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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
DC, CPSY
(共催)
IPSJ-ARC
(連催) [詳細]
2019-06-11
14:10
鹿児島 指宿温泉 休暇村 指宿 高性能・高圧縮率を両立するストレージシステムのデータ圧縮機能の検討
山賀祐典松下貴記弘中和衛川口智大日立CPSY2019-2 DC2019-2
近年,情報システムが扱うデータ量は年率27%もの成長率で増大しており,膨大なデータを保持するストレージに必要なコストも増... [more] CPSY2019-2 DC2019-2
pp.27-32
ICD, CPSY
(共催)
2016-12-15
15:30
東京 東京工業大学 [ポスター講演]NAND型フラッシュメモリの世代間におけるエラーパターンの解析
榊 佑季哉山賀祐典竹内 健中大ICD2016-69 CPSY2016-75
NAND型フラッシュメモリのメモリセルは年々微細化され、チップ容量の大容量化が成されている一方で、ビットエラーが増大し、... [more] ICD2016-69 CPSY2016-75
p.57
VLD, DC
(共催)
CPM, ICD, IE
(共催)
CPSY, RECONF
(併催) [詳細]
2016-11-29
09:25
大阪 立命館大学大阪いばらきキャンパス 半導体ストレージシステムにおけるSCM, MLC/TLC NANDフラッシュメモリの最適な構成の設計
松井千尋山賀祐典杉山佑輔竹内 健中大CPM2016-77 ICD2016-38 IE2016-72
さまざまな種類のデータを高速に処理するために,ストレージクラスメモリ(SCM),multi-level cell (ML... [more] CPM2016-77 ICD2016-38 IE2016-72
pp.7-10
ICD, CPSY
(共催)
2015-12-17
16:00
京都 京都工芸繊維大学 [ポスター講演]誤り訂正符号の影響を考慮したソリッド・ステート・ドライブの性能評価
山賀祐典徳富 司小林惇朗竹内 健中大ICD2015-71 CPSY2015-84
NAND型フラッシュメモリを用いたソリッド・ステート・ドライブ(SSD)では、誤り訂正符号によって信頼性が保障されている... [more] ICD2015-71 CPSY2015-84
p.41
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