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研究会 発表日時 開催地 タイトル・著者 抄録 資料番号
ICD 2017-04-20
16:10
東京 機械振興会館 [招待講演]A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology
Ryuji YamashitaSagar MagiaWDC)・Tsutomu HiguchiKazuhide YoneyaToshio YamamuraToshiba)・Hiroyuki MizukoshiShingo ZaitsuMinoru YamashitaShunichi ToyamaNorihiro KamaeJuan LeeShuo ChenJiawei TaoWilliam MakXiaohua ZhangWDCICD2017-9
64ワードライン層BiCS技術による512Gb 3b/cellフラッシュメモリーを開発した。Four-block-EOC... [more] ICD2017-9
pp.45-50
ICD 2008-04-17
13:55
東京 機械振興会館 43nmCMOS技術を用いた120mm2 16Gb多値NANDフラッシュメモリの開発
中村 大神田和重小柳 勝山村俊雄細野浩司吉原正浩東芝)・三輪 達加藤洋介サンディスク)・Alex MakSiu Lung ChanFrank TsaiRaul CerneaBinh Leサンディスクコーポレーション)・牧野英一平 隆志東芝ICD2008-5
43nm CMOS テクノロジを用いた16 ギガビット4 値NAND フラッシュメモリを開発した.66NANDと新規コン... [more] ICD2008-5
pp.25-30
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