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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
11:30
北海道 北海道大学百年記念会館 フレキシブル基板上カーボンナノチューブアナログ集積回路の設計と作製
松浦智紀鹿嶋大雅廣谷 潤岸本 茂大野雄高名大ED2017-107 SDM2017-107
 [more] ED2017-107 SDM2017-107
pp.15-18
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
11:55
北海道 北海道大学百年記念会館 カーボンナノチューブバイオセンサの電気的特性に対する電解液の影響
長谷川加奈牛山拓也岸本 茂大野雄高名大ED2017-108 SDM2017-108
カーボンナノチューブ(CNT)薄膜電界効果トランジスタのバイオセンサ応用において、電解液中の電気的特性を理解することが重... [more] ED2017-108 SDM2017-108
pp.19-22
ED, SDM
(共催)
2018-02-28
15:05
北海道 北海道大学百年記念会館 カーボンナノチューブ薄膜を用いた流体発電の発電機構の理解と高出力化
西 涼平岸本 茂名大)・片浦弘道産総研)・大野雄高名大ED2017-111 SDM2017-111
 [more] ED2017-111 SDM2017-111
pp.31-34
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
14:50
北海道 北海道大学百年記念会館 カーボンナノチューブ薄膜を用いた神経伝達物質の高感度な電気化学的検出
牛山拓也グエン シュアン ヴィエット岸本 茂大野雄高名大ED2016-137 SDM2016-154
カーボンナノチューブ(CNT)の薄膜を電極に用いて、神経伝達物質の電気化学的検出を行った。CNT櫛形電極を作製し、基本的... [more] ED2016-137 SDM2016-154
pp.41-45
ED, SDM
(共催)
2017-02-24
15:55
北海道 北海道大学百年記念会館 カーボンナノチューブ薄膜/電解質液体界面の相互作用を用いた発電素子の評価
安西智洋岸本 茂大野雄高名大ED2016-139 SDM2016-156
 [more] ED2016-139 SDM2016-156
pp.53-56
ED, SDM
(共催)
2016-03-04
10:00
北海道 北海道大学百年記念会館 プラスチックフィルム上に作製したカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの大規模特性評価
廣谷 潤岸本 茂大野雄高名大
 [more]
SDM, ED
(共催)
2015-02-05
16:35
北海道 北海道大学(百年記念会館) カーボンナノチューブ薄膜への電界集中効果によるOLEDのキャリア注入増強
山田竜也岸本 茂大野雄高名大ED2014-144 SDM2014-153
有機発光ダイオード(OLED)の透明電極としてカーボンナノチューブ(CNT)薄膜を用い、CNTへの電界集中効果を利用する... [more] ED2014-144 SDM2014-153
pp.33-38
SDM, ED
(共催)
2015-02-06
10:40
北海道 北海道大学(百年記念会館) 高速印刷技術を用いた微細トップゲート型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製
前田迪彦樋口健太郎岸本 茂名大)・外村卓也武居正史畑 克彦バンドー化学)・大野雄高名大ED2014-149 SDM2014-158
高速印刷技術であるフレキソ印刷を用いて、短チャネルのトップゲート型カーボンナノチューブ薄膜 トランジスタ(CNT TFT... [more] ED2014-149 SDM2014-158
pp.63-67
SDM, ED
(共催)
2015-02-06
11:30
北海道 北海道大学(百年記念会館) フレキシブルカーボンナノチューブ集積回路の動作速度改善
三善利忠名大)・カスケラ アンティライホ パトリックナシブリン アルバートアールト大)・岸本 茂名大)・カウピネン エスコアールト大)・大野雄高名大ED2014-151 SDM2014-160
カーボンナノチューブ(CNT)薄膜をチャネルとするCNT薄膜トランジスタにおいて、動作速度向上のため、遅延要因となる寄生... [more] ED2014-151 SDM2014-160
pp.75-79
ED, SDM
(共催)
2014-02-27
14:40
北海道 北海道大学百年記念会館 プラスチック基板上におけるn型カーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製と評価
安西智洋岸本 茂大野雄高名大ED2013-134 SDM2013-149
転写法により形成したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜と、ポリエチレンイミン(PEI)による化学ドーピングを用いて、プラ... [more] ED2013-134 SDM2013-149
pp.13-18
ED, SDM
(共催)
2014-02-27
15:05
北海道 北海道大学百年記念会館 高速なフレキソ印刷技術を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの作製
樋口健太郎名大)・中嶋勇太外村卓也武居正史バンドー化学)・岸本 茂名大)・畑 克彦バンドー化学)・大野雄高名大ED2013-135 SDM2013-150
