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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ED, MW
(共催)
2012-01-12
10:10
東京 機械振興会館 InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討
宮本恭幸山田真之内田 建東工大ED2011-129 MW2011-152
MOSFETにおいてチャネル長縮小がすすむと電子はチャネル内をバリスティックに走行するため、電流量がソースとチャネルの間... [more] ED2011-129 MW2011-152
pp.59-62
ED, MW
(共催)
2010-01-14
10:25
東京 機械振興会館 HBTにおける高電流密度動作時エミッタ充電時間の電流反比例特性からの逸脱
山田真之上澤岳史宮本恭幸古屋一仁東工大ED2009-182 MW2009-165
高電流密度駆動時におけるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のエミッタ充電時間対電流密度の逆数特性について理論的考... [more] ED2009-182 MW2009-165
pp.43-48
MW, ED
(共催)
2009-01-15
13:50
東京 機械振興会館 超薄層ベースInP系HBTにおけるGraded Baseによるベース走行時間短縮
上澤岳史山田真之宮本恭幸古屋一仁東工大ED2008-212 MW2008-177
あらまし InP/InGaAs HBTの超薄層高濃度ベース下におけるベース走行時間の解析を行った。20nm以下の様に超... [more] ED2008-212 MW2008-177
pp.83-88
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