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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
MW, ED
(共催)
2017-01-27
09:30
東京 機械振興会館地下2階1号室 ゼロバイアスGaAsSbバックワードダイオード検波器の雑音特性改善
高橋 剛佐藤 優芝 祥一中舍安宏原 直紀岩井大介岡本直哉渡部慶二富士通研ED2016-102 MW2016-178
ミリ波およびテラヘルツ波の高感度検波器として、p+-GaAsSb/i-InAlAs/n-InGaAsヘテロ接合バックワー... [more] ED2016-102 MW2016-178
pp.29-33
ED 2016-12-19
14:40
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関するドレイン側リセス長の影響
遠藤 聡渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2016-81
InP系75-nmゲートIn0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTの温度300及び16 Kにお... [more] ED2016-81
pp.7-12
ED 2015-12-21
13:45
宮城 東北大通研ナノ・スピン棟 InP HEMTの低温DC・RF特性に関する温度依存性
遠藤 聡NICT/富士通研)・渡邊一世笠松章史NICT)・高橋 剛芝 祥一中舍安宏岩井大介富士通研)・三村高志富士通研/NICTED2015-92
75 nmゲートInP系In0.52Al0.48As/In0.63Ga0.37As HEMTのDC・RF特性を,温度30... [more] ED2015-92
pp.7-11
ED 2014-12-23
09:40
宮城 東北大学電気通信研究所 片平北キャンパス ナノ・スピン総合研究棟 GaAsSbトンネルダイオードのドーピング制御による170GHzミリ波感度の向上
高橋 剛佐藤 優中舎安宏芝 祥一原 直紀岩井大介富士通研ED2014-108
高感度のミリ波受信用デバイスとして、GaAsSbを用いたヘテロ接合型トンネルダイオードの一種であるバックワードダイオード... [more] ED2014-108
pp.57-61
ED 2014-08-01
10:30
東京 機械振興会館B3-1室 [招待講演]高感度ミリ波受信用GaAsSbバックワードダイオード技術
高橋 剛佐藤 優中舍安宏芝 祥一原 直紀岩井大介富士通研ED2014-53
従来のショットキーダイオードに代わる高感度のミリ波受信用デバイスとして、ゼロバイアスで動作するバックワードダイオードを開... [more] ED2014-53
pp.1-6
ED, MW
(共催)
2006-01-19
15:35
東京 機械振興会館 高出力AlGaN/GaN MIS-HEMT
金村雅仁吉川俊英岩井大介今西健治久保徳郎常信和清富士通研
 [more] ED2005-208 MW2005-162
pp.51-55
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