高速な印刷法であるフレキソ印刷技術とカーボンナノチューブ転写技術を組み合わせ、高移動度なカーボンナノチューブ薄膜トランジ... [more] ED2013-135 SDM2013-150
pp.19-24
ED, SDM
(共催)
2014-02-28
09:50
北海道 北海道大学百年記念会館 簡易転写プロセスによるカーボンナノチューブ薄膜パターン形成とタッチセンサ応用
深谷徳宏名大)・金 東榮早大)・岸本 茂名大)・野田 優早大)・大野雄高名大ED2013-144 SDM2013-159
カーボンナノチューブ薄膜の微細パターンをプラスチックフィルム上に簡易に形成する技術を開発するとともに、それを用いて微細グ... [more] ED2013-144 SDM2013-159
pp.67-71
SDM, ED
(共催)
(ワークショップ)
2012-06-29
12:00
沖縄 沖縄県青年会館 Solution-based high-frequency field-effect transistors with purified semiconductor carbon nanotubes
Masaki InagakiKensuke HataKazunari ShiozawaYasumitsu MiyataYutaka OhnoShigeru KishimotoHisanori ShinoharaTakashi MizutaniNagoya Univ.
 [more]
ED, SDM
(共催)
2012-02-08
13:25
北海道 北海道大学 百年記念会館 CNFETにおけるhigh-kゲート絶縁膜界面近傍の電荷分布とその影響
鈴木耕佑大野雄高岸本 茂水谷 孝名大ED2011-156 SDM2011-173
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)のゲート絶縁膜界面に生ずる界面電荷について、ケルビンプローブフォ... [more] ED2011-156 SDM2011-173
pp.83-87
CPM, SDM, ED
(共催)
2011-05-20
17:30
愛知 名古屋大学 VBL 原子層成膜Al2O3をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSFETの作製と評価
宮崎英志合田祐司岸本 茂水谷 孝名大ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49
Al2O3/AlGaN/GaN MOSFETのFET特性改善のため、Al2O3成膜前の前処理として(NH4)2S (硫化... [more] ED2011-36 CPM2011-43 SDM2011-49
pp.185-190
SDM, ED
(共催)
2011-02-23
16:05
北海道 北海道大学 百年記念会館 走査型プローブ顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ薄膜トランジスタの評価・解析
沖川侑揮大野雄高岸本 茂水谷 孝名大ED2010-197 SDM2010-232
プラズマCVD法を用いて作製したカーボンナノチューブ(CNT)薄膜トランジスタの電気伝導特性を走査型プローブ顕微鏡により... [more] ED2010-197 SDM2010-232
pp.31-36
ED 2010-06-17
16:40
石川 北陸先端大 トップゲートカーボンナノチューブFETにおけるゲート絶縁膜界面電荷の影響
大野雄高森山直希北村隆光鈴木耕佑岸本 茂水谷 孝名大ED2010-41
 [more] ED2010-41
pp.41-45
ED, SDM
(共催)
2010-02-23
09:30
沖縄 沖縄県青年会館 [招待講演]カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタの電気的特性に及ぼす界面特性の影響とその制御
大野雄高森山直希北村隆光鈴木耕介岸本 茂水谷 孝名大ED2009-205 SDM2009-202
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタ(CNFET)の特性を制御する上で,各種界面の特性を理解し,制御することが重要... [more] ED2009-205 SDM2009-202
pp.53-58
ED, MW
(共催)
2010-01-14
14:05
東京 機械振興会館 HfO2/AlGaN/GaN MOSFETの過渡応答解析
林 慶寿岸本 茂水谷 孝名大ED2009-186 MW2009-169
時間を考慮したデバイスシミュレーションを行うことで、HfO2/AlGaN/GaN MOSFETにおいてHfO2/AlGa... [more] ED2009-186 MW2009-169
pp.65-70
SDM, ED
(共催)
2009-02-26
16:55
北海道 北海道大学 AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器
前澤宏一富山大)・亀谷直樹岸本 茂水谷 孝名大)・赤松和弘日鉱金属ED2008-231 SDM2008-223
AlN セラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し,その特性を調べた.作製には微小デバイスブロックの配置... [more] ED2008-231 SDM2008-223
pp.41-46
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