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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MW | 2017-11-09 14:20 |
沖縄 | 宮古島マリンターミナルビル | GaAs出力整合回路を用いたX帯30W級GaN-on-Si MMIC増幅器 ○神岡 純・河村由文・中原和彦・岡崎拓行・半谷政毅・山中宏治（三菱電機）  MW2017-122 |
[more] | MW2017-122 pp.57-60 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 11:20 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ ○幸丸竜太・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機） ED2016-106 MW2016-182 |
GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する． 本スイッチにはSi基板上に... [more] | ED2016-106 MW2016-182 pp.53-56 |
| MW, ED (共催) |
2017-01-27 14:00 |
東京 | 機械振興会館地下2階1号室 | 低コスト送信器向け小型8.5-10.5GHz GaN-on-Si MMIC増幅器 ○神岡 純・半谷政毅・中原和彦・岡崎拓行・山中宏治（三菱電機） ED2016-109 MW2016-185 |
[more] | ED2016-109 MW2016-185 pp.69-73 |
| ED, SDM (共催) |
2010-06-30 16:00 |
東京 | 東工大 大岡山キャンパス | Electrochemical formation of InP porous structures for their application to photoelectric conversion devices ○Hiroyuki Okazaki・Taketomo Sato・Naoki Yoshizawa・Tamotsu Hashizume（Hokkaido Univ） ED2010-71 SDM2010-72 |
[more] | ED2010-71 SDM2010-72 pp.85-89 |
| ED | 2010-06-17 13:50 |
石川 | 北陸先端大 | 電気化学的手法によるInP多孔質構造の形成と高感度化学センサへの応用 ○佐藤威友・吉澤直樹・岡崎拓行・橋詰 保（北大） ED2010-35 |
電気化学的手法により自己組織化形成されるn-InP多孔質構造の形成条件を最適化し、孔径約100nmで深さ10ミクロン以上... [more] | ED2010-35 pp.11-15 |
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