光野徹也鈴木 翔静岡大)・酒井 優山梨大)・菊池昭彦岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2015-36
 [more] EID2015-36
pp.89-91
ED, CPM, SDM
(共催)
2015-05-28
14:15
愛知 豊橋技科大VBL棟 分子線エピタキシー法により成長したInGaNナノプレートの光学特性
光野徹也静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21
直径50-200 nm、高さ1500 nmのGaNナノ支柱状結晶上に直径が200-800 nm程度で厚さが50 nmの極... [more] ED2015-19 CPM2015-4 SDM2015-21
pp.17-19
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2015-01-23
11:02
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 トップダウンによる三角形状GaNマイクロディスクの光学特性に関する検討
鈴木 翔光野徹也静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2014-53
一辺1.5 umから4.4 um、高さ1.2 um程度の三角形状GaNマイクロディスクを三角格子状に配列したマイクロディ... [more] EID2014-53
pp.103-105
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2015-01-23
11:10
京都 龍谷大学響都ホール校友会館 六角形状GaNマイクロディスクレーザの光放射特性の検討
光野徹也鈴木 翔静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2014-54
六角形状GaNマイクロディスクとは一辺が1.5um、厚さ250nm程度の高品質GaN結晶である。本構造はウィスパリングモ... [more] EID2014-54
pp.107-109
LQE, ED, CPM
(共催)
2014-11-28
16:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 理工学図書館 スパッタ膜上への窒化物単結晶pinナノコラム作製
野間友博林 宏暁福島大史今野裕太野村一郎岸野克巳上智大ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125
紫外から赤外に亘るバンドギャップエンジニアリングが可能な窒化物は魅力的な材料である.しかしながら,含有欠陥の多さからその... [more] ED2014-97 CPM2014-154 LQE2014-125
pp.117-120
IEIJ-SSL, SID-JC
(共催)
EID, ITE-IDY, IEE-EDD
(連催) [詳細]
2014-01-24
14:26
新潟 新潟大学 駅南キャンパス トップダウンによる六角形状GaNマイクロディスクアレイからの光励起発振
鈴木 翔光野徹也静岡大)・山野晃司岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2013-15
電子線描画と反応性イオンエッチングにより、GaN薄膜を微細加工することで、一辺1.5 um、高さ900 nm程度の六角形... [more] EID2013-15
pp.29-31
ITE-IDY, EID, IEE-EDD
(連催)
2013-01-24
13:30
静岡 静岡大学 六角形状GaNマイクロディスク結晶における光共振機構の検証
光野徹也静岡大)・酒井 優山梨大)・岸野克巳上智大)・原 和彦静岡大EID2012-14
1辺の長さが1から2マイクロメートル程度の六角形状GaNマイクロディスク結晶の光共振機構について有限時間領域差分法による... [more] EID2012-14
pp.1-3
OPE, LQE
(共催)
EMD, CPM, OME
(共催)
(併催) [詳細]
2012-06-22
15:15
東京 機械振興会館 [招待講演]緑色半導体レーザの進展
岸野克巳上智大OPE2012-17 LQE2012-21
 [more] OPE2012-17 LQE2012-21
pp.39-44
LQE, ED, CPM
(共催)
2011-11-18
15:05
京都 京都大学桂キャンパス 桂ホール 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
神村淳平岸野克巳神山幸一菊池昭彦上智大ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121
規則配列GaNナノコラムを貫通転位を含まない高品質テンプレートとして用い、活性層に高In組成InGaN、p型層にMgドー... [more] ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121
pp.127-130
ED, LQE, CPM
(共催)
2009-11-19
10:25
徳島 徳島大学(常三島キャンパス・工業会館) Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長
神村淳平岸野克巳菊池昭彦上智大/JSTED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110
 [more] ED2009-131 CPM2009-105 LQE2009-110
pp.13-18
LQE 2008-12-12
15:10
東京 機械振興会館 地下3階2号室 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓
野村一郎岸野克巳蛯沢智也櫛田 俊田才邦彦中村 均朝妻庸紀中島 博上智大LQE2008-138
InP基板上のMgZnCdSe、BeZnTe、BeZnSeTe?-?族半導体は可視光中域、特に緑色発光素子材料として有望... [more] LQE2008-138
pp.53-58
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
09:30
愛知 名古屋工業大学 RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製
関口寛人菊池昭彦岸野克巳上智大ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96
GaNナノコラムは結晶中に貫通転位を含まず優れた発光特性を有する。我々は可視全域で発光するInGaN/GaN量子井戸ナノ... [more] ED2008-152 CPM2008-101 LQE2008-96
pp.1-6
LQE, ED, CPM
(共催)
2008-11-27
09:55
愛知 名古屋工業大学 GaNナノコラムにおけるランダムレージング
酒井 優岸野克巳菊池昭彦関口寛人上智大/JST)・猪瀬裕太上智大)・江馬一弘大槻東巳上智大/JSTED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97
GaNナノコラムは、自己組織的に成長する直径100nm程度、高さ1$\mu$m程度の柱状結晶で、貫通転移を含まないことか... [more] ED2008-153 CPM2008-102 LQE2008-97
pp.7-12
CPM, ED, LQE
(共催)
2007-10-11
13:55
福井 福井大学 RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価
関口寛人上智大/JST)・加藤 圭田中 譲上智大)・菊池昭彦岸野克巳上智大/JSTED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59
GaN ナノコラムは直径100nm 程度の互いに独立した柱状結晶で、結晶中に貫通転位を含まないため優れた発光特性を有する... [more] ED2007-158 CPM2007-84 LQE2007-59
pp.13-17
LQE, OPE
(共催)
2007-06-29
14:00
東京 機械振興会館 GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移
田中海一幾野敬太葛西洋平福永和哉上智大)・欅田英之江馬一弘菊池昭彦岸野克巳上智大/JSTOPE2007-22 LQE2007-23
通信波長帯でのサブバンド間遷移(Intersubband transition:ISBT)は、LOフォノン放出により超高... [more] OPE2007-22 LQE2007-23
pp.29-33
ED, CPM, LQE
(共催)
2006-10-06
10:20
京都 京都大学 Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製
内田裕行上智大)・菊池昭彦岸野克巳上智大/JST
GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition:ISBT)はフェムト... [more] ED2006-163 CPM2006-100 LQE2006-67
pp.63-67
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-13
11:00
滋賀 立命館大学 RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価
大橋達男石沢峻介Petter Holmström菊池昭彦岸野克巳上智大
 [more] ED2005-122 CPM2005-109 LQE2005-49
pp.17-21
LQE, ED, CPM
(共催)
2005-10-14
14:50
滋賀 立命館大学 RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価
菊池昭彦多田 誠岸野克巳上智大
 [more] ED2005-152 CPM2005-139 LQE2005-79
pp.61-65
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