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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, CPM, LQE
(共催)
2021-11-25
13:05
ONLINE オンライン開催 [奨励講演]ナノワイヤ発光デバイスの埋め込み成長条件最適化および発光特性
宮本義也曽根直樹奥田廉士Weifang Lu伊藤和真山村志織神野幸美中山奈々美勝呂紗衣上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、p-GaNおよびn-GaNの埋め込み成長を検討... [more] ED2021-19 CPM2021-53 LQE2021-31
pp.25-28
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-26
10:45
ONLINE オンライン開催 AlGaN UVBレーザダイオードのキャリア注入効率の算出
佐藤恒輔旭化成)・大森智也山田和輝田中隼也石塚彩花手良村昌平岩山 章岩谷素顕名城大)・三宅秀人三重大)・竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54
 [more] ED2020-3 CPM2020-24 LQE2020-54
pp.9-12
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:00
ONLINE オンライン開催 GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化
田先美貴子清原一樹小田原麻人伊藤太一竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名大ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69
GaNトンネル接合を有する電流狭窄構造は、LEDやレーザダイオードに利用されている。上部n-GaN層がトンネル接合とp型... [more] ED2020-18 CPM2020-39 LQE2020-69
pp.67-70
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:20
ONLINE オンライン開催 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討
宮本義也曽根直樹Weifang Lu奥田廉士伊藤和真奥野浩司飯田一喜上山 智竹内哲也岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70
本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、埋め込みn-GaN層の成長を検討した。ナノイン... [more] ED2020-19 CPM2020-40 LQE2020-70
pp.71-74
LQE, CPM, ED
(共催)
2020-11-27
13:40
ONLINE オンライン開催 AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討
田中隼也名城大)・佐藤恒輔旭化成)・安江信次荻野雄矢山田和輝石塚彩花大森智也手良村昌平岩山 章名城大)・三宅秀人三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71
本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となってい... [more] ED2020-20 CPM2020-41 LQE2020-71
pp.75-78
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
14:35
静岡 静岡大学(浜松) AlGaNをを量子井戸に用いた電子線励起レーザ
櫻木勇介安江信次手良村昌平荻野雄矢田中隼也岩山 章岩谷素顕上山 智竹内哲也赤崎 勇名城大)・三宅秀人三重大ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86
これまで活性層にAlGaNを用いた電子線励起レーザは報告されていないAlGaN井戸層を使用してレーザ構造を作製し、我々は... [more] ED2019-43 CPM2019-62 LQE2019-86
pp.45-48
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-21
15:50
静岡 静岡大学(浜松) AlInN/GaN多層膜反射鏡を有するGaN系面発光レーザーの偏波特性
小田 薫飯田涼介岩山 章清原一樹竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤崎 勇名城大/名大ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89
本研究では、GaN系面発光レーザー(VCSEL)における偏波方向について検討した。具体的には偏波方向に対する、基板オフ方... [more] ED2019-46 CPM2019-65 LQE2019-89
pp.57-60
CPM, LQE, ED
(共催)
2019-11-22
13:25
静岡 静岡大学(浜松) UV-B領域AlGaN発光層の光学利得と内部ロスの転位密度依存性
田中隼也川瀬雄太名城大)・佐藤恒輔旭化成/名城大)・安江信次手良村昌平荻野雄矢名城大)・岩山 章名城大/三重大)・岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤﨑 勇名城大/名大)・三宅秀人三重大ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98
AlGaN系UV-B光励起レーザの転位密度における閾値励起パワー密度と光学利得、内部ロスの依存性を調査した。転位密度の低... [more] ED2019-55 CPM2019-74 LQE2019-98
pp.93-96
ED, LQE, CPM
(共催)
2018-11-30
12:40
愛知 名古屋工業大学 SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ
飯田涼介名城大)・林 菜摘村永 亘岩山 章竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101
窒化物半導体面発光レーザのしきい値電流低減に向けて、SiO2埋め込みによる光導波構造を検討した。本論文では、まず、SiO... [more] ED2018-47 CPM2018-81 LQE2018-101
pp.71-74
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
10:30
