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| 研究会 | 発表日時 | 開催地 | タイトル・著者 | 抄録 | 資料番号 | |
| SDM | 2012-11-16 13:00 |
東京 | 機械振興会館 | 立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション ○図師知文（早大/JST）・大毛利健治・山田啓作（筑波大/JST）・渡邉孝信（早大/JST）  SDM2012-108 |
ナノMOSFETにおいて形成されるとされる縦波光学(LO)フォノンが滞留した非平衡熱分布，いわゆるホットスポットの熱散逸... [more] | SDM2012-108 pp.47-52 |
| SDM | 2011-07-04 11:20 |
愛知 | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） | Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面 櫻井蓉子・大毛利健治・山田啓作（筑波大）・角嶋邦之・岩井 洋（東工大）・白石賢二・○野村晋太郎（筑波大） SDM2011-56 |
発光顕微分光法によりSiナノワイヤー、ナノレイヤの発光特性を評価した．膜厚2.7~25.2 nmの極薄SOI試料の発光ス... [more] | SDM2011-56 pp.35-39 |
| SDM | 2010-11-11 14:40 |
東京 | 機械振興会館 | ［招待講演］金属電極／高誘電率絶縁膜界面の物理を中心としたHigh-k/Metalゲートスタックの実効仕事関数変調機構の理解 ○細井卓治・佐伯雅之・喜多祐起・奥 雄大・有村拓晃・北野尚武（阪大）・白石賢二・山田啓作（筑波大）・志村考功・渡部平司（阪大） SDM2010-175 |
p型電極／高誘電率絶縁膜ゲートスタックでは，電極材料がpoly-Siもしくは金属に関わらず，ソース／ドレイン活性化アニー... [more] | SDM2010-175 pp.23-28 |
| SDM | 2010-06-22 10:20 |
東京 | 東京大学（生産研An棟） | キャリア移動度評価によるシリコンナノワイヤトランジスタの電気特性解析 ○佐藤創志・角嶋邦之・パールハット アヘメト（東工大）・大毛利健治（早大）・名取研二・岩井 洋（東工大）・山田啓作（早大） SDM2010-35 |
高いON電流と低いOFF電流を併せ持つことによる低電源電圧・低消費電力デバイスとしてシリコンナノワイヤトランジスタ(Si... [more] | SDM2010-35 pp.11-16 |
| SDM | 2008-12-05 13:15 |
京都 | 京都大学桂キャンパスA1-001 | ［招待講演］金属電極とハフニウム系高誘電率ゲート絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構 ○渡部平司・喜多祐起・細井卓治・志村考功（阪大）・白石賢二（筑波大）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） SDM2008-188 |
[more] | SDM2008-188 pp.21-25 |
| SDM | 2006-06-21 14:55 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価 ○上殿明良・大塚 崇・伊東健一・白石賢二・山部紀久夫（筑波大）・宮崎誠一（広島大）・梅澤直人・知京豊裕（物質・材料研究機構）・大平俊行・鈴木良一（産総研）・犬宮誠治・神山 聡（半導体先端テクノロジーズ）・赤坂泰志（東京エレクトロン）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-46 pp.25-30 |
| SDM | 2006-06-21 16:00 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 金属電極/High-k絶縁膜キャパシタのフラットバンド電圧特性に与える仕事関数変調及び熱処理の影響 ○大毛利健治（物質・材料研究機構）・Parhat Ahmet（東工大）・白石賢二（筑波大）・渡部平司（阪大）・赤坂泰志（半導体先端テクノロジーズ）・山部紀久雄（筑波大）・吉武道子（物質・材料研究機構）・K. S. Chang・M. L. Green（NIST）・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大）・知京豊裕（物質・材料研究機構） |
[more] | SDM2006-48 pp.37-41 |
| SDM | 2006-06-22 13:10 |
広島 | 広島大学, 学士会館 | 酸素雰囲気アニール中のHfO2/SiO2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察 趙 明・○中嶋 薫・鈴木基史・木村健二（京大）・植松真司（NTT）・鳥居和功・神山 聡・奈良安雄（半導体先端テクノロジーズ）・山田啓作（早大） |
[more] | SDM2006-59 pp.99-102 |
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