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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| MRIS, ITE-MMS (連催) |
2024-06-06 15:00 |
宮城 | 東北大通研 （ハイブリッド開催，主：現地開催，副：オンライン開催） |
ポーラスターゲットを用いたホットカソードRFスパッタリングによる熱アシスト磁気記録媒体用MgO下地層の高速成膜 ○山田航太・宮崎大輝・廣川祐生・Seong-Jae Jeon・清水章弘（東北大）・岩谷幸作（豊島）・日向慎太郎・小川智之・斉藤 伸（東北大） |
[more] | |
| EMT, PN, MWPTHz (共催) IEE-EMT (連催) [詳細] |
2024-01-23 15:10 |
京都 | 京都大学吉田キャンパス 国際科学イノベーション棟シンポジウムホール | 超高密度波長分割多重ネットワークにおける光パス設定モデル ○山田航平・白木隆太・大木英司（京大）  PN2023-66 EMT2023-106 MWPTHz2023-94 |
通信需要の増大に対応する手法として，波長分割多重(wavelength division multiplexing: W... [more] | PN2023-66 EMT2023-106 MWPTHz2023-94 pp.97-101 |
| ET | 2014-07-05 13:55 |
秋田 | 秋田大学 | ボードゲーム戦略を題材としたプログラミング演習支援 ～ 最終大会の提出コードの特徴分析 ～ ○花川直己・山田航平・富永浩之（香川大） ET2014-24 |
[more] | ET2014-24 pp.13-16 |
| ET | 2014-07-05 14:20 |
秋田 | 秋田大学 | カードゲーム戦略を題材としたプログラミング演習支援 ～ 最終大会の提出コードの特徴分析 ～ ○玄馬史也・吉田亜未・大川昌寛・山田航平・富永浩之（香川大） ET2014-25 |
ポーカー戦略を題材とする応用Cプログラミング演習を提案する．配布された5枚の手札から1枚を捨て，山札から1枚を加える．過... [more] | ET2014-25 pp.17-22 |
| ET | 2012-07-28 14:55 |
宮城 | 東北学院大学 | ボードゲームの戦略プログラミングを題材としたJava演習支援 ～ 対戦結果の順位分析と対戦方法の考察 ～ ○山田航平・富永浩之（香川大） ET2012-26 |
[more] | ET2012-26 pp.29-34 |
| ET | 2012-03-10 11:00 |
香川 | 香川高等専門学校（詫間キャンパス） | ボードゲームの戦略プログラミングを題材としたJava演習支援 ～ 着手確認モジュールの導入と大会支援サーバのGUIの改良 ～ ○山田航平・富永浩之（香川大） ET2011-103 |
これまで，問題解決型の応用プログラミングとして，ボードゲーム戦略を題材とする対戦形式でのJava演習を提案している．また... [more] | ET2011-103 pp.19-24 |
| ET | 2011-07-16 16:20 |
北海道 | 室蘭工業大学 | ボードゲームの戦略プログラミングを題材としたJava演習支援 ～ 演習実践と対戦結果の分析 ～ ○山田航平・富永浩之（香川大） ET2011-34 |
問題解決型の応用プログラミングとして，ボードゲーム戦略を題材とする対戦形式でのJava演習を提案する。また、ローカル側と... [more] | ET2011-34 pp.59-64 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 13:40 |
愛知 | 名古屋工業大学 | MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(I) ○渡邊彰伸・甲斐康寛・山田 航・市橋 果・米山知宏・加藤大祐・松本和也・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大） ED2008-17 CPM2008-25 SDM2008-37 |
有機金属気相成長法による，Si基板上のCdTe層のヨウ素ドーピング特性について検討を行った．成長原料として，DMCdとD... [more] | ED2008-17 CPM2008-25 SDM2008-37 pp.81-84 |
| CPM, ED, SDM (共催) |
2008-05-16 14:05 |
愛知 | 名古屋工業大学 | MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II) ○市橋 果・山田 航・甲斐康寛・渡邊彰伸・中西智哉・岡 寛樹・仲島 甫・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大） ED2008-18 CPM2008-26 SDM2008-38 |
エチルヨウ素をn型不純物としてMOVPE法によるp型CdTe層の高抵抗化について検討を行った。成長温度510℃と610℃... [more] | ED2008-18 CPM2008-26 SDM2008-38 pp.85-88 |
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