愛知 名古屋工業大学 深紫外発光素子に向けた二段階組成傾斜p-AlGaN構造
小島久範安田俊輝上林大輝飯田一喜小出典克竹内哲也岩谷素顕上山 智赤崎 勇名城大ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72
 [more] ED2017-59 CPM2017-102 LQE2017-72
pp.49-53
LQE, CPM, ED
(共催)
2017-12-01
14:20
愛知 名古屋工業大学 2段階MOCVD法を用いたGaNナノワイヤの結晶成長
佐々井耕平Myunghee KIM鈴木 敦澁谷弘樹栗崎湧気軒村恭平竹林 穣上山 智竹内哲也岩谷素顕赤﨑 勇名城大ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78
 [more] ED2017-65 CPM2017-108 LQE2017-78
pp.77-82
ED, LQE, CPM
(共催)
2015-11-26
11:20
大阪 大阪市立大学・学術情報センター会議室 AlN/Sapphire基板を用いたRF加熱式HVPEによるAlN成長
安井大貴三宅秀人平松和政三重大)・岩谷素顕赤崎 勇名城大)・天野 浩名大ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
AlN(窒化アルミニウム)はワイドバンドギャップ半導体であり,熱及び化学的特性が安定であることから,深紫外域の発光・受光... [more] ED2015-70 CPM2015-105 LQE2015-102
pp.11-14
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
10:50
愛知 名古屋大学VBL3階 GaInN/GaNヘテロ接合における緩和過程の転位密度依存性
石原耕史近藤保成松原大幸岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16
GaInN/GaNヘテロ接合はLEDや半導体レーザ、さらには太陽電池など幅広い応用が可能である。これまで本ヘテロ接合の緩... [more] ED2014-18 CPM2014-1 SDM2014-16
pp.1-6
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-28
11:10
愛知 名古屋大学VBL3階 GaNSbのSb取り込みと表面形態に関する検討
小森大資笹島浩希鈴木智行竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤崎 勇名城大/名大ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17
窒化物半導体では成長温度の不一致と格子不整合により、広い組成範囲で高品質ヘテロ接合を形成するのが難しい。我々はSbを含む... [more] ED2014-19 CPM2014-2 SDM2014-17
pp.7-10
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
09:00
愛知 名古屋大学VBL3階 窒化物系LED作製のレーザー加工による光取り出し効率向上の検討
花井 駿名城大)・鈴木敦志北野 司ELSEED)・飯田大輔加藤貴久竹内哲也岩谷素顕上山 智赤﨑 勇名城大ED2014-31 CPM2014-14 SDM2014-29
低コストでLEDデバイスを作製するには、個々のデバイスの間隔を狭くする必要がある。レーザーによるへき開のための溝形成は、... [more] ED2014-31 CPM2014-14 SDM2014-29
pp.65-68
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
09:40
愛知 名古屋大学VBL3階 窒化物半導体LEDにおけるキャリア輸送への分極固定電荷の影響
勝野翔太林 健人安田俊輝岩谷素顕竹内哲也上山 智赤﨑 勇名城大)・天野 浩名大ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31
窒化物半導体LEDにおけるキャリアオーバーフローの一因として、ヘテロ界面に誘起する分極電荷の影響が報告されている。本報告... [more] ED2014-33 CPM2014-16 SDM2014-31
pp.75-80
CPM, ED, SDM
(共催)
2014-05-29
10:00
愛知 名古屋大学VBL3階 窒化物半導体HFET型紫外受光素子の火炎センサー応用
山本雄磨村瀬卓弥石黒真未山田知明岩谷素顕上山 智竹内哲也名城大)・赤﨑 勇名城大/名大ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32
本研究では、ゲートにp型GaNを用いたAlGaN/AlNヘテロ構造電界効果トランジスタ型(HFET型)UV光センサーを作... [more] ED2014-34 CPM2014-17 SDM2014-32
pp.81-84
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
11:25
大阪 大阪大学 吹田キャンパス 350nm紫外LED光取り出し効率改善に関する研究
中嶋 翼竹田健一郎岩谷素顕上山 智竹内哲也赤﨑 勇名城大)・天野 浩名大ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101
我々はITO/Al反射電極、レーザリフトオフ、シリコーン封止を組み合わせることで350nm紫外LED光取り出し効率改善を... [more] ED2013-66 CPM2013-125 LQE2013-101
pp.11-16
CPM, LQE, ED
(共催)
2013-11-28
17:05
大阪 大阪大学 吹田キャンパス トンネル接合を用いた多接合窒化物半導体の検討
黒川泰視合田智美加賀 充岩谷素顕竹内哲也上山 智名城大)・赤﨑 勇名城大/名大)・天野 浩名大ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111
 [more] ED2013-76 CPM2013-135 LQE2013-111
pp.57-61
ED, LQE, CPM
(共催)
2012-11-30
10:20
大阪 大阪市立大学 ドループ改善に向けた窒化物半導体np構造LEDの作製
森田隆敏加賀 充桑野侑香松井健城竹内哲也上山 智岩谷素顕名城大)・赤サキ 勇名城大/名大ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107
窒化物半導体LEDでは、高電流注入時の発光効率低下、いわゆるドループ現象が課題となっている。我々は、このドループ現象を改... [more] ED2012-79 CPM2012-136 LQE2012-107
pp.59-64